シンポジウム(口頭講演)
[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展 〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜
2019年3月10日(日) 13:30 〜 17:50 W922 (ディジタル多目的ホール)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:30 〜 14:00
〇江龍 修1 (1.名工大)
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14:00 〜 14:30
〇中村 勝光1、 鈴木 健司1、 西 康一1 (1.三菱電機(株)パワーデバイス製作所)
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14:30 〜 15:00
〇木本 恒暢1 (1.京大工)
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15:00 〜 15:30
〇久本 大1、 手賀 直樹1、 谷 和樹1、 須藤 建瑠1、 毛利 友紀1 (1.日立研開)
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15:50 〜 16:20
〇葛原 正明1 (1.福井大院工)
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16:20 〜 16:50
〇加地 徹1 (1.名大未来研)
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16:50 〜 17:20
〇東脇 正高1、 ワン マンホイ1、 林 家弘1、 佐々木 公平2、 後藤 健2,3,4、 倉又 朗人2、 山腰 茂伸2,4、 村上 尚3、 熊谷 義直3 (1.情通機構、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.東京農工大院工、4.タムラ製作所)
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17:20 〜 17:50
〇谷井 孝至1、 品田 高弘2、 寺地 徳之3、 小野田 忍4、 大島 武4、 McGuinness Liam5、 Jelezko Fedor5、 Liu Yan6、 Wu E6、 加田 渉7、 花泉 修7、 川原田 洋1、 磯谷 順一8 (1.早大理工、2.東北大、3.物材機構、4.量研、5.ウルム大、6.華東師範大、7.群大、8.筑波大)
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