一般セッション(ポスター講演)

[15p-PA04-1~3] 13.3 絶縁膜技術

2023年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 PA04 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[15p-PA04-1] マンガンとバナジウムをドープしたシリコン窒化膜の電荷捕獲特性

〇諸星大樹¹、松本明莉¹、西垣祐汰¹、里中友哉²、伊藤勇十²、荒川裕樹²、阿部拓未²、小林清輝^1,2 (1.東海大院工、2.東海大工)

16:00 〜 18:00

[15p-PA04-2] 堆積後その場熱処理による低温酸化Si膜中残留OH基量の堆積温度依存性

〇普迪¹、堀田將¹ (1.北陸先端大)

16:00 〜 18:00

[15p-PA04-3] Si₃N₄膜とSiO₂膜中の2原子分子の安定位置での生成エネルギー

〇奥友希¹、戸塚正裕¹、佐々木肇¹ (1.三菱電機)

一般セッション(口頭講演)

[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2023年3月16日(木) 13:00 〜 17:45 B508 (2号館)

田岡紀之(名大)、山本芳樹(ルネサスエレクトロニクス)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:30

[16p-B508-1] [第44回優秀論文賞受賞記念講演] HfO₂-ZrO₂ Nanolaminate構造における強誘電相の生成促進

〇右田真司¹、太田裕之¹、浅沼周太郎¹、森田行則¹、鳥海明² (1.産総研、2.東大)

13:30 〜 13:45

[16p-B508-2] 最初の電界印加によって誘起されるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の伝導特性の変化および強誘電化

〇森田行則¹、女屋崇²、浅沼周太郎¹、太田裕之¹、右田真司¹ (1.産総研、2.東大)

13:45 〜 14:00

[16p-B508-3] 分極疲労時の強誘電体Hf_xZr_1−xO₂/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源

〇女屋崇^1,2,3,4、長田貴弘²、生田目俊秀²、山下良之²、塚越一仁²、森田行則³、太田裕之³、右田真司³、喜多浩之¹ (1.東大院新領域、2.物材機構、3.産総研、4.学振PD)

14:00 〜 14:15

[16p-B508-4] 機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO₂薄膜の残留分極値の増大の実証

〇井上辰哉¹、女屋祟²、喜多浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)

14:15 〜 14:30

[16p-B508-5] アニール時の機械的歪み導入によるHfO₂薄膜の強誘電相安定化効果

〇安田滉¹、女屋崇²、喜多浩之^1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)

14:30 〜 14:45

[16p-B508-6] 3.6 nm厚極薄膜Hf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体のwakeup特性の周波数依存性

〇川野麻琴¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大工)

14:45 〜 15:00

[16p-B508-7] 常誘電体キャパシタを接続した強誘電体キャパシタにおける“負性容量”に関する考察 (2)

〇鳥海明¹、右田真司² (1.自由業、2.産総研)

15:00 〜 15:15

[16p-B508-8] シリーズ抵抗をもった強誘電体キャパシタにおける“負性容量”に関する考察

〇鳥海明¹、右田真司² (1.自由業、2.産総研)

15:30 〜 15:45

△ [16p-B508-9] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面への原子層挿入による積層順序制御効果の検証

〇田村敦史¹、喜多浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)

15:45 〜 16:00

△ [16p-B508-10] Al₂O₃低温成膜化によるInGaAs界面準位密度低減メカニズムの解明

〇中村圭吾¹、新井龍志¹、大塚悠介¹、松本良輔¹、押山到¹、吉田慎一¹、平野智之¹、岩元勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

16:00 〜 16:15

△ [16p-B508-11] プラズマALDのPO_x成膜によるInGaAs界面準位低減検討

〇大塚悠介¹、中村圭吾¹、新井龍志¹、松本良輔¹、押山到¹、吉田慎一¹、平野智之¹、岩元勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

16:15 〜 16:30

△ [16p-B508-12] 非晶質材料のELNESスペクトル解釈における局所原子構造の新指標

〇湯澤佑介¹、浅野孝典¹、河合宏樹¹、中村健二¹、萩島大輔¹、田中洋毅¹ (1.キオクシア)

16:30 〜 16:45

[16p-B508-13] 極薄積層絶縁膜の深さ方向膜質評価

〇棚橋優策¹、井上敬子¹、関洋文¹ (1.東レリサーチセンター)

16:45 〜 17:00

[16p-B508-14] Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討

〇影島博之¹、秋山亨²、白石賢二³ (1.島根大、2.三重大、3.名古屋大)

17:00 〜 17:15

[16p-B508-15] シリコン窒化膜の電子捕獲特性に対する熱処理の影響

〇王祖豪¹、木本健嗣³、中川宗一郎¹、指田光弘²、中村健人²、藤野郁弥²、前島邦光³、小林清輝^1,2 (1.東海大院工、2.東海大工、3.電子科学(株))

17:15 〜 17:30

[16p-B508-16] 2段階酸化によるGeO₂膜の作製と評価

〇(M1)斉藤基¹、土屋雄太¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

17:30 〜 17:45

[16p-B508-17] p型Ge基板上に低温堆積したAl₂O₃薄膜の電気特性

横平達哉¹、山田大地¹、大川敦輝²、佐藤哲也²、〇王谷洋平¹ (1.諏訪東理大、2.山梨大)

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[16p-B508-4] 機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO₂薄膜の残留分極値の増大の実証

[16p-B508-5] アニール時の機械的歪み導入によるHfO₂薄膜の強誘電相安定化効果

[16p-B508-6] 3.6 nm厚極薄膜Hf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体のwakeup特性の周波数依存性

[16p-B508-7] 常誘電体キャパシタを接続した強誘電体キャパシタにおける“負性容量”に関する考察 (2)

[16p-B508-8] シリーズ抵抗をもった強誘電体キャパシタにおける“負性容量”に関する考察

△ [16p-B508-9] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面への原子層挿入による積層順序制御効果の検証

△ [16p-B508-10] Al₂O₃低温成膜化によるInGaAs界面準位密度低減メカニズムの解明

△ [16p-B508-11] プラズマALDのPO_x成膜によるInGaAs界面準位低減検討

△ [16p-B508-12] 非晶質材料のELNESスペクトル解釈における局所原子構造の新指標

[16p-B508-13] 極薄積層絶縁膜の深さ方向膜質評価

[16p-B508-14] Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討

[16p-B508-15] シリコン窒化膜の電子捕獲特性に対する熱処理の影響

[16p-B508-16] 2段階酸化によるGeO₂膜の作製と評価

[16p-B508-17] p型Ge基板上に低温堆積したAl₂O₃薄膜の電気特性

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△ [16p-B508-9] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面への 原子層挿入による積層順序制御効果の検証

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