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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

一般セッション(口頭講演)

[20a-E303-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 10:30 〜 11:45 E303 (E303)

山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:30 〜 10:45

[20a-E303-1] BaSi₂融液から発生する蒸気組成の理論解析

〇原康祐¹、山中淳二¹、有元圭介¹ (1.山梨大)

10:45 〜 11:00

[20a-E303-2] 真空蒸着でのBaSi₂成膜における基板加熱条件の影響

〇(M1)矢澤大典¹、原康祐¹、山中淳二¹、有元圭介¹ (1.山梨大工)

11:00 〜 11:15

[20a-E303-3] 熱電発電応用に向けた Si 基板上 BaSi2 薄膜

〇石部貴史¹、近田尋一郎¹、谷内卓²、山下雄大²、佐藤拓磨²、末益崇²、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.筑波大院)

11:15 〜 11:30

[20a-E303-4] Mg₂Siバルク単結晶を用いた吸収係数評価とPDの外部量子効率

〇宮内壮流¹、高橋史也¹、新岡大介¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大工)

11:30 〜 11:45

▲ [20a-E303-5] Optical and Electrical Characterizations of Ge Type II Clathrate Films Grown on Sapphire Substrate

〇(D)Rahul Kumar¹、 T. Maeda²、 R. Tanahashi²、 Y. Hazama²、 F. Ohashi²、 H. S. Jha²、 T. Kume^1,2 (1.Div. of Environmental and Renewable Energy Systems, Graduate School of Engineering, Gifu University、2.Department of Electrical, Electronic & Computer Engineering, Gifu University)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:45 E303 (E303)

鵜殿治彦(茨城大)、寺井慶和(九工大)、原康祐(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[20p-E303-1] スパッタリング法によるC-doped BaSi₂の作製と特性評価

〇根本泰良¹、佐藤拓磨¹、召田雅実²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.東ソー株式会社)

14:00 〜 14:15

[20p-E303-2] n-Ru₂Si3/p-Si pn 接合素子の作製と光応答特性

〇西大樹¹、瀬戸島健太¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

14:15 〜 14:30

[20p-E303-3] 二元同時スパッタ法で作製したAeSi₂膜の作製

〇青山航大¹、清水荘雄¹、倉持豪人²、召田雅実²、秋池良²、井手啓介¹、片瀬貴義¹、神谷利夫¹、木村好里¹、舟窪浩¹ (1.東京工業大学、2.東ソー株式会社アドバンスマテリアル研究所)

14:30 〜 14:45

[20p-E303-4] スパッタリングを用いたAlScN膜の形成

〇蔡松霖¹、草深一樹¹、星井拓也¹、若林整¹、筒井一生²、角嶋邦之¹ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院)

15:00 〜 15:15

▼ [20p-E303-5] Investigation of hydrogen states in semiconducting BaSi2 by muon spin rotation

〇(D)Zhihao Xu¹、 Takuma Sato¹、 Jumpei Nakamura²、 Akihiro Koda²、 koichiro Shimomura²、 Takashi Suemasu¹ (1.Univ. Tsukuba、2.KEK)

15:15 〜 15:30

[20p-E303-6] PL法によるp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池のB-doped p-BaSi₂層欠陥評価

〇杉山稜汰¹、山下雄大¹、 Deng Tianguo¹、 Xu Zhihan¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

15:30 〜 15:45

▲ [20p-E303-7] Study of defects in p-type diamond semiconductor by photocurrent and photoluminescence spectroscopy

〇(D)Junjie Guo^1,2、 Aboulaye Traore¹、 Muhammad Hafiz Bin Abu Bakar^1,2、 Toshiharu Makino^1,2、 Satoshi Yamasaki^1,2、 Masahiko Ogura²、 Takeaki Sakurai¹ (1.univ. Tsukuba、2.inst. AIST)

15:45 〜 16:00

[20p-E303-8] 銅系化合物薄膜のアルカリ金属効果

〇石塚尚吾¹、田口昇¹、金信浩¹、西永慈郎¹、上川由紀子¹ (1.産総研)

16:00 〜 16:15

△ [20p-E303-9] 位相シフト電子線ホログラフィーを用いた動作時p-n接合ダイオードの電位・電場・電荷密度その場計測

〇(P)穴田智史¹、山本和生¹、佐々木宏和²、柴田直哉^1,3、堀祐臣²、衣川耕平²、今村明博²、平山司¹ (1.JFCC、2.古河電工、3.東大)

16:30 〜 16:45

[20p-E303-10] As-doped n-BaSi₂膜の光学特性評価

〇青貫翔¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

16:45 〜 17:00

[20p-E303-11] 溶融成長したMg₂Si結晶中のAg濃度と正孔濃度の評価

〇郷州桂伍¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

17:00 〜 17:15

[20p-E303-12] MBE成長時の基板温度がB-doped BaSi₂膜の特性に与える影響

〇杉山周¹、山下雄大¹、 Xu Zhihao¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

17:15 〜 17:30

[20p-E303-13] SrSi₂の熱電特性に対するBa置換効果

〇今井基晴¹、シンシバ¹ (1.物材機構)

17:30 〜 17:45

△ [20p-E303-14] 金属有機構造体(MOF)へのゲスト分子ドーピングに関する理論的研究

〇森田巧^1,2、高相圭¹、山崎隆浩²、奈良純²、田中喜典²、大野隆央²、木下健太郎¹ (1.東理大理、2.物材機構)

一般セッション(ポスター講演)

[21a-PA3-1~7] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月21日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第一体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[21a-PA3-1] Sb 添加β-FeSi₂ エピタキシャル膜におけるSi/Fe 組成比の最適化

〇木下涼太¹、阿部光希¹、江口元¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-2] Si/β-FeSi₂複合薄膜の熱処理温度が交流伝導率の周波数特性に及ぼす影響

〇(M2)齊藤佑太¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-3] Mg₂Si_1-xSn_x薄膜の結晶構造及び電気特性の熱処理条件依存性

〇(M2)布施翔太郎¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-4] Mg₂Siフォトダイオードのライフタイムと拡散長の温度依存性

〇高橋史也¹、新岡大介¹、宮内壮流¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-5] BaSi₂におけるポストアニールが光学特性に及ぼす影響

〇伯ゆりか¹、佐藤拓磨¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-6] 蒸着中の原料状態がBaSi₂薄膜の品質に与える影響

〇(M1)西尾聡馬¹、内藤友紀¹、西野克志¹ (1.徳島大)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-7] SiCにおける時間分解PTD信号の不純物による差異

〇原田慎太郎¹、香西貴典¹、藤原健志¹、鄭涛¹、小西智也¹、釜野勝¹ (1.阿南高専)

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