〇Guangwei Cong¹, Takashi Matsukawa¹, Keijiro Suzuki¹, Ken Tanizawa¹, Sanghun Kim¹, Tadashi Chiba¹, Hirofumi Tadokoro¹, Masashi Yanagihara¹, Morifumi Ohno¹, Haruhiko Kuwatsuka¹, Yasushi Igarashi¹, Meishoku Masahara¹, Hiroshi Ishikawa¹, Kazuhiro Ikeda¹, Namiki Shu¹, Yamada Koji¹, Hitoshi Kawashima¹ (1.AIST)

14:30 〜 14:45

△ [13p-2S-4] インターリーブ型PN接合を有するシリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器

〇本間洋行¹、ゴータムラジディープ¹、荒川太郎¹、國分泰雄¹ (1.横国大院工)

14:45 〜 15:00

▲ [13p-2S-5] Observation of Raman Scattering in a silicon photonics crystal waveguide with p-i-n diode structure

〇(M2)Wei Wang¹, Yihua Hsiao¹, Satoshi Iwamoto^1,2, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.IIS. Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine. Univ. of Tokyo)

休憩（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[13p-2S-6] Si フォトニック結晶光変調器の周波数特性(II)

〇寺田陽祐¹、雛倉陽介¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

15:30 〜 15:45

[13p-2S-7] Siフォトニック結晶変調器におけるスローライト効果の増大

〇雛倉陽介¹、寺田陽祐¹、田村卓也¹、長谷川仁彦¹、新井宏之¹、馬場俊彦¹ (1.横浜国大院工)

15:45 〜 16:00

[13p-2S-8] Siフォトニック結晶小型シリコン多値変調器の検討

〇北條惠子¹、寺田陽祐¹、雛倉陽介¹、矢澤直哉¹、渡邊友彦¹、馬場俊彦¹ (1.横国大・院工)

16:00 〜 16:15

[13p-2S-9] 対称および非対称構造MOS型Si光変調器のキャリア蓄積モードによる高効率動作の検討

〇野口将高¹、藤方潤一¹、高橋重樹¹、高橋正志²、中村隆宏¹ (1.PETRA、2.産総研)

16:15 〜 16:30

[13p-2S-10] イコライザを装荷した PIN 型 25-Gb/s シリコン変調器の諸特性

馬場威¹、秋山傑¹、今井雅彦¹、〇臼杵達哉¹ (1.光電子融合基盤技術研究所)

休憩（16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

[13p-2S-11] pn接合付きSiフォトニック結晶導波路を用いたアバランシェフォトダイオード動作

〇宮坂健司¹、寺田陽祐¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

17:00 〜 17:15

△ [13p-2S-12] Siフォトニクス光相関計のオンチップ動作

〇衣笠駿¹、石倉徳洋¹、伊藤寛之¹、矢澤直哉¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

17:15 〜 17:30

▲ [13p-2S-13] Wavelength conversion in the Ta₂O₅ based submicron channel waveguide

Chung-Lun Wu¹, Yi-Jen Chiu¹, Cong-Long Chen¹, Yuan-Yao Lin¹, Ann-Kuo Chu¹, 〇Chao-Kuei Lee¹ (1.Department of Photonics, National Sun Yat-sen University)

17:30 〜 17:45

△ [13p-2S-14] 微細トップゲート構造によるシリコン導波型グラフェン光変調器

〇堀洋輔¹、高磊^2,3、土澤泰^2,3、田邉真一³、小林弓月¹、原田裕一⁴、日比野浩樹⁴、山本剛³、山田浩治^2,3、中島啓幾¹ (1.早大先進理工、2.NTT NPC、3.NTT 先端集積デバイス研、4.NTT 物性基礎研)

17:45 〜 18:00

△ [13p-2S-15] 単層グラフェンを集積したシリコンリング共振器による神経伝達物質の高感度検出

〇(M2)小林弓月¹、高磊^2,3、井上鈴代³、土澤泰^2,3、上野祐子⁴、鈴木哲⁴、日比野浩樹⁴、山本剛³、山田浩治^2,3、中島啓幾¹ (1.早大先進理工、2.NTT NPC、3.NTT 先端集積デバイス研、4.NTT 物性基礎研)

一般セッション(口頭講演)

[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

2015年9月14日(月) 09:15 〜 12:15 2N (224-2(北側))

座長:臼杵達哉(PETRA),竹中充(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

[14a-2N-1] LEDとSi太陽電池を近接対向させただけの新型電流増幅デバイス

〇岡本研正¹、黒田伸仁¹ (1.LBCコーポレーション)

09:30 〜 09:45

▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO₂ Single Quantum Wells

〇(B)Cassia Azevedo¹, Yuki Miyata¹, Yasunori Nakamukai¹, Yasushi Osikane¹, Kentaro Kawai¹, Kenta Arima¹, Mizuho Morita¹ (1.Osaka Univ.)

09:45 〜 10:00

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substrate
for Mid-Infrared Photonics

〇(D)Jian Kang^1,2, Xiao Yu^1,2, Mitsuru Takenaka^1,2, Shinichi Takagi^1,2 (1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST)

10:00 〜 10:15

[14a-2N-4] GOIマイクロディスクにおけるHigh-Q値共振フォトルミネセンス

〇橋本秀明¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

10:15 〜 10:30

[14a-2N-5] 中空ゲルマニウム十字構造を用いた２軸性伸張歪の増強

〇石田悟己¹、加古敏^1,2、小田克矢³、岩本敏^1,2、荒川泰彦^1,2 (1.東大生研・先端研、2.東大ナノ量子機構、3.日立研開)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [14a-2N-6] n型ドーピングされたＧｅ導波路の光伝搬特性

〇奥村忠嗣¹、小田克矢¹、葛西淳一¹、佐川みすず¹、諏訪雄二¹ (1.日立研開)

11:00 〜 11:15

[14a-2N-7] 時間分解発光法を用いたSi上Ge成長膜の両極性拡散係数の評価

〇加古敏^1,2、石田悟己¹、小田克矢³、荒川泰彦^1,2 (1.東大生研・先端研、2.東大ナノ量子機構、3.日立研開)

11:15 〜 11:30

[14a-2N-8] 円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入

〇安武裕輔^1,2、太野垣健^3,4、大川洋平¹、矢口裕之⁵、金光義彦³、深津晋¹ (1.東大院総合、2.JSTさきがけ、3.京大化研、4.産総研、5.埼玉大院理工)

11:30 〜 11:45

[14a-2N-9] GE-PON向けバットジョイントGe-PIN-PD

〇小野英輝¹、下山峰史¹、奥村滋一¹、今井雅彦¹、八重樫浩樹¹ (1.PETRA)

11:45 〜 12:00

[14a-2N-10] Ge選択成長におけるSiO₂マスク上への横方向成長促進

〇(M2)八子基樹¹、水野泰孝¹、河合直行¹、和田一実¹ (1.東大院工)

12:00 〜 12:15

[14a-2N-11] 選択成長Siキャップ層適用低暗電流Ge受光器の開発

〇奥村滋一¹、木下啓藏¹、藤方潤一¹、下山峰史¹、小野英輝¹、田中有¹、森戸健¹、堀川剛¹、最上徹¹ (1.PETRA)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-PA4-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

2015年9月14日(月) 13:30 〜 15:30 PA4 (イベントホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-1] 220nm厚コアSi細線導波路を使用した偏波無依存波長フィルタの検討

〇岡山秀彰^1,2、太縄陽介^1,2、志村大輔^1,2、八重樫浩樹^1,2、佐々木浩紀^1,2 (1.沖電気、2.PETRA)

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-2] TM0-TE1偏波変換器とパワー分岐素子を使用した偏波ダイバーシティ用Si光導波路素子

〇岡山秀彰^1,2、太縄陽介^1,2、志村大輔^1,2、八重樫浩樹^1,2、佐々木浩紀^1,2 (1.沖電気、2.PETRA)

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-3] 二重リング共振器直列接続広帯域 C バンド選択波長可変光フィルタの解析

〇三橋頼人¹、横井裕人¹、松島裕一²、石川浩¹、宇髙勝之¹ (1.早大基幹理工、2.GCS 機構)

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-4] III-V-OI基板のパターニングによるボイド低減の検討

〇高島成也^1,2、一宮佑希^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

13:30 〜 15:30

△ [14p-PA4-5] 貼り合せMOS型光変調器実現に向けたAl₂O₃/HfO₂界面によるボイド低減手法の検討

〇(DC)韓在勲^1,2,3、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST、3.学振DC1)

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-6] スロット導波路の温度無依存化とリング共振器応用

〇雨宮嘉照¹、サナアムリタクマル¹、谷口智哉¹、横山脩平¹、野田和希¹、千日拓馬¹、横山新¹ (1.広島大)

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-7] Alマスクを用いたスポットサイズコンバータの製作と評価

〇千日拓馬¹、中島悠人¹、雨宮嘉照¹、田部井哲夫¹、横山新¹ (1.広大ナノデバイス)

13:30 〜 15:30

[14p-PA4-8] Ta₂O₅シングルモード光導波路の作製及び評価

〇(M2)矢木晨太郎¹、丸山武男¹、飯山宏一¹ (1.金沢大院自然科学)

13:30 〜 15:30

▲ [14p-PA4-9] High quality factor Ta₂O₅ based micro-ring resonator

Chung-Lun Wu¹, Ting-Wei Liao¹, Yi-Jen Chiu¹, Yuan-Yao Lin¹, Ann-Kuo Chu¹, 〇Chao-Kuei Lee¹ (1.Department of Photonics, National Sun Yat-sen University)

セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

[13a-2S-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [13a-2S-8] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの直接変調応答

[13p-2S-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [13p-2S-3] Investigation of high-frequency pulse width modulation of thermo-optic phase shifters using monolithically integrated MOSFET on silicon photonics platform

△ [13p-2S-4] インターリーブ型PN接合を有するシリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器

▲ [13p-2S-5] Observation of Raman Scattering in a silicon photonics crystal waveguide with p-i-n diode structure

△ [13p-2S-12] Siフォトニクス光相関計のオンチップ動作

▲ [13p-2S-13] Wavelength conversion in the Ta2O5 based submicron channel waveguide

△ [13p-2S-14] 微細トップゲート構造によるシリコン導波型グラフェン光変調器

△ [13p-2S-15] 単層グラフェンを集積したシリコンリング共振器による神経伝達物質の高感度検出

[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO2 Single Quantum Wells

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substratefor Mid-Infrared Photonics

△ [14a-2N-6] n型ドーピングされたＧｅ導波路の光伝搬特性

[14p-PA4-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [14p-PA4-5] 貼り合せMOS型光変調器実現に向けたAl2O3/HfO2界面によるボイド低減手法の検討

▲ [14p-PA4-9] High quality factor Ta2O5 based micro-ring resonator

認証

▲ [13p-2S-13] Wavelength conversion in the Ta₂O₅ based submicron channel waveguide

▲ [14a-2N-2] Photoluminescence in Si/SiO₂ Single Quantum Wells

▲ [14a-2N-3] Demonstration of Ge Waveguide on Ge-on-Insulator Substrate
for Mid-Infrared Photonics

△ [14p-PA4-5] 貼り合せMOS型光変調器実現に向けたAl₂O₃/HfO₂界面によるボイド低減手法の検討

▲ [14p-PA4-9] High quality factor Ta₂O₅ based micro-ring resonator