^○（PC）山本卓^1,3，ChristophMuller²，LiamMcguinness²，寺地徳之¹，BorisNaydenov²，小野田忍³，大島武³，小泉聡¹，JorgWrachtrup⁴，JunichiIsoya⁵，FedorJelezko² (物材機構¹，ウルム大²，原子力機構³，シュツットガルト大⁴，筑波大⁵)

09:30 〜 11:30

[19a-PG1-10] 信号電流増幅機能を有するCVDダイヤモンド検出器構造の検討

^○森裕章，毎田修，伊藤利道 (阪大院工)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[17a-D6-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [17a-D6-3] パルスバイアス電圧印加高周波プラズマCVD法による水素化アモルファス炭素膜の構造変化

△ [17a-D6-9] 軟X線照射による水素化DLC膜の屈折率・消光係数の変化

▲ [17a-D6-11] マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法によるオールカーボン太陽電池

[17p-D6-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [17p-D6-4] アモルファス窒化炭素薄膜の電気伝導度に及ぼす熱履歴の影響

△ [17p-D6-5] アモルファス窒化炭素薄膜における光応答速度の作製温度依存性

△ [17p-D6-8] 低圧化学気相成長法によるグラフェン成長過程の反射高速電子回折その場観察

△ [17p-D6-9] アモルファスカーボンの触媒金属支援熱処理によるSi2上へのグラフェンの成長

△ [17p-D6-11] 同軸型アークプラズマ堆積法により作製されたホウ素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド混相膜の電気特性と化学結合構造

[18a-D6-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-D6-2] 先端放電型プラズマCVDを用いたβ-SiC上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長

△ [18a-D6-3] 通電加熱陰極を用いた直流プラズマCVD装置によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの長時間成長

△ [18a-D6-4] ボトムアップ法を用いたダイヤモンドの選択成長

△ [18a-D6-10] ダイヤモンドNV中心の高電界下における電界効果

[18p-D6-1~19] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-D6-2] 熱処理により表面伝導を回復した(111)ダイヤモンドの表面構造

△ [18p-D6-4] CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察

△ [18p-D6-5] エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅴ

△ [18p-D6-8] C-HダイヤモンドMOSFETの10-673K動作特性

△ [18p-D6-9] 重水を用いた原子層堆積(ALD)法によるAl2O3膜電気的絶縁耐圧の向上

△ [18p-D6-10] ALD-Al2O3水素終端ダイヤモンドMOSFETの高耐圧化

△ [18p-D6-12] ケルビンプローブ顕微鏡を用いた高濃度n型ダイヤモンドの表面電位の評価

▼ [18p-D6-13] Normally-off HfO2/diamond field effect transistors fabrication

▲ [18p-D6-14] WC/p-diamond Schottky Diode Behaviour at High Temperature

△ [18p-D6-16] ボロンドープチャネルを用いたフッ素終端電解質溶液ゲートFETの作成

△ [18p-D6-17] 球型共振器構造マイクロ波プラズマCVD装置による高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)の超伝導

[19a-PG1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [19a-PG1-4] ヨウ素ドーピングを施したa-C:H薄膜の電気伝導率評価

△ [17p-D6-9] アモルファスカーボンの触媒金属支援熱処理によるSi₂上へのグラフェンの成長

△ [18p-D6-9] 重水を用いた原子層堆積(ALD)法によるAl₂O₃膜電気的絶縁耐圧の向上

△ [18p-D6-10] ALD-Al₂O₃水素終端ダイヤモンドMOSFETの高耐圧化