一般セッション(口頭講演)

[22a-F408-1~6] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2022年3月22日(火) 09:00 〜 11:30 F408 (F408)

小野円佳(北大/AGC)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:30

[22a-F408-1] [分科内招待講演] 国際ガラス年2022：国連採択経緯と実行委員会の活動計画

〇田部勢津久¹ (1.京大院人環)

09:30 〜 10:00

[22a-F408-2] [分科内招待講演] SDGs時代にガラス工房から学術界に望むこと

〇菅原裕輔¹ (1.菅原工芸硝子)

10:00 〜 10:30

[22a-F408-3] [分科内招待講演] 3D複雑形状を有するシリカガラスの光造形技術

〇藤野茂¹ (1.九州大学GIC)

10:30 〜 11:00

[22a-F408-4] [分科内招待講演] 日本製鉄におけるCCUS技術開発の取組み

〇西藤将之¹ (1.日本製鉄先端研)

11:00 〜 11:15

[22a-F408-5] ⁶⁰Co γ線照射した高純度α-石英における酸素欠陥生成

〇梶原浩一¹、Skuja Linards²、細野秀雄³ (1.都立大、2.Latvia大、3.東工大)

11:15 〜 11:30

[22a-F408-6] 酸フッ化物ガラスの構造とナノ結晶化メカニズム

〇篠崎健二^1,2、石井良樹^3,4、尾原幸治⁵ (1.産総研、2.JSTさきがけ、3.兵庫県立大、4.京大、5.JASRI)

一般セッション(口頭講演)

[22p-F408-1~14] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2022年3月22日(火) 13:00 〜 16:45 F408 (F408)

梶原浩一(都立大)、篠崎健二(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[22p-F408-1] シリコンナノ結晶を用いた水素，重水素，3重水素置換反応

〇牟桐¹、松本貴裕¹、金光義彦² (1.名市大、2.京都大)

13:15 〜 13:30

[22p-F408-2] 原子状水素処理による液相結晶化シリコン膜の低欠陥化

〇柳雄大¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大)

13:30 〜 13:45

[22p-F408-3] Cat-CVD水素化n-a-Si膜へのFLAにより形成した多結晶Si膜を用いた簡易裏面電極型Siヘテロ接合太陽電池の作製

〇王崢¹、Tu Huynh Thi Cam¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大)

13:45 〜 14:00

[22p-F408-4] 強磁性体含有ジョセフソン接合系複合体の合成と超伝導特性

〇寺町七海¹、瀬戸雄介¹、櫻井敬博¹、太田仁¹、大石一城²、坂口佳史²、幸田章宏³、大井修一⁴、立木実⁴、有沢俊一⁴、内野隆司¹ (1.神戸大理、2.CROSS、3.KEK、4.物材機構)

14:00 〜 14:15

△ [22p-F408-5] 超伝導体/半導体ナノ複合材料の合成と超伝導特性

〇(M1)橋本碧維¹、櫻井敬博¹、太田仁¹、内野隆司¹ (1.神戸大)

14:15 〜 14:30

△ [22p-F408-6] 縮退ZnO:Ga薄膜中のフェルミエッジ異常と励起子生成

〇田代愛佳¹、安達裕²、内野隆司¹ (1.神戸大理、2.物材機構)

14:30 〜 14:45

△ [22p-F408-7] 光非線形結晶化ガラスファイバの超低損失化

〇中村拓真¹、寺門信明¹、高橋儀宏¹、宮﨑孝道¹、藤原巧¹ (1.東北大院工)

15:00 〜 15:15

[22p-F408-8] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] Na₂Si₂O₅ガラスとの反応焼結によるNaZr₂(PO₄)₃のNa⁺伝導性の向上

〇冀咏錚¹、本間剛¹、小松高行¹ (1.長岡技科大)

15:15 〜 15:30

[22p-F408-9] レーザー照射によるNa₂FePO₄Fの非晶質化

〇(D)平塚雅史¹、本間剛¹、小松高行¹ (1.長岡技科大)

15:30 〜 15:45

[22p-F408-10] スズリン酸塩ガラスの特性と構造におけるボレート置換効果

〇渡部悠太¹、清水達貴¹、光井和輝¹、斎藤全¹ (1.愛媛大院理工)

15:45 〜 16:00

[22p-F408-11] リン酸塩ガラスにおけるヤング率: 最密充填モデルによる推定

〇清水達貴¹、斎藤全¹ (1.愛媛大院理工)

16:00 〜 16:15

[22p-F408-12] 銀添加リン酸塩ガラスにおけるラジオフォトルミネッセンス

〇正井博和¹、川本弘樹²、越水正典²、丸山伸伍²、松本祐司²、瀬戸山寛之³、溝口照康⁴ (1.産総研、2.東北大、3.SAGA-LS、4.東大)

16:15 〜 16:30

[22p-F408-13] 機械学習ポテンシャルを用いたNi-PおよびNi-Feアモルファス金属の形成シミュレーション

〇平山尚美¹ (1.島大NEXTA)

16:30 〜 16:45

[22p-F408-14] 微分ラマンスペクトルを用いた化学強化ガラスの構造調査

村井大地¹、〇寺門信明¹、高橋儀宏¹、藤原巧¹、折原秀治²、折原芳男² (1.東北大院工、2.（有）折原製作所)

一般セッション(口頭講演)

[23a-F408-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2022年3月23日(水) 09:00 〜 11:30 F408 (F408)

中岡俊裕(上智大)、齊藤雄太(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[23a-F408-1] 一軸圧縮法によるGa-Sb-Sn-S系ガラスの屈伏点近傍の粘弾性挙動

〇北村直之¹、角野広平²、森本智之³、徳永智信³ (1.産総研、2.京都工繊大、3.コニカミノルタ株式会社)

09:15 〜 09:30

[23a-F408-2] アモルファス硫化ゲルマニウムへの銀の光拡散ーXAFSおよびXPS測定による局所構造の研究III

〇坂口佳史¹、馬場祐治²、Mitkova Maria³ (1.CROSS、2.原子力機構、3.ボイジー州立大)

09:30 〜 09:45

[23a-F408-3] 反射分光法によるアモルファスセレン薄膜の評価

〇後藤民浩¹ (1.群馬大理工)

09:45 〜 10:00

△ [23a-F408-4] Ge-Te系不揮発周波数逓倍器の温度依存性とエンデュランス

〇(DC)殷ユウヒ¹、内田千尋¹、塚本慶人¹、林等¹、中岡俊裕¹ (1.上智理工)

10:00 〜 10:15

▼ [23a-F408-5] Pulsed Laser Induced Phase Transition in N-incorporated Cr₂Ge₂Te₆ Film

〇Yi Shuang¹、Shogo Hatayama²、Daisuke Ando²、Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ. (AIMR)、2.Tohoku Univ, (Eng))

10:30 〜 10:45

[23a-F408-6] 【注目講演】Hf-O-Te 系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現

〇畑山祥吾¹、齊藤雄太^1,2、内田紀行^1,2 (1.産総研、2.産総研-NEC 量子活用テクノロジー連携研究ラボ)

10:45 〜 11:00

[23a-F408-7] 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜

〇齊藤雄太¹、畑山祥吾¹、諸田美砂子¹ (1.産総研デバイス技術)

11:00 〜 11:15

[23a-F408-8] ラマン分光法を用いたMnTe薄膜のレーザー加熱による多形変化

〇金美賢¹、森竣祐¹、双逸²、安藤大輔¹、須藤祐司^1,2 (1.東北大工、2.東北大学材料科学高等研究所)

11:15 〜 11:30

[23a-F408-9] 熱歪みを受けたMnTe半導体薄膜の多形変化挙動

〇森竣祐¹、王吟麗¹、安藤大輔¹、成田史生²、須藤祐司^1,3 (1.東北大工、2.東北大環境、3.東北大材料科学高等研究所)

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[22a-F408-1~6] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22a-F408-1] [分科内招待講演] 国際ガラス年2022：国連採択経緯と実行委員会の活動計画

[22a-F408-2] [分科内招待講演] SDGs時代にガラス工房から学術界に望むこと

[22a-F408-3] [分科内招待講演] 3D複雑形状を有するシリカガラスの光造形技術

[22a-F408-4] [分科内招待講演] 日本製鉄におけるCCUS技術開発の取組み

[22a-F408-5] ⁶⁰Co γ線照射した高純度α-石英における酸素欠陥生成

[22a-F408-6] 酸フッ化物ガラスの構造とナノ結晶化メカニズム

[22p-F408-1~14] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-F408-1] シリコンナノ結晶を用いた水素，重水素，3重水素置換反応

[22p-F408-2] 原子状水素処理による液相結晶化シリコン膜の低欠陥化

[22p-F408-3] Cat-CVD水素化n-a-Si膜へのFLAにより形成した多結晶Si膜を用いた簡易裏面電極型Siヘテロ接合太陽電池の作製

[22p-F408-4] 強磁性体含有ジョセフソン接合系複合体の合成と超伝導特性

△ [22p-F408-5] 超伝導体/半導体ナノ複合材料の合成と超伝導特性

△ [22p-F408-6] 縮退ZnO:Ga薄膜中のフェルミエッジ異常と励起子生成

△ [22p-F408-7] 光非線形結晶化ガラスファイバの超低損失化

[22p-F408-8] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] Na₂Si₂O₅ガラスとの反応焼結によるNaZr₂(PO₄)₃のNa⁺伝導性の向上

[22p-F408-9] レーザー照射によるNa₂FePO₄Fの非晶質化

[22p-F408-10] スズリン酸塩ガラスの特性と構造におけるボレート置換効果

[22p-F408-11] リン酸塩ガラスにおけるヤング率: 最密充填モデルによる推定

[22p-F408-12] 銀添加リン酸塩ガラスにおけるラジオフォトルミネッセンス

[22p-F408-13] 機械学習ポテンシャルを用いたNi-PおよびNi-Feアモルファス金属の形成シミュレーション

[22p-F408-14] 微分ラマンスペクトルを用いた化学強化ガラスの構造調査

[23a-F408-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[23a-F408-1] 一軸圧縮法によるGa-Sb-Sn-S系ガラスの屈伏点近傍の粘弾性挙動

[23a-F408-2] アモルファス硫化ゲルマニウムへの銀の光拡散ーXAFSおよびXPS測定による局所構造の研究III

[23a-F408-3] 反射分光法によるアモルファスセレン薄膜の評価

△ [23a-F408-4] Ge-Te系不揮発周波数逓倍器の温度依存性とエンデュランス

▼ [23a-F408-5] Pulsed Laser Induced Phase Transition in N-incorporated Cr₂Ge₂Te₆ Film

[23a-F408-6] 【注目講演】Hf-O-Te 系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現

[23a-F408-7] 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜

[23a-F408-8] ラマン分光法を用いたMnTe薄膜のレーザー加熱による多形変化

[23a-F408-9] 熱歪みを受けたMnTe半導体薄膜の多形変化挙動

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[22a-F408-1~6] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-F408-1~14] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [22p-F408-5] 超伝導体/半導体ナノ複合材料の合成と超伝導特性

△ [22p-F408-6] 縮退ZnO:Ga薄膜中のフェルミエッジ異常と励起子生成

△ [22p-F408-7] 光非線形結晶化ガラスファイバの超低損失化

[23a-F408-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [23a-F408-4] Ge-Te系不揮発周波数逓倍器の温度依存性とエンデュランス

▼ [23a-F408-5] Pulsed Laser Induced Phase Transition in N-incorporated Cr2Ge2Te6 Film

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▼ [23a-F408-5] Pulsed Laser Induced Phase Transition in N-incorporated Cr₂Ge₂Te₆ Film