一般セッション(口頭講演)

[8a-Z07-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月8日(火) 09:15 〜 11:30 Z07

塚﨑敦(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[8a-Z07-1] 機械学習援用分子線エピタキシー法によるSrRuO₃薄膜の高品質化

〇若林勇希¹、大塚琢馬²、 Krockenberger Yoshiharu¹、澤田宏²、谷保芳孝¹、山本秀樹¹ (1.NTT 物性研、2.NTT CS研)

09:30 〜 09:45

△ [8a-Z07-2] 強磁性ペロブスカイト酸化物SrRuO₃高品質薄膜中でのワイルフェルミオンを示す量子伝導現象

〇瀧口耕介^1,2、若林勇希¹、入江宏¹、クロッケンバーガーヨシハル¹、大塚琢馬³、澤田宏³、ニコラエフセルゲイ⁴、ダスヘナ⁴、田中雅明^2,5、谷保芳孝¹、山本秀樹¹ (1.NTT 物性研、2.東大工、3.NTT CS研、4.東工大WRHI、5.東大スピンセ)

09:45 〜 10:00

△ [8a-Z07-3] PbドープSrRuO₃薄膜の強磁性と磁気輸送特性

〇(M1)張レイ飛¹、藤田貴啓¹、川崎雅司^1,2 (1.東大工、2.理研CEMS)

10:00 〜 10:15

△ [8a-Z07-4] 近藤格子PrO エピタキシャル薄膜の低温物性

〇清水宙一¹、阿部展人¹、山本卓¹、齋藤大地¹、神永健一^2,3、岡大地¹、木村憲彰¹、福村知昭^1,3,4,5 (1.東北大理、2.東北大工、3.東北大AIMR & CRC、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)

10:30 〜 10:45

△ [8a-Z07-5] Ca₂RuO₄ のナノ結晶化による格子と磁性の変調

〇(M2)棚橋慧太¹、延兼啓純¹、迫田將仁¹、丹田聡¹、能村貴宏¹ (1.北海道大)

10:45 〜 11:00

△ [8a-Z07-6] 電流誘起型金属絶縁体転移物質Ca₂RuO₄薄膜が示す高い安定性を持った抵抗スイッチング動作

〇椿啓司¹、石田典輝¹、福地厚¹、片瀬貴義²、神谷利夫²、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

11:00 〜 11:15

△ [8a-Z07-7] (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)接合の順方向電流-電圧特性の温度依存性

〇村主圭佑¹、阪永裕士¹、和達大樹²、新船幸二¹、吉田晴彦¹、堀田育志¹ (1.兵県大工、2.兵県大理)

11:15 〜 11:30

△ [8a-Z07-8] VO₂極薄膜における電子・結晶構造の膜厚依存性

〇志賀大亮^1,2、以理楊¹、長谷川直人¹、神田龍彦¹、徳永凌祐¹、吉松公平¹、湯川龍²、北村未歩²、堀場弘司²、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

一般セッション(口頭講演)

[9a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月9日(水) 09:00 〜 11:30 Z07

廣瀬靖(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[9a-Z07-1] 電気化学エッチングによるSrVO₃の金属絶縁体転移

〇大熊光¹、片山裕美子¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

09:15 〜 09:30

[9a-Z07-2] 放射光電子分光によるSrTi_1-xV_xO₃薄膜の透明電極材料スクリーニング

〇神田龍彦¹、志賀大亮^1,2、湯川龍²、長谷川直人¹、徳永凌佑¹、程详遴¹、北村未歩²、堀場弘司²、吉松公平¹、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)

09:30 〜 09:45

[9a-Z07-3] SrIrO₃薄膜における非線形電荷-スピン変換

〇小塚裕介¹、磯上慎二¹、 Das Saikat¹、藤岡淳²、葛西伸哉^1,3 (1.物材機構、2.筑波大、3.JST-PRESTO)

09:45 〜 10:00

[9a-Z07-4] SmNiO₃プロトンレジスターの電圧履歴依存メモリ効果の評価

〇野中信¹、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

10:00 〜 10:15

[9a-Z07-5] NdNiO₃ナノ細線の水素ドープによる抵抗変調特性のサイズ依存性

〇難波央¹、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

10:30 〜 10:45

[9a-Z07-6] 六方晶窒化ホウ素挿入層によるイオン液体ゲーティング時における化学反応の抑制効果

〇滝川潤¹、山本真人²、谷口尚³、渡邊賢司³、神吉輝夫¹、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.関大システム理工、3.物質材料研究機構)

10:45 〜 11:00

[9a-Z07-7] YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御と欠陥構造の変化

〇嶋本健人¹、三浦光平¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

11:00 〜 11:15

[9a-Z07-8] 強相関強誘電体YMnO₃薄膜のd-d遷移における発光特性とスピン秩序の相関

〇三浦光平¹、嶋本健人¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

11:15 〜 11:30

[9a-Z07-9] ZnGa₂O₄のマイクロ波水熱合成とその特徴

〇石井聡¹、鈴木慧¹、守屋佑希久¹、中根茂行²、安食博志¹、名嘉節² (1.電機大理工、2.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[11a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 09:00 〜 11:30 Z07

新宮原正三(関西大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [11a-Z07-1] Selective growth and micro patterning of Au/Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/SrRuO₃ film capacitor structure by water lift off process

〇(D)Iwan Dwi Antoro¹、 Takeshi Kawae¹ (1.College of Sci. & Tech. Kanazawa Univ.)

09:15 〜 09:30

[11a-Z07-2] ダイナミックオーロラPLD法を用いたペロブスカイト型CaTaO₃薄膜の作製

〇川口昂彦¹、杉田真由子¹、青島楓汰¹、坂元尚紀¹、鈴木久男¹、脇谷尚樹¹ (1.静大院工)

09:30 〜 09:45

[11a-Z07-3] 化学溶液法を用いたLaNiO₃薄膜堆積に対する自己配向性の制御

津田悠賀¹、芦原凜太郎¹、河原正美²、〇川江健¹ (1.金沢大理工、2.高純度化学研究所)

09:45 〜 10:00

[11a-Z07-4] 反応性MBEで作製したNiCo₂O₄のアニール時酸素分圧依存性

辻榮朝香¹、原吉典¹、柳瀬隆²、島田敏宏²、〇長浜太郎² (1.北大総化院、2.北大院工)

10:00 〜 10:15

[11a-Z07-5] 酸化ニッケル膜への元素添加による薄膜物性変化

〇森田廣¹、平野雅也¹、別府海渡¹ (1.山理大工)

10:30 〜 10:45

[11a-Z07-6] HfO₂を用いたチャージトラップメモリのアナログ動作における印加パルス極性の影響

〇(M1)大西寿仁¹、奈良安雄¹ (1.兵庫県立大工)

10:45 〜 11:00

[11a-Z07-7] 全固体アモルファス薄膜リチウムイオン電池の作製と評価

〇米田宏太朗¹、吉田将康¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

11:00 〜 11:15

[11a-Z07-8] BiVO₄の薄膜形成と光触媒の可視光応答評価

〇小西智貴^1,2、番貴彦^1,2、山本伸一^1,2 (1.龍谷大理工、2.山本研)

11:15 〜 11:30

▲ [11a-Z07-9] Fabrication of Bismuth Vanadate photocatalyst films from single target by RF-sputtering method

〇(D)Liu Jiaqi¹、 Kazuya Tajima¹、 Muhammed Monirul Islam¹、 Shigeru Ikeda²、 Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. Tsukuba、2.Konan Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 13:00 〜 16:45 Z07

島久(産総研)、加藤誠一(物質・材料研究機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

△ [11p-Z07-1] 熱流設計に基づく抵抗変化メモリ(ReRAM)のフィラメントデザイン

〇(M2)佐々木悠太¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

13:15 〜 13:30

△ [11p-Z07-2] Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関

〇宮谷俊輝¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

13:30 〜 13:45

△ [11p-Z07-3] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃/Pt素子における酸素熱処理が抵抗変化特性に与える効果

〇井室充登¹、金上尚毅¹、木本恒暢¹、西佑介^1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

13:45 〜 14:00

△ [11p-Z07-4] 水素プラズマ処理したPt/Nb:SrTiO₃接合の抵抗スイッチング特性と光電子分光評価

〇(M1)村上大晟^1,2、大澤健男²、大垣武²、石垣隆正¹、大橋直樹² (1.法政大、2.物材機構)

14:00 〜 14:15

△ [11p-Z07-5] デジタル型/アナログ型抵抗変化特性を示すCBRAMのその場構造解析

〇武藤恵¹、中島励¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

14:15 〜 14:30

[11p-Z07-6] 電極電位制御による抵抗保持特性の改善

〇佐藤洋士^1,2、木下健太郎¹、本間祐晟²、島久²、内藤泰久²、秋永広幸²、伊藤敏幸³ (1.東理大理、2.産総研、3.鳥取大)

14:30 〜 14:45

[11p-Z07-7] Ti/HfO₂/Au-ReRAMにおけるRESET時の電圧パルス下抵抗変化挙動へのHfO₂膜の膜質の相違が与える影響

〇森本雅大¹、畠中林太郎¹、依岡拓也¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関大理工)

15:00 〜 15:15

[11p-Z07-8] 室温熱エネルギーを活用した無電力シナプティックトランジスタ

〇神吉輝夫¹、村岡敬太¹ (1.阪大産研)

15:15 〜 15:30

[11p-Z07-9] Ga-In-Sn-Ta液体金属合金の表面酸化膜を用いた抵抗変化型素子の動作実証

〇前田直輝¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

15:30 〜 15:45

[11p-Z07-10] スパッタNbOx膜質制御による閾値スイッチング素子の検討

〇畠中林太郎¹、森本雅大¹、中村颯汰¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関大シス理)

15:45 〜 16:00

[11p-Z07-11] Ir/Ta₂O₅スパッタ膜の熱刺激電流測定 (II)

〇三沢源人¹、島久¹、内藤泰久¹、秋永広幸¹ (1.産総研DTech)

16:00 〜 16:15

[11p-Z07-12] 放射光を用いたアモルファスアルミナReRAMの電子構造の直接観察

〇加藤誠一¹、児子精祐¹、久保田正人²、雨宮健太³ (1.物材機構、2.原子力機構、3.高エネ研物構研)

16:15 〜 16:30

[11p-Z07-13] 酸素過剰アモルファスAl₂O₃の電子状態：第一原理計算

〇籾田浩義¹、芦澤公一²、大塚尚孝²、佐々木勝寛²、小口多美夫¹ (1.阪大産研、2.UACJ)

16:30 〜 16:45

[11p-Z07-14] ドーピングレスｐ型酸化アルミニウム半導体の作製と特性

〇芦澤公一¹、大塚尚孝¹、佐々木勝寛¹、加藤誠一²、児子精祐² (1.(株)UACJ、2.NIMS)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8a-Z07-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [8a-Z07-2] 強磁性ペロブスカイト酸化物SrRuO3 高品質薄膜中でのワイルフェルミオンを示す量子伝導現象

△ [8a-Z07-3] PbドープSrRuO3薄膜の強磁性と磁気輸送特性

△ [8a-Z07-4] 近藤格子PrO エピタキシャル薄膜の低温物性

△ [8a-Z07-5] Ca2RuO4 のナノ結晶化による格子と磁性の変調

△ [8a-Z07-6] 電流誘起型金属絶縁体転移物質Ca2RuO4薄膜が示す高い安定性を持った抵抗スイッチング動作

△ [8a-Z07-7] (La1-xSrx)VO3/p-Si(100)接合の順方向電流-電圧特性の温度依存性

△ [8a-Z07-8] VO2極薄膜における電子・結晶構造の膜厚依存性

[9a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [11a-Z07-1] Selective growth and micro patterning of Au/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/SrRuO3 film capacitor structure by water lift off process

▲ [11a-Z07-9] Fabrication of Bismuth Vanadate photocatalyst films from single target by RF-sputtering method

[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [11p-Z07-1] 熱流設計に基づく抵抗変化メモリ(ReRAM)のフィラメントデザイン

△ [11p-Z07-2] Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関

△ [11p-Z07-3] Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt素子における酸素熱処理が抵抗変化特性に与える効果

△ [11p-Z07-4] 水素プラズマ処理したPt/Nb:SrTiO3接合の抵抗スイッチング特性と光電子分光評価

△ [11p-Z07-5] デジタル型/アナログ型抵抗変化特性を示すCBRAMのその場構造解析

認証

△ [8a-Z07-2] 強磁性ペロブスカイト酸化物SrRuO₃高品質薄膜中でのワイルフェルミオンを示す量子伝導現象

△ [8a-Z07-3] PbドープSrRuO₃薄膜の強磁性と磁気輸送特性

△ [8a-Z07-5] Ca₂RuO₄ のナノ結晶化による格子と磁性の変調

△ [8a-Z07-6] 電流誘起型金属絶縁体転移物質Ca₂RuO₄薄膜が示す高い安定性を持った抵抗スイッチング動作

△ [8a-Z07-7] (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)接合の順方向電流-電圧特性の温度依存性

△ [8a-Z07-8] VO₂極薄膜における電子・結晶構造の膜厚依存性

▲ [11a-Z07-1] Selective growth and micro patterning of Au/Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/SrRuO₃ film capacitor structure by water lift off process

△ [11p-Z07-3] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃/Pt素子における酸素熱処理が抵抗変化特性に与える効果

△ [11p-Z07-4] 水素プラズマ処理したPt/Nb:SrTiO₃接合の抵抗スイッチング特性と光電子分光評価