〇Jhang YuanHsuan¹、 Mochida Reio²、 Tanabe Katsuaki^2,3、 Takemasa Keizo⁴、 Sugawara Mitsuru⁴、 Iwamoto Satoshi^1,2、 Arakawa Yasuhiko^1,2 (1.IIS, The Univ. Tokyo、2.NanoQuine, The Univ. Tokyo、3.Kyoto Univ.、4.QD Laser, Inc)

14:00 〜 14:15

△ [20p-S621-2] Ｇｅ導波路の光伝搬特性の偏光依存性

〇奥村忠嗣¹、小田克矢¹、葛西淳一¹、佐川みすず¹、諏訪雄二¹ (1.日立研開)

14:15 〜 14:30

[20p-S621-3] 成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強

〇(M1)東垂水直樹¹、和田一実¹、石川靖彦¹ (1.東大工)

14:30 〜 14:45

[20p-S621-4] 横方向エピタキシャル成長によるGe導波路の結晶性改善

〇小田克矢¹、奥村忠嗣¹、葛西淳一¹、加古敏²、岩本敏²、荒川泰彦² (1.日立研開、2.東大生研・先端研)

14:45 〜 15:00

[20p-S621-5] SiO₂上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜

〇八子基樹¹、和田一実¹ (1.東大院工)

15:15 〜 15:30

[20p-S621-6] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2)

〇永友翔¹、菊田真也²、星野聡彦²、石川靖彦¹ (1.東大院工、2.東京エレクトロン)

15:30 〜 15:45

[20p-S621-7] Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製

〇宮坂祐司¹、開達郎²、岡﨑功太²、土澤泰²、山本剛²、和田一実¹、石川靖彦¹ (1.東大工、2.NTT先端集積デバイス研)

15:45 〜 16:00

[20p-S621-8] バットジョイント横PIN型Ge受光器の高速動作特性

〇下山峰史¹、奥村滋一¹、小野英輝¹、今井雅彦¹、田中有¹、森戸健¹ (1.PETRA)

16:00 〜 16:15

[20p-S621-9] 伸張歪ゲルマニウムにおける共鳴電子ラマン遷移

〇(M2)松下智昭¹、安武裕輔^1,2、揖場聡³、齋藤秀和³、湯浅新治³、深津晋¹ (1.東大院総合(駒場)、2.JSTさきがけ、3.産業技術総合研究所)

16:30 〜 16:45

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge_1-xSn_x/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

〇Chang Guo-En¹ (1.Nat. Chung Cheng Univ.)

16:45 〜 17:00

△ [20p-S621-11] ストレスライナーによるGe細線への一軸引張歪み印加とバンドギャップ変調

〇田中章吾¹、岡博史¹、冨永幸平¹、天本隆史¹、小山真広¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.大阪大学)

17:00 〜 17:15

▲ [20p-S621-12] GeSn/Ge multiple-quantum-well short-wave infrared photoconductors on silicon

Chen Shao-Wei¹、 Tsai Chia-Ho¹、 Weng Mao-Cheng¹、〇Chang Guo-En¹ (1.Nat. Chung Cheng. Univ.)

17:15 〜 17:30

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge_0.92Sn_0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates

Sun Li-Chou¹、〇Chang Guo-En¹ (1.Nat. Chung Cheng. Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[21p-S611-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 S611 (南6号館)

西山伸彦(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[21p-S611-1] Siフォトニック結晶変調器における鋸歯形p/n接合

〇寺田陽祐¹、建部知紀¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

13:45 〜 14:00

[21p-S611-2] Siフォトニック結晶変調器のp-n接合のドーピング濃度最適化

〇(B)建部知紀¹、寺田陽祐¹、馬場俊彦¹ (1.横国大)

14:00 〜 14:15

▲ [21p-S611-3] High-efficiency silicon optical modulator based on silicon-nitride-loaded SOI waveguide

〇叢光偉¹、前神有里子¹、大野守史¹、岡野誠¹、山田浩治¹ (1.産総研)

14:15 〜 14:30

[21p-S611-4] III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上空乏型 InGaAsP光変調器の検討

〇関根尚希¹、韓在勲^1,2、竹中充^1,2、高木真一^1,2 (1.東大工、2.JST-CREST)

14:30 〜 14:45

[21p-S611-5] Siフォトニック結晶マッハツェンダー変調器における広い波長範囲での周波数応答調査

〇雛倉陽介¹、寺田陽祐¹、馬場俊彦¹ (1.横国大院工)

14:45 〜 15:00

[21p-S611-6] Si フォトニック結晶QPSK変調器の零バイアス低電圧動作

〇(M1)北條惠子¹、寺田陽佑¹、雛倉陽介¹、馬場俊彦¹ (1.横国大工)

15:00 〜 15:15

△ [21p-S611-7] 歪SiGeを用いたMOS型光変調器の変調帯域改善に関する検討

〇(D)韓在勲^1,2,3、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST、3.学振特別研究員)

15:15 〜 15:30

[21p-S611-8] in-situ Bドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の検討

〇藤方潤一¹、野口将高¹、韓在勲²、高橋重樹¹、中村隆宏¹、竹中充² (1.PETRA、2.東大工)

一般セッション(ポスター講演)

[21p-P16-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

2016年3月21日(月) 16:00 〜 18:00 P16 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 18:00

[21p-P16-1] 最小限の膜厚ステップ領域を使用したＡＷＧのロス低減構造

〇岡山秀彰^1,2、太縄陽介^1,2、八重樫浩樹^1,2、佐々木浩紀^1,2 (1.沖電気、2.PETRA)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-2] 曲線型方向性結合器を用いたリング共振器偏光無依存化の検討

〇横井裕人¹、三橋頼人¹、松島裕一²、石川浩¹、宇髙勝之¹ (1.早大理工、2.GCS機構)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-3] 方向性結合器による高ダイナミックレンジ偏波スプリッタの設計

〇中瀬大志¹、丸山武男¹ (1.金沢大)

16:00 〜 18:00

▲ [21p-P16-4] Label Free Biosensor Based on Photonic Crystal Resonator

〇(DC)Sana Amrita Kumar¹、 Amemiya Yoshiteru¹、 Yokoyama Shin¹ (1.Hiroshima Univ.)

16:00 〜 18:00

▲ [21p-P16-5] Preparation and Characterization of Bi substituted gadolinium iron garnet (Bi_xGd_3-xFe₅O₁₂ films with x=1 to 2.5 by Enhanced Metal Organic Decomposition method

〇(D)Danish AbdulWahid¹、 Sato Jo¹、 Hosoda Masashi¹、 Shimizu Hiromasa¹ (1.TUAT)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-6] 光変調器応用に向けたグラフェンスロット導波路の試作

〇佐々木和哉^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-7] シリコンMMI導波路型2×2光スイッチの検討

〇藤原裕士¹、嶋田裕介¹、石川敦¹、松本敦²、松島裕一³、石川浩¹、宇高勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-8] 直接貼付InP/Si基板上InAs量子ドットの成長

〇(B)鎌田直樹¹、鋤柄俊樹¹、西山哲央¹、大貫雄也¹、松本恵一¹、下村和彦¹ (1.上智理工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-9] ポリマー介在層付Si基板上へのInPチップヘテロ接合の検討

〇永井秀樹¹、デンボ¹、松島裕一²、石川浩¹、宇髙勝之¹ (1.早大理工、2.早大GCS)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-10] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜の接合強度およびPL強度の圧力依存性評価

〇(B)大貫雄也¹、松本恵一¹、岸川純也¹、西山哲央¹、鎌田直樹¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-11] 円形マイクロブリッジ構造によるGOIの二軸引っ張り歪み増強

〇松下奨¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-12] Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響

〇渡邊幸樹¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

[20a-S621-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [20a-S621-1] 強磁性金属と誘電体界面におけるOtto配置下の表面プラズモン励起の評価

△ [20a-S621-7] ArF液浸露光技術を用いた高効率Si細線グレーティングカプラ

[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [20p-S621-1] Direct Modulation (6 Gbps) in Quantum Dot Lasers on Silicon

△ [20p-S621-2] Ｇｅ導波路の光伝搬特性の偏光依存性

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge1-xSnx/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

△ [20p-S621-11] ストレスライナーによるGe細線への一軸引張歪み印加とバンドギャップ変調

▲ [20p-S621-12] GeSn/Ge multiple-quantum-well short-wave infrared photoconductors on silicon

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge0.92Sn0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates

[21p-S611-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [21p-S611-3] High-efficiency silicon optical modulator based on silicon-nitride-loaded SOI waveguide

△ [21p-S611-7] 歪SiGeを用いたMOS型光変調器の変調帯域改善に関する検討

[21p-P16-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [21p-P16-4] Label Free Biosensor Based on Photonic Crystal Resonator

▲ [21p-P16-5] Preparation and Characterization of Bi substituted gadolinium iron garnet (BixGd3-xFe5O12 films with x=1 to 2.5 by Enhanced Metal Organic Decomposition method

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△ [20a-S621-1] 強磁性金属と誘電体界面におけるOtto配置下の
表面プラズモン励起の評価

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge_1-xSn_x/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge_0.92Sn_0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates

▲ [21p-P16-5] Preparation and Characterization of Bi substituted gadolinium iron garnet (Bi_xGd_3-xFe₅O₁₂ films with x=1 to 2.5 by Enhanced Metal Organic Decomposition method