一般セッション(口頭講演)

[19p-E204-1~12] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E204 (E204)

荒井昌和(宮崎大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

△ [19p-E204-1] 光無線給電におけるフライアイレンズへの光照射位置ずれ耐性評価

〇勝田優輝¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

14:00 〜 14:15

[19p-E204-2] 光無線給電におけるフライアイレンズへの複数光源入射条件の最適化

〇勝田優輝¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

14:15 〜 14:30

▲ [19p-E204-3] Improvement of appearance by scattering to color filters on solar cell for OWPT

〇(M1)Liu Yu¹、 Tomoyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

14:30 〜 14:45

▼ [19p-E204-4] Light Receiving Characteristics in case of Air to Underwater Optical Wireless Power Transmission

〇(M1)Jiaying Li¹、 Tomoyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

15:00 〜 15:15

▲ [19p-E204-5] Numerical analysis of power generation characteristics in beam direction control of indoor optical wireless power transmission using mirror

〇(M1)Jing Tang¹、 Tomoyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

15:15 〜 15:30

▲ [19p-E204-6] Demonstration of Optical Wireless Power Transmission to Moving Object Using Infrared LED Marker in Dark Environment

〇(D)Alexander William Setiawan Putra¹、 Hirotaka Kato¹、 Takeo Maruyama¹ (1.Kanazawa University)

15:30 〜 15:45

▲ [19p-E204-7] Optimization of LED-based Optical Wireless Power Transmission for Compact IoT

〇(D)Yuhuan Zhou¹、 Tomoyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

15:45 〜 16:00

[19p-E204-8] 小型電子機器のワイヤレス充電に関する一検討

〇内山直美¹、山田博仁¹ (1.東北大学)

16:15 〜 16:30

[19p-E204-9] 分布ブラッグ反射器を有する半導体薄膜光検出器の感度特性評価

〇(M2)齋藤孝一¹、鄭叙¹、吉田崇将¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

16:30 〜 16:45

[19p-E204-10] 高Al組成AlGaN半導体を用いる波長選択型紫外光検出器の開発

〇(M2)奥村貴大¹、鳥羽隆一²、田邉匡生¹、大橋隆宏²、小山裕¹ (1.東北大院工、2.東北大院環)

16:45 〜 17:00

△ [19p-E204-11] Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果

〇井筒由紀¹、田中駿¹、梁剣波¹、楢崎友城¹、西村悠陽¹、金大貴¹、重川直輝¹ (1.大阪市大工)

17:00 〜 17:15

[19p-E204-12] フェムト秒パルスX線励起に対するGaAsの高速近赤外光応答

〇(M1)近藤啓介^1,2、西村渉^1,2、鈴木基寛³、安田伸広³、福山祥光³、久保田雄也^2,3、富樫格^2,3、長谷川尊之¹、田中義人^1,2 (1.兵県大院物質理、2.理研/SPring-8、3.高輝度光科学研究センター)

一般セッション(口頭講演)

[20a-E204-1~8] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月20日(金) 09:00 〜 11:15 E204 (E204)

丸山武男(金沢大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-E204-1] 拡散反射構造による量子ドット赤外線検出器の比検出能向上

〇五十嵐悠一^1,2、澁谷泰蔵^1,2、角田雅弘²、北川佳廣^1,2、佐藤哲朗^1,2、渋谷明信^1,2、白根昌之^1,2、荒川泰彦² (1.NECシスプラ研、2.東大ナノ量子機構)

09:15 〜 09:30

[20a-E204-2] Control of optical absorption due to intersubband by using PN junction

〇Shinichirou Gozu¹ (1.AIST)

09:30 〜 09:45

▲ [20a-E204-3] Reducing Dark Current Mechanisms for Barrier Infrared Photodetector Using Type II InAs/GaSb Superlattices

〇(DC)Yen Thi Le¹、 Kamakura Yoshinari²、 Mori Nobuya¹ (1.Osaka Univ.、2.OIT Inst.)

09:45 〜 10:00

△ [20a-E204-4] 【注目講演】転写技術による表面照射型近赤外InGaAs PhotoFET

〇(B)大石和明^1,2、石井裕之²、張文馨²、清水鉄司²、石井寛仁^1,2、遠藤聡¹、藤代博記¹、前田辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

10:15 〜 10:30

[20a-E204-5] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける回折格子形成領域位置の検討

〇谷口巧樹¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大理工)

10:30 〜 10:45

[20a-E204-6] 共振点シフトDFB-LDのレーザー特性に及ぼす回折格子の結合係数と形状の影響

〇二河一太郎¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大理工)

10:45 〜 11:00

[20a-E204-7] 領域界面に位相シフトを導入した共振点シフト DFB-LDにおける前方／後方端面光出力比の向上

〇厳成¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大)

11:00 〜 11:15

[20a-E204-8] 結合係数の異なる領域を有する共振点シフト DFB-LDにおける前方／後方端面光出力比の向上

〇吉村大樹¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大理工)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:00 E204 (E204)

沼居貴陽(立命館大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[20p-E204-1] 1550nm帯量子ドットの組成混晶化領域分け技術を用いたレーザの作製

〇(M2)伊澤昌平¹、森田凌介¹、金子瑠那¹、岡田博一¹、松本敦²、赤羽浩一²、松島裕一¹、石川浩¹、宇高勝之¹ (1.早大理工、2.情通機構)

14:00 〜 14:15

[20p-E204-2] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製

〇石川裕介¹、荒川亮太¹、神林大介¹、成塚重弥¹、今井大地¹、宮嶋孝夫¹ (1.名城大理工)

14:15 〜 14:30

[20p-E204-3] 非平衡グリーン関数を用いたシミュレーションによる量子カスケードレーザの利得向上

〇谷村景貴¹、高木茂行¹、角野努²、橋本玲²、金子桂²、斎藤真司² (1.東京工科大工、2.東芝)

14:30 〜 14:45

△ [20p-E204-4] プロトン注入による3次元的抵抗・吸収制御型高効率VCSELの設計

〇坂元駿斗¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

15:00 〜 15:15

[20p-E204-5] 波長掃引型光コヒーレンストモグラフィー光源応用に向けたInAs量子ドットベース1.1 µm帯波長可変レーザーの特性評価

〇尾崎信彦¹、 Childs David²、 Boldin Aleksandr²、大里啓孝³、渡辺英一郎³、池田直樹³、杉本喜正³、 Hogg Richard² (1.和歌山大シス工、2.グラスゴー大、3.物材機構)

15:15 〜 15:30

[20p-E204-6] カットオフ波長制御構造を用いたVCSEL と光偏光器の横方向集積

〇鷹箸雅司¹、志村京亮¹、顧暁冬¹、中濱正統¹、松谷晃宏²、坂口孝浩¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

15:30 〜 15:45

[20p-E204-7] MEMS VCSELとVCSELビーム偏向器の集積デバイス

〇太田浩紀¹、顧暁冬¹、坂口孝弘¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研)

16:00 〜 16:15

[20p-E204-8] Penrose微小共振器の波動カオスモード

〇福嶋丈浩¹ (1.岡山県立大情報工)

16:15 〜 16:30

[20p-E204-9] Fox-Li法を用いた微小光共振器の軸ずれの影響検討

〇鈴木雄太¹、北川雄真¹、手塚信一郎¹ (1.横河電機)

16:30 〜 16:45

[20p-E204-10] InGaP/ITO 界面における熱処理効果

〇(M1)崎原盛偉¹、梁剣波¹、重川直輝¹ (1.大阪市大工)

16:45 〜 17:00

△ [20p-E204-11] CaイオンをドナーとするNaCl結晶を用いた透明半導体の作製と評価

〇(M2)姚昌平¹、寺門悠樹¹、川添忠¹、田所貴志¹ (1.電機大)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PA3 (第一体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[19a-PA3-1] 直接貼付InP/Si基板上表面二電極構造MQW レーザの発振特性

〇韓旭¹、松浦正樹¹、対馬幸樹¹、石崎隆浩¹、白井琢人¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-2] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの温度依存性

〇石崎隆浩¹、韓旭¹、松浦正樹¹、対馬幸樹¹、白井琢人¹、下村和彦¹ (1.上智大学)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-3] InP基板及び直接貼付InP/Si基板上自己形成InAs量子ドットのPL特性について

〇白井琢人¹、韓旭¹、松浦正樹¹、石崎隆浩¹、対馬幸樹¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-4] 波長掃引光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットの光利得評価

〇辻敏弥¹、尾上克也¹、生野大吾¹、尾崎信彦¹、大里啓孝²、渡辺英一郎²、池田直樹²、杉本喜正²、 D. T. D. Childs³、 R. A. Hogg³ (1.和歌山大シス工、2.物材機構、3.グラスゴー大)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-5] Photoluminescence spectroscopy of selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW structure
on wafer bonded InP/Si substrate

〇Koki Tsushima¹、 Takahiro Ishizaki¹、 Xu Han¹、 Masaki Matsuura¹、 Takuto Shirai¹ (1.Sophia Univ.)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-6] 局在表面プラズモン共鳴による酸化亜鉛ナノ粒子塗布型LEDの発光効率改善

〇田淵敦也¹、 Islam Md Shafiqul²、林婕³、吉田俊幸¹、藤田恭久¹ (1.島根大院自然科学、2.島根大院総理工、3.（株）SNCC)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-7] 傾いた鏡を有する微小光共振器のモード計算に関する検討

〇北川雄真¹、鈴木雄太¹、手塚信一郎¹ (1.横河電機株式会社)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-8] 光無線給電用GaAsおよびInGaP受光デバイスの作製と評価

〇坪山真之介¹、日和田健介¹、荒井昌和¹、前田幸治¹ (1.宮崎大工)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-9] フォトンカウンティングの実現に向けた結晶セレン膜積層型画素並列信号処理イメージセンサの検討

〇後藤正英¹、為村成亨¹ (1.NHK放送技術研究所)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-10] 結晶中原子の未結合手を塩素終端した六方晶セレン薄膜における欠陥準位の評価

〇為村成亨¹、峰尾圭忠¹、宮川和典¹、難波正和¹、久保田節¹ (1.NHK放送技術研究所)

セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[19p-E204-1~12] 3.13 半導体光デバイス

△ [19p-E204-1] 光無線給電におけるフライアイレンズへの光照射位置ずれ耐性評価

▲ [19p-E204-3] Improvement of appearance by scattering to color filters on solar cell for OWPT

▼ [19p-E204-4] Light Receiving Characteristics in case of Air to Underwater Optical Wireless Power Transmission

▲ [19p-E204-5] Numerical analysis of power generation characteristics in beam direction control of indoor optical wireless power transmission using mirror

▲ [19p-E204-6] Demonstration of Optical Wireless Power Transmission to Moving Object Using Infrared LED Marker in Dark Environment

▲ [19p-E204-7] Optimization of LED-based Optical Wireless Power Transmission for Compact IoT

△ [19p-E204-11] Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果

[20a-E204-1~8] 3.13 半導体光デバイス

▲ [20a-E204-3] Reducing Dark Current Mechanisms for Barrier Infrared Photodetector Using Type II InAs/GaSb Superlattices

△ [20a-E204-4] 【注目講演】転写技術による表面照射型近赤外InGaAs PhotoFET

[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

△ [20p-E204-4] プロトン注入による3次元的抵抗・吸収制御型高効率VCSELの設計

△ [20p-E204-11] CaイオンをドナーとするNaCl結晶を用いた透明半導体の作製と評価

[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

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