一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
09:00 〜 09:15
〇伊藤 佑太1、渡邉 浩崇2、安藤 悠人2、出来 真斗4、狩野 絵美2、新田 州吾2、本田 善央2、五十嵐 信行2、田中 敦之2,3、天野 浩2,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.物材機構、4.名大VBL、5.名大ARC)
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09:15 〜 09:30
〇須山 篤志1、川野輪 仁1、南川 英輝1、青木 正彦1 (1.(株) イオンテクノセンター)
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09:30 〜 09:45
〇上殿 明良1、田中 亮2、高島 信也2、上野 勝典2、江戸 雅晴2、嶋 紘平3、小島 一信3、秩父 重英3、石橋 章司4 (1.筑波大数物、2.富士電機、3.東北大多元研、4.産総研)
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09:45 〜 10:00
〇嶋 紘平1、田中 亮2、高島 信也2、上野 勝典2、江戸 雅晴2、小島 一信1、上殿 明良3、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.富士電機、3.筑波大数物)
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10:00 〜 10:15
〇大森 雅登1、渡邉 健太2、宮崎 泰成1、白石 舞翔1、和田 竜垂1、大川 峰司2 (1.大分大、2.ミライズテクノロジーズ)
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10:15 〜 10:30
〇白石 舞翔1、宮崎 泰成1、和田 竜垂1、渡邉 健太2、大川 峰司2、大森 雅登1 (1.大分大、2.ミライズテクノロジーズ)
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10:45 〜 11:00
〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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11:00 〜 11:15
〇米村 卓巳1、斎藤 吉広1 (1.住友電工)
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11:15 〜 11:30
〇角谷 正友1、津田 泰孝2、坂本 徹哉2、隅田 真人3、Sang Liwen1、原田 善之1、冨永 亜希2、吉越 章隆2 (1.物材機構、2.原子力機構、3.理研AIP)
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11:30 〜 11:45
〇山田 真嗣1、白井 雅紀2、小林 宏樹2、上村 隆一郎2、加地 徹3、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.アルバック、3.名大未来研)
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11:45 〜 12:00
〇(M2)澤田 尭廣1、石原 崇寛1、大堀 大介1、王 学論3,4、寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.東北大 AIMR、3.産総研、4.名大 IMaSS)
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