2023 International Conference on Solid State Devices and Materials

2023年9月5日〜 2023年10月31日
Nagoya Congress Center

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[A-7-02] A Ballistic Transport Investigation of High Performance CNTFETs with Interface Engineering: Virtual Source Parameter Extraction and SPICE Circuit Analysis

^○Yuchen Gu¹, Mengyu Zhao², Zhihan Liu², Junru Qu¹, Ying Sun¹, Yinfan Ouyang², Wei Sun², Ran Cheng¹ (1. Univ. of Zhejiang (China), 2. Univ. of Peking (China))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 14:00 〜 14:15 |PDF ダウンロード

[A-7-03] Stack control of Bi/Au bilayer electrodes toward p-type WSe ₂ FET

^○Ryuichi Nakajima¹, Tomonori Nishimura¹, Keiji Ueno², Yasumitsu Miyata³, Kosuke Nagashio¹ (1. The Univ. of Tokyo (Japan), 2. Saitama Univ. (Japan), 3. Tokyo Metropolitan Univ. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 14:15 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[A-7-04] Ultra-Steep-Slope P-Type Threshold Switch Field-Effect Transistors

^○Jiayang Hu¹, Hanxi Li¹, Yishu Zhang¹, Yang Xu¹, Bin Yu¹ (1. Zhejiang Univ. (China))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[A-8-01] Dual gating of hBN/bilayer-graphene superlattices: band-engineering and doping a Dirac material

^○Yoshifumi Morita¹, Takuya Iwasaki², Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi² (1. Gunma Univ. (Japan), 2. National Inst. for Material Sci. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 15:30 〜 15:45 |PDF ダウンロード

[A-8-02] Dual gating and manipulation of the quantum valley currents in hBN/bilayer-graphene superlattices

^○Takuya Iwasaki¹, Yoshifumi Morita², Kenji Watanabe¹, Takashi Taniguchi¹ (1. NIMS (Japan), 2. Gunma Univ. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 15:45 〜 16:00 |PDF ダウンロード

[A-8-03] Exploiting Transport Properties of Colloidal Quantum Dots Thin Films to Operate Multiple Photodiodes Matrices Simultaneously

^○Loïc Baudoin¹, Arthur Arnaud¹, Sébastien Massenot², Pierre Magnan² (1. STMicroelectronics (France), 2. ISAE SUPAERO Univ. of Toulouse (France))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月8日(金) 16:00 〜 16:15 |PDF ダウンロード

[B-1-01 (Invited)] Si Platform for Implementing High-fidelity Quantum Gates and Quantum Error Correction

^○Seigo Tarucha¹ (1. RIKEN (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月6日(水) 14:00 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[B-1-02] Cryogenic Inter-chip Connection for Silicon Qubit Devices

^○Tokio Futaya¹, Raisei Mizokuchi¹, Misato Taguchi², Takuji Miki², Makoto Nagata², Jun Yoneda¹, Tetsuo Kodera¹ (1. Tokyo Tech. (Japan), 2. Kobe Univ. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月6日(水) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[B-1-03] Construction of an Environment Model for Auto-tuning Quantum Dot Devices Using Model-based Reinforcement Learning

^○Chihiro Kondo¹, Raisei Mizokuchi¹, Jun Yoneda¹, Tetsuo Kodera¹ (1. Tokyo Inst. of Tech. (Japan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月6日(水) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[B-1-04] Device and Technology Codesign of Germanium Quantum-Dots Qubits with Optimal Charge Stability

^○Ting Tsai¹, I-Hsiang Wang¹, Chi-Cheng Lai¹, David M.T. Kuo², Pei-Wen Li¹ (1. National Yang Ming Chiao Tung University (Taiwan), 2. National Central University (Taiwan))

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials |2023年9月6日(水) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

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