〇Xueyang Han¹、 Chia Tsong Chen¹、 Mengnan Ke²、 Ziqiang Zhao¹、 Kasidit Toprasertpong¹、 Mitsuru Takenaka¹、 Shinichi Takagi¹ (1.Univ. Tokyo、2.Chiba Univ.)

15:45 〜 16:00

[23p-C102-10] GeO2膜質及びGeO2/Ge界面特性改善に有効なPMA金属種の検討

〇結解あかり¹、菅野航太¹、松浦空吾¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

16:00 〜 16:15

[23p-C102-11] GeO2/Ge界面におけるPost Metallization Annealingの導入

〇松浦空吾¹、菅野航太¹、結解あかり¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

16:15 〜 16:30

[23p-C102-12] 2段階酸化によるGeO₂膜の作製と評価

〇斉藤基¹、土屋雄太¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

16:30 〜 16:45

[23p-C102-13] GeO₂膜の耐水性についての検証

〇澁谷岳人¹、石塚啓太¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

16:45 〜 17:00

[23p-C102-14] 化学溶液を用いたSi基盤の低温酸化の検討

〇高橋陽輝¹、清水玄¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

セッション一覧

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[23a-P04-1~2] 13.3 絶縁膜技術

[23a-P04-1] Si₃N₄膜とSiO₂膜中のハロゲンイオンの安定位置での生成エネルギー

[23a-P04-2] FT-IR微分スペクトルによる低温酸化Si膜中の残留OH基量の評価

[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-1] 低加速・単色化STEMを用いた価電子EELSによるβ-Si₃N₄中のサブギャップ励起のナノスケール分布観察

[23p-C102-2] LPCVD SiN膜の絶縁破壊特性に及ぼす下地Siアニールの影響

[23p-C102-3] MONOS型不揮発性メモリ素子の電荷捕獲膜に注入された電子と正孔のチャージセントロイドの決定（Ⅲ）

△ [23p-C102-4] フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリの電荷捕獲特性

[23p-C102-5] 硬X線光電子分光法を用いたSiO₂/TiO_x/HfO₂ MIM構造における界面ダイポール変調の発生位置の特定

[23p-C102-6] 硬X線光電子分光法を用いたAl₂O₃/TiO_x/SiO₂ MOS構造における界面ダイポール変調起源の解明

△ [23p-C102-7] ペロブスカイト酸化物界面におけるダイポール層LaAlO₃の原子層積層順序とダイポール方向の相関の水平力顕微鏡による検証

[23p-C102-8] 高純度オゾンを用いたALDによるAl₂O₃膜の膜応力

▲ [23p-C102-9] (100) and (111) n-Ge/ GeO_x/ Al₂O₃ MOS Interface Properties with Different Annealing Temperature and Atmosphere