一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:00 〜 09:30
〇西村 知紀1、矢嶋 赳彬1、鳥海 明1 (1.東大)
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09:30 〜 09:45
〇Jihee Jeon1、Akihiro Suzuki1,2、Kouta Takahashi1,2、Osamu Nakatsuka1,3、Shigeaki Zaima4 (1.Grad. Sc. of Eng., Nagoya Univ.、2.Research Fellow of JSPS、3.IMASS, Nagoya Univ.、4.IIFS, Nagoya Univ.)
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09:45 〜 10:00
〇千賀 一輝1、中塚 理1,2、鈴木 陽洋1,3、坂下 満男1、財満 鎭明1,4 (1.名古屋大院工、2.名古屋大未来研、3.学振特別研究員、4.名古屋大未来社会創造機構)
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10:00 〜 10:15
〇(M2)小林 弘人1、横川 凌1,2、木下 晃輔1、沼沢 陽一郎1、小掠 厚志1、西澤 伸一3、更屋 拓也4、伊藤 一夫4、高倉 俊彦4、鈴木 慎一4、福井 宗利4、竹内 潔4、平本 俊郎4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.九州大工、4.東京大工)
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10:15 〜 10:30
〇金澤 力斗1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)
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10:30 〜 10:45
〇山本 将輝1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)
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10:45 〜 11:00
〇平永 良臣1、長 康雄1 (1.東北大通研)
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11:00 〜 11:15
〇(M1)平野 友貴1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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11:15 〜 11:30
〇(M2)近藤 史康1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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11:30 〜 11:45
〇仲江 航平1、薛 飛達1、山本 圭介1、王 冬1、中島 寛2、Zhang Miao3、Xue Zhongying3、Di Zengfeng3 (1.九大総理工、2.九大GIC、3.中国科学院SIMIT)
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11:45 〜 12:00
〇(M1)菱田 貴史1、梁 剣波1、重川 直輝1 (1.大阪市大院工)
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