一般セッション(口頭講演)

[20a-B204-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月20日(火) 09:00 〜 12:00 B204 (B204)

鈴木拓(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [20a-B204-1] 第一原理計算によるルチル型TiO₂中の剪断面構造及び酸素空孔挙動の解析

〇(M2)二宮雅輝¹、藤平哲也¹、林侑介¹、酒井朗¹ (1.阪大基礎工)

09:15 〜 09:30

△ [20a-B204-2] ペロブスカイト型抵抗変化メモリの抵抗緩和現象の機構解明

〇中村駿斗¹、青木裕雅¹、甲斐洋行¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

09:30 〜 09:45

△ [20a-B204-3] ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用

〇山崎智之¹、高岡遼生²、飯村壮史^1,3、金正煥¹、平松秀典²、細野秀雄^1,3 (1.東工大元素、2.東工大フロンティア、3.NIMS)

09:45 〜 10:00

△ [20a-B204-4] イオンゲーティングリザバーを利用する高性能リザバーコンピューティング

〇(D)西岡大貴^1,2、土屋敬志^1,2、並木航¹、髙栁真^1,2、井村将隆¹、小出康夫¹、樋口透²、寺部一弥¹ (1.物材機構、2.東理大理)

10:00 〜 10:15

△ [20a-B204-5] リチウム固体電解質を用いる酸化還元型イオンゲーティングリザバー

〇和田友紀^1,2、西岡大貴^1,2、並木航¹、土屋敬志^1,2、樋口透²、寺部一弥¹ (1.物材機構、2.東理大理)

10:30 〜 10:45

[20a-B204-6] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(１)；
Ptナノ粒子担持SnO₂薄膜による室温センシング

西河秀平¹、柏木誠¹、賈軍軍²、小口有希¹、中村明³、〇重里有三¹ (1.青学大理工、2.早大国際理工学セ、3.ミネベアミツミ（株）)

10:45 〜 11:00

△ [20a-B204-7] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(２)；
SnO2薄膜のスパッタ成膜条件とガス検知特性

〇大舘啓太¹、柏木誠¹、小口有希¹、中村明²、山本晴香³、重里有三¹ (1.青学大理工、2.ミネベアミツミ、3.日本電子)

11:00 〜 11:15

△ [20a-B204-8] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(３)；
Pt あるいは Pd ナノ粒子担持 Al:ZnO 薄膜によるガスセンシング

〇遠藤雅之¹、曽根大希¹、柏木誠¹、賈軍軍²、小口有希¹、中村明³、重里有三¹ (1.青学大理工、2.早大国際理工、3.ミネベアミツミ（株）)

11:15 〜 11:30

△ [20a-B204-9] 酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価

〇(DC)島添和樹¹、西中浩之¹、谷口陽子¹、鐘ケ江一考¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大電子)

11:30 〜 11:45

△ [20a-B204-10] ポリエチレングリコールドーピングによるアナターゼ/ルチル混晶型酸化チタンナノ粒子の光触媒活性増強効果

〇(M1)松本拓海¹、川上烈生¹、柳谷伸一郎^1,2、新部正人³、中野由祟⁴、向井孝志⁵ (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.兵庫県立大、4.中部大、5.日亜化学)

11:45 〜 12:00

△ [20a-B204-11] 反応性スパッタリング法を用いて作製した酸化タングステン薄膜の熱処理効果

〇(M1)桂哲範¹、和所慶将¹、金敬鎬¹、阿部良夫¹ (1.北見工業大学)

一般セッション(口頭講演)

[20p-B204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月20日(火) 13:30 〜 17:00 B204 (B204)

神吉輝夫(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

△ [20p-B204-1] 溶液処理による超伝導Li_1–xNbO₂薄膜のLi組成制御

〇(M2)佐藤礼¹、相馬拓人¹、組頭広志^2,3、大友明¹ (1.東工大物質理工、2.高エネ研、3.東北大多元研)

13:45 〜 14:00

△ [20p-B204-2] 擬岩塩型Nb₃O₃エピタキシャル薄膜の超伝導

〇(M1)木村凜太郎¹、長泰亨¹、神永健一¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

14:00 〜 14:15

△ [20p-B204-3] 分子線エピタキシー法による高品質Sr₃Ru₂O₇薄膜の作製と評価

〇(M1)大城蓮¹、西早辰一¹、藤田貴啓²、川﨑雅司^2,3、打田正輝¹ (1.東工大理、2.東大工、3.理研CEMS)

14:15 〜 14:30

▼ [20p-B204-4] Deep-UV transparent conducting SrSnO₃ freestanding sheet using Al₂O₃ protection layer

〇(D)Lizhikun Gong¹、 Mian Wei¹、 Rui Yu¹、 Hiromichi Ohta²、 Katayama Tsukasa^2,3 (1.IST, Hokkaido Univ.、2.RIES, Hokkaido Univ.、3.JST-PRESTO)

14:30 〜 14:45

△ [20p-B204-5] 分極界面を有するSrFeO₃/LaNiO₃ヘテロ構造の作製と伝導特性

〇(M1)本田裕貴¹、相馬拓人¹、大友明¹ (1.東工大)

14:45 〜 15:00

△ [20p-B204-6] パルスレーザ堆積法によるGdMnO₃/LaNiO₃超格子構造の作製

〇山岸祐太¹、サフーラムチャンドラ¹、相馬拓人¹、大友明¹ (1.東工大物質理工)

15:15 〜 15:30

[20p-B204-7] 密度汎関数法によるTi₂O₃の金属絶縁体転移

〇吉松公平¹、長谷川直人¹、組頭広志¹ (1.東北大多元研)

15:30 〜 15:45

△ [20p-B204-8] 角度分解光電子分光によるTi₂O₃薄膜のフェルミオロジー

〇(D)長谷川直人¹、吉松公平¹、志賀大亮¹、神田龍彦¹、宮崎悟¹、北村未歩²、堀場弘司²、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)

15:45 〜 16:00

▼ [20p-B204-9] AMoO₂ (A = Li, Na, K): Two-dimensional Mott insulators with tunable MoO₂ interlayer distance

〇(D)Shuxin Zhang¹、 Takuto Soma¹、 Akira Ohtomo¹ (1.Tokyo Tech.)

16:00 〜 16:15

△ [20p-B204-10] MBEと固相エピタキシーを用いたPr₂Ir₂O₇薄膜の作製および物性評価

〇(M1)大石舜士¹、横倉聖也²、島田敏宏²、長浜太郎² (1.北大院総化、2.北大院工)

16:15 〜 16:30

△ [20p-B204-11] トポタクティック酸化を利用した単一配向 VO₂ 薄膜の作製

〇西井飛智¹、股村雄也¹、池之上卓己¹、三宅正男¹、平藤哲司¹ (1.京大院エネ科)

16:30 〜 16:45

△ [20p-B204-12] 一軸圧縮熱処理による V_xO_yエピタキシャル薄膜のトポケミカル還元合成

〇庄司拓貴¹、加藤礼雄¹、金子健太¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

16:45 〜 17:00

△ [20p-B204-13] 真空紫外光照射によるエピタキシャル酸化コバルト薄膜の結晶相変化

〇金子健太¹、庄司拓貴¹、喬宇馳¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

一般セッション(口頭講演)

[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月21日(水) 09:00 〜 11:45 B204 (B204)

高相圭(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-B204-1] NdNiO₃電界効果トランジスタの巨大抵抗変調とそのサイズ効果

〇(M2)小泉遼太¹、服部梓¹、李好博¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

09:15 〜 09:30

[21a-B204-2] ナノギャップソース-ドレイン電極を具えた電界効果トランジスタ構造を用いたH_xWO_3-δ薄膜のゲート電圧応答評価

〇伊勢柾希¹、甲斐洋行¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

09:30 〜 09:45

[21a-B204-3] プロトンドープEuNiO₃薄膜を用いたReRAMのメモリ効果の評価

〇谷口勇貴¹、李好博¹、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

09:45 〜 10:00

▲ [21a-B204-4] Ultra-sharp conductance change with proton potential in WO₃ heterostructure

〇SatyaPrakash Pati¹、 Satoshi Hamasuna¹、 Takeaki Yajima¹ (1.Kyushu Univ.)

10:00 〜 10:15

[21a-B204-5] TiO₂結晶への酸素空孔の電界注入と(001）表面の特異性

〇鈴木拓¹、坂口勲¹ (1.物材機構)

10:30 〜 10:45

[21a-B204-6] Pt/Ti_0.99Sc_0.01O_2-δ/Pt多層膜のキャリア密度と脳型的忘却特性の電流応答

〇(M2)谷口充樹¹、高田文朝¹、冨吉希彩良¹、谷古宇海斗¹、前川愛里¹、志賀大亮²、組頭広志²、樋口透¹ (1.東理大理、2.東北大)

10:45 〜 11:00

[21a-B204-7] ショットキー界面を制御したPt/Ti_0.99Fe_0.01O_2-δ /Ptデバイスの脳型特性

〇冨吉希彩良¹、谷口充樹¹、高田文朝¹、谷古宇海斗¹、樋口透¹、志賀大亮²、組頭広志² (1.東理大理、2.東北大)

11:00 〜 11:15

[21a-B204-8] Au/MgOx/Au/Ti-ReRAM における電圧スイープ下での抵抗変化挙動

〇木村洸希¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大理工)

11:15 〜 11:30

[21a-B204-9] ReRAM素子のRESET時抵抗変化の直流パルス間隔の影響

〇黄川洋¹、田中正和¹、岡安眞治¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大シス理工)

11:30 〜 11:45

[21a-B204-10] 電気化学堆積によるNi(OH)₂/NiOヘテロダイオードの作製

〇志村政英¹、安部功二¹ (1.名古屋工業大学)

一般セッション(口頭講演)

[21p-B204-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月21日(水) 13:30 〜 18:00 B204 (B204)

片山裕美子(東大)、志賀大亮(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[21p-B204-1] Si基板上のVO₂マイクロワイヤの相分離現象による非線形伝導が導く特異なTHz電場増強

〇大坂藍¹、永井正也²、玄地真悟¹、任慧¹、田中秀和¹、服部梓¹ (1.阪大産研、2.阪大基礎工)

13:45 〜 14:00

[21p-B204-2] ミストCVD法を用いたm面サファイア基板上VO₂薄膜の作製と構造転移

〇(M1)潮田和季¹、松浦直毅¹、久保理¹、田畑博史¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

14:00 〜 14:15

[21p-B204-3] 放射光電子分光によるCr_xV_1-_xO₂エピタキシャル薄膜の電子状態

〇志賀大亮^1,2、程详遴¹、金兌炫¹、神田龍彦¹、長谷川直人¹、北村未歩²、吉松公平¹、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

14:15 〜 14:30

[21p-B204-4] 硬X線光電子分光法を用いたペロブスカイト／Siタンデム太陽電池
応用に向けたALD-TiO₂層の角度分解評価

〇浅見真崇¹、桐原芳治¹、家城大輔^2,1、保井晃³、石川亮佑^1,2、野平博司¹ (1.東京都市大学、2.都市大総研、3.高輝度光科学研究センター)

14:30 〜 14:45

[21p-B204-5] 二次元NbO₂層における超伝導ドームと磁気量子臨界挙動

〇相馬拓人¹、吉松公平¹、大友明¹ (1.東工大物質理工)

14:45 〜 15:00

[21p-B204-6] 重希土類単酸化物強磁性半導体： DyO・ ErOエピタキシャル薄膜

〇佐々木智視¹、岡大地¹、齋藤大地¹、清水宙一¹、福村知昭^1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大WPI-AIMR&CRC、3.東北大CSIS・CSRN)

15:00 〜 15:15

[21p-B204-7] 結晶場狭ギャップ半導体Pd酸化物の薄膜作製

〇小塚裕介¹、藤岡淳²、佐々木泰祐¹、只野央将¹ (1.物材機構、2.筑波大)

15:15 〜 15:30

[21p-B204-8] 顕微ラマン分光法による多層電極付n型β-Ga₂O₃結晶の高温電子物性

〇各務良哉¹、須田潤¹ (1.中京大工)

15:45 〜 16:00

[21p-B204-9] 有機金属分解(MOD)法を用いて作製したLa_1-xSr_xMnO₃薄膜の電気および磁気伝導特性

〇川口紗良¹ (1.甲南大理工)

16:00 〜 16:15

[21p-B204-10] 傾斜組成Ru置換(La,Sr)MnO₃エピタキシャル薄膜の磁性

〇(M1)佐藤岳¹、神永健一¹、永沼博²、丸山伸伍¹、松本裕司¹ (1.東北大院工、2.東北大CSIS)

16:15 〜 16:30

▲ [21p-B204-11] Tunable exchange bias effect in manganese- and nickel-based artificial perovskite superlattice structures

〇(PC)Ramchandra Sahoo¹、 R Nanno¹、 Y Yamagishi¹、 Takuto Soma¹、 Akira Ohtomo¹ (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.)

16:30 〜 16:45

[21p-B204-12] ハイスループット物質合成のための実験失敗を伴うベイズ最適化

〇若林勇希¹、大塚琢馬²、ヨシハルクロッケンバーガー¹、澤田宏²、谷保芳孝¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研、2.NTTCS研)

16:45 〜 17:00

[21p-B204-13] 磁気異方性を持つSrRuO₃薄膜における等方的な軌道磁気モーメント

〇若林勇希¹、小林正起²、竹田幸治³、北村未歩⁴、武田崇仁²、岡野諒²、ヨシハルクロッケンバーガー¹、谷保芳孝¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研、2.東大工、3.原研、4.高エネ研)

17:00 〜 17:15

[21p-B204-14] SrTaO₃エピタキシャル薄膜の輸送特性

〇片山裕美子¹、大熊光¹、門脇福延¹、徳本有紀²、上野和紀¹ (1.東大院総合、2.東大生研)

17:15 〜 17:30

▲ [21p-B204-15] Annealing effect on electrical conductivity in Sr₃Cr₂O₇ epitaxial thin films

〇(M2)Zhaochen MA¹、 Daichi Oka¹、 Tomoteru Fukumura¹ (1.Tohoku Univ.)

17:30 〜 17:45

[21p-B204-16] Electrochemical Redox Treatment and Heat-Electron Transport Properties of SrCoO_x-SrFeO_x Solid Solution Films

〇(D)卞志平¹、楊倩²、吉村充生³、ジョヘジュン⁴、太田裕道⁴ (1.北大院情報、2.中国・江蘇大、3.北大工、4.北大電子研)

17:45 〜 18:00

[21p-B204-17] 自己配向LaNiO₃薄膜上へのペロブスカイト酸化物多層膜の気相合成

〇芦原凜太郎¹、河原正美²、川江健¹ (1.金沢大理工、2.(株)高純度化学研究所)

一般セッション(口頭講演)

[22a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月22日(木) 10:00 〜 11:30 A401 (A401)

樋口透(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:00 〜 10:15

[22a-A401-1] YO_xH_y薄膜の電気化学的金属-絶縁体転移における溶液の寄与

〇小松遊矢¹、清水亮太¹、ビルデマーカス²、西尾和記¹、福谷克之^2,3、一杉太郎^1,4 (1.東京工業大学、2.東大生産研、3.原子力機構、4.東大院理)

10:15 〜 10:30

[22a-A401-2] プロトン-正孔共伝導性を持つジルコン酸バリウムのTHz 伝導度測定

〇今村遼亮¹、永井正也¹、竹原輝¹、芦田昌明¹、奥山勇治²、可児幸宗³ (1.大阪大基礎工、2.宮崎大工、3.パナソニック)

10:30 〜 10:45

[22a-A401-3] Si保護層によるアモルファス薄膜電池のサイクル特性向上

〇松田菜月¹、辻健太¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

10:45 〜 11:00

[22a-A401-4] 正極集電体としてCuを用いた全固体Liイオン電池の検討

〇川山巌¹、石田祐樹¹、小出健太郎¹、嶋瑞生¹、片岡理樹²、橘田晃宜²、前田泰²、土井俊哉¹ (1.京大院エネ科、2.産総研電池技術)

11:00 〜 11:15

[22a-A401-5] 角度分解光電子分光による固体電解質Li_xLa_(1-x)/3NbO₃バルク単結晶の電子状態の研究

〇伊藤孝寛^1,2、山本凌²、小山正太郎²、仲武昌史³、高倉将一³、出田真一郎⁴、田中清尚⁴、藤原靖幸⁵、森分博紀⁶、入山恭寿² (1.名大SRセ、2.名大院工、3.あいちSR、4.分子研UVSOR、5.信州大、6.ファインセラミックスセンター)

11:15 〜 11:30

[22a-A401-6] コバルトプルシアンブルー類似体薄膜中のNaイオン拡散の可視化

〇(DC)岩泉滉樹¹、柴田恭幸²、守友浩^1,3,4 (1.筑波大数理、2.海洋大海洋工、3.筑波大数物系、4.筑波大TREMS)

一般セッション(ポスター講演)

[22p-P07-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月22日(木) 13:30 〜 15:30 P07 (体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[22p-P07-1] 膜中残留炭素と酸素分圧制御によるVO₂膜の作製と特性評価

〇山田知紀¹、田橋正浩¹、高橋誠¹、後藤英雄¹ (1.中部大)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-2] 半導体-絶縁体転移を示すVO₂/Nb-TiO₂多層膜の電子構造とキャリアー密度

谷古宇海斗¹、西翔平^1,2、伊藤宏樹¹、谷口充樹¹、冨吉希彩良¹、高田文朝¹、志賀大亮²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.東北大)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-3] 放射光電子分光によるSrTi_1-xV_xO₃量子井戸の量子化状態解析

〇(DC)神田龍彦¹、志賀大亮¹、和田亜里斗¹、長谷川直人¹、程詳遴¹、金兌炫¹、早坂亮太朗¹、北村未歩²、吉松公平¹、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-4] 電子強誘電体 YbFe₂O₄薄膜の相形成におよぼす照射レーザーの影響

〇(D)嶋本健人¹、五十嵐悠生¹、葉山琢充¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪公大院工)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-5] Pt/Ti_0.96Co_0.04O_2-δ/Pt薄膜の抵抗変化メカニズムと脳型特性の強化

〇(M2)高田文朝¹、山口優¹、谷口充樹¹、冨吉希彩良¹、谷古宇海斗¹、金子理久¹、志賀大亮²、組頭広志²、樋口透¹ (1.東理大理、2.東北大)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-6] NiOを用いたセルフパワーCO₂センサの試作

濱田知宏¹、〇大久保慶人¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-7] 光蓄電池における光電変換層構造の光充放電特性への影響

〇永渕佑太郎¹、碇朋樹¹、堀江雄二¹、野見山輝明¹ (1.鹿児島大院理工)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-8] 酸素空孔欠陥を導入したヘマタイト：光触媒活性の向上

〇(B)藤田涼雅¹、坂本全教¹ (1.新居浜高専　環材)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-9] アップコンバージョン蛍光体MoVO_xの光触媒効果

〇(B)西田智哉¹、山本伸一¹ (1.龍谷大学)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-10] チタニア多孔体ペレットへの熱CVDによる導電性酸化物FTO層の形成と光蓄電池への応用

〇(M2)北山公貴¹、北沢雄大¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、三原千都世² (1.鹿児島大学院　理工、2.ジョイソン・セイフティ・システムズ・ジャパン株式会社)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-11] Na₃OBrの結晶構造の変化がもたらすイオン伝導率の向上

浅川寛明¹、〇大崎祐揮¹、石維¹、村山真理子^1,2、趙新為¹ (1.東理大理、2.東洋大工業技術研)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-12] 永久磁石を用いた二交流ホール効果測定装置の構築と酸化物半導体の電子物性評価

〇吉松公平¹、成田千春¹、組頭広志¹ (1.東北大多元研)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-13] 放射光電子分光によるSrVO₃/LaAlO₃/SrVO₃二重量子井戸構造の電子状態

〇(M2)和田亜里斗¹、神田龍彦¹、志賀大亮¹、程詳遴¹、金兌炫¹、北村未歩²、吉松公平¹、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-14] 透明アンテナ用ITO導電膜のアニール処理によるシート抵抗の低減とアンテナの放射効率改善

〇山田友里¹、越地福朗¹、安田洋司¹、山田勝実¹、内田孝幸¹ (1.東京工芸大学大学院)

13:30 〜 15:30

[22p-P07-15] 三層膜MgO/CoFeB/IrO₂における磁気異方性の磁性層膜厚とアニール温度依存性

〇(M1)沖本稜弥¹、上田浩平^1,2、木田孝則³、萩原政幸³、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)

一般セッション(口頭講演)

[23a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月23日(金) 10:00 〜 11:30 A401 (A401)

重里有三(青学大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[23a-A401-1] In₂O₃結晶相転移によるTFT型CO₂ガスセンサーの特性向上

〇(M1)野寺歩夢¹、森峻¹、永井裕己¹、相川慎也¹ (1.工学院大)

10:15 〜 10:30

[23a-A401-2] 酸化タングステンナノロッド内部でのヘテロ接合形成と酸化還元面制御

〇(M1)内田涼太¹、伊藤皇聖¹、野田啓¹ (1.慶應大理)

10:30 〜 10:45

[23a-A401-3] NaOH処理グラファイト状窒化炭素の光触媒性能改善

〇栗田雄平¹、大谷直毅¹ (1.同志社大理工)

10:45 〜 11:00

[23a-A401-4] 新規液体原料（Zn(Cp^pm)₂）によるZnO薄膜の原子層堆積

〇水谷文一¹、水井誠¹、高橋伸尚¹、井上万里²、生田目俊秀² (1.高純度化学研究所、2.NIMS)

11:00 〜 11:15

[23a-A401-5] 静電噴霧法による酸化ガリウム薄膜の作製

〇(M1)芝原拓哉¹、李陳毅展¹、大谷直毅¹ (1.同志社大理工)

11:15 〜 11:30

[23a-A401-6] BHF処理を施したSrTiO₃基板に対する水リフトオフプロセスの検討

〇梶谷亮介¹、川江健¹ (1.金沢大理工)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-B204-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-B204-1] 第一原理計算によるルチル型TiO2中の剪断面構造及び酸素空孔挙動の解析

△ [20a-B204-2] ペロブスカイト型抵抗変化メモリの抵抗緩和現象の機構解明

△ [20a-B204-3] ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用

△ [20a-B204-4] イオンゲーティングリザバーを利用する高性能リザバーコンピューティング

△ [20a-B204-5] リチウム固体電解質を用いる酸化還元型イオンゲーティングリザバー

△ [20a-B204-7] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(２)；SnO2薄膜のスパッタ成膜条件とガス検知特性

△ [20a-B204-8] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(３)；Pt あるいは Pd ナノ粒子担持 Al:ZnO 薄膜による ガスセンシング

△ [20a-B204-9] 酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価

△ [20a-B204-10] ポリエチレングリコールドーピングによるアナターゼ/ルチル混晶型酸化チタンナノ粒子の光触媒活性増強効果

△ [20a-B204-11] 反応性スパッタリング法を用いて作製した酸化タングステン薄膜の熱処理効果

[20p-B204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20p-B204-1] 溶液処理による超伝導Li1–xNbO2薄膜のLi組成制御

△ [20p-B204-2] 擬岩塩型Nb3O3エピタキシャル薄膜の超伝導

△ [20p-B204-3] 分子線エピタキシー法による高品質Sr3Ru2O7薄膜の作製と評価

▼ [20p-B204-4] Deep-UV transparent conducting SrSnO3 freestanding sheet using Al2O3 protection layer

△ [20p-B204-5] 分極界面を有するSrFeO3/LaNiO3ヘテロ構造の作製と伝導特性

△ [20p-B204-6] パルスレーザ堆積法によるGdMnO3/LaNiO3超格子構造の作製

△ [20p-B204-8] 角度分解光電子分光によるTi2O3薄膜のフェルミオロジー

▼ [20p-B204-9] AMoO2 (A = Li, Na, K): Two-dimensional Mott insulators with tunable MoO2 interlayer distance

△ [20p-B204-10] MBEと固相エピタキシーを用いたPr2Ir2O7薄膜の作製および物性評価

△ [20p-B204-11] トポタクティック酸化を利用した単一配向 VO2 薄膜の作製

△ [20p-B204-12] 一軸圧縮熱処理による VxOyエピタキシャル薄膜のトポケミカル還元合成

△ [20p-B204-13] 真空紫外光照射によるエピタキシャル酸化コバルト薄膜の結晶相変化

[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [21a-B204-4] Ultra-sharp conductance change with proton potential in WO3 heterostructure

[21p-B204-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [21p-B204-11] Tunable exchange bias effect in manganese- and nickel-based artificial perovskite superlattice structures

▲ [21p-B204-15] Annealing effect on electrical conductivity in Sr3Cr2O7 epitaxial thin films

[22a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22p-P07-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

認証

△ [20a-B204-1] 第一原理計算によるルチル型TiO₂中の剪断面構造及び酸素空孔挙動の解析

△ [20a-B204-7] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(２)；
SnO2薄膜のスパッタ成膜条件とガス検知特性

△ [20a-B204-8] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(３)；
Pt あるいは Pd ナノ粒子担持 Al:ZnO 薄膜によるガスセンシング

△ [20p-B204-1] 溶液処理による超伝導Li_1–xNbO₂薄膜のLi組成制御

△ [20p-B204-2] 擬岩塩型Nb₃O₃エピタキシャル薄膜の超伝導

△ [20p-B204-3] 分子線エピタキシー法による高品質Sr₃Ru₂O₇薄膜の作製と評価

▼ [20p-B204-4] Deep-UV transparent conducting SrSnO₃ freestanding sheet using Al₂O₃ protection layer

△ [20p-B204-5] 分極界面を有するSrFeO₃/LaNiO₃ヘテロ構造の作製と伝導特性

△ [20p-B204-6] パルスレーザ堆積法によるGdMnO₃/LaNiO₃超格子構造の作製

△ [20p-B204-8] 角度分解光電子分光によるTi₂O₃薄膜のフェルミオロジー

▼ [20p-B204-9] AMoO₂ (A = Li, Na, K): Two-dimensional Mott insulators with tunable MoO₂ interlayer distance

△ [20p-B204-10] MBEと固相エピタキシーを用いたPr₂Ir₂O₇薄膜の作製および物性評価

△ [20p-B204-11] トポタクティック酸化を利用した単一配向 VO₂ 薄膜の作製

△ [20p-B204-12] 一軸圧縮熱処理による V_xO_yエピタキシャル薄膜のトポケミカル還元合成

▲ [21a-B204-4] Ultra-sharp conductance change with proton potential in WO₃ heterostructure

▲ [21p-B204-15] Annealing effect on electrical conductivity in Sr₃Cr₂O₇ epitaxial thin films