一般セッション(口頭講演)

[16p-B4-1~8] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年9月16日(月) 16:00 〜 18:00 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 16:15

△ [16p-B4-1] PLD法による(\overline{2}01)面β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の温度依存性

^○向井章¹，大島孝仁¹，佐々木公平²，増井建和³，倉又朗人²，山腰茂伸²，大友明^1,4 (東工大院理工¹，タムラ製作所²，光波³，元素戦略⁴)

16:15 〜 16:30

[16p-B4-2] 高温下におけるβ-Ga₂O₃(010)基板表面安定性の検討

^○蕗澤孝紘¹，江口千尋¹，花形祥子¹，野村一城¹，後藤健²，富樫理恵¹，村上尚¹，倉又朗人²，熊谷義直¹，纐纈明伯¹ (東京農工大院工¹，タムラ製作所²)

16:30 〜 16:45

[16p-B4-3] β-Ga₂O₃単結晶光電極の特性評価

^○大島孝仁¹，神永健一²，増子尚徳¹，向井章¹，佐々木公平³，増井建和⁴，倉又朗人³，山腰茂伸³，大友明^1,5 (東工大院理工¹，東大院理²，タムラ製作所³，光波⁴，元素戦略⁵)

16:45 〜 17:00

[16p-B4-4] β-Ga₂O₃結晶における青色発光強度と抵抗率の相関

^○尾沼猛儀^1-3，藤岡秀平²，山口智広²，東脇正高³，佐々木公平^3,4，増井建和⁵，本田徹² (東京高専¹，工学院大²，情通機構³，タムラ製作所⁴，光波⁵)

17:00 〜 17:15

[16p-B4-5] Mgをドープしたβ-Ga₂O₃の光学特性

^○（M2C）中澤央，安川大，若井宏文，小田久哉，山中明生 (千歳科学技術大)

17:15 〜 17:30

[16p-B4-6] β-Ga₂O₃とSiCによるヘテロ接合ダイオード

^○中込真二，高橋修平，國分義弘 (石巻専修大理工)

17:30 〜 17:45

△ [16p-B4-7] 気相中でZnO粒子を生成する新規プロセスに用いる亜鉛源の検討

^○水池成弘¹，比村治彦¹，岡田成文²，三瓶明希夫¹，政宗貞男¹ (京都工繊大¹，阪大工²)

17:45 〜 18:00

[16p-B4-8] ミストCVD法によるZnGa₂O₄薄膜のエピタキシャル成長

^○丹羽三冬¹，向井章¹，大島孝仁¹，長見知史²，須山敏尚²，大友明^1,3,4 (東工大院理工¹，トクヤマ²，元素戦略³，JST-ALCA⁴)

一般セッション(ポスター講演)

[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年9月16日(月) 13:30 〜 15:30 P8 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[16p-P8-1] H₂導入RFスパッタにより作製した低抵抗AZO薄膜の物性評価

^○田中真樹^1,2，吉野賢二² (宇部マテリアルズ¹，宮崎大工²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-2] ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法によるGa-doped ZnO薄膜の低抵抗化メカニズム

^○井手亜貴子¹，持原晶子¹，吉野賢二¹，小嶋稔²，竹元裕仁²，豊田浩司²，稲葉孝一郎²，羽賀健一²，中俊雄²，徳留功一² (宮崎大工¹，東ソー・ファインケム²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-3] スピンコートシード層への溶液法によるZnO薄膜の作製

^○松本拓也，安部功二 (名古屋工業大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-4] Ar-N₂雰囲気で作製したNbドープTiO₂薄膜の特性

^○井上創太，大西庸介，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-5] NTO/GZO積層膜における電気抵抗率のアニール温度依存性

^○菊池大樹，一柳成治，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-6] AZOターゲットと作製される薄膜の関係性の検討

^○近藤勝軌，富口祐輔，原祐輔，清水英彦，岩野春男，川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎，坪井望，野本隆宏 (新潟大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-7] スパッタ法で作製するAZO透明導電膜の表面テクスチャ構造形成技術の検討

^○山中俊憲，野本淳一，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工学)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-8] RS-MBE法を用いたホモエピタキシャル成長NドープZnO薄膜のp型伝導制御～NO+O2混合ガスによる成長～

^○廣江伸哉，松尾拓郎，木寺亮太，秋山彰雅，行衛孝明，政本卓也，野田佳佑，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止，奥山彰浩 (鳥取大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-9] ゾル・ゲルディップ法によるZnCdO薄膜合成

砂金恒平，^○安田隆 (石巻専修大理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-10] 溶液成長法によるp-CuO/n-ZnO pnヘテロ接合太陽電池形成の試み

^○村上聡宏¹，北峯誠之¹，兵頭篤²，寺迫智昭¹，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-11] ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定 (2)

^○久保田優人，小柳津祥典，森雄大，村中司，鍋谷暢一，松本俊 (山梨大院医工)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-12] バックチャネル欠陥準位がa-InGaZnO薄膜トランジスタ特性及び信頼性に与える影響

^○戸田達也，Dapeng Wang，Jingxin Jiang，Phi Hung Mai，古田守 (高知工大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-13] ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長

^○（M2）多次見大樹¹，奥秋良隆¹，畠山匠¹，金子健太郎²，藤田静雄²，尾沼猛儀^1,3，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，京大²，東京高専³)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-14] 大気圧CVD法によるSnO₂ナノワイヤーの成長とガスセンサ応用

^○倉重利規¹，寺迫智昭¹，宮田晃²，森雅美²，白方祥¹，定岡芳彦³ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²，愛媛大³)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-15] 大気圧CVD法によって成長した無添加CdO薄膜におけるキャリア輸送特性

^○大前謙¹，寺迫智昭¹，山根基宏²，宮田晃²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-16] 熱分解グラファイトシート上へのミストCVD法による酸化亜鉛の製膜

^○山崎佑一郎¹，宇野和行¹，加計俊介¹，風呂谷育浩¹，田中一郎¹ (和歌山大システム工¹)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-17] IGZO 結晶粉末中の格子欠陥に関する研究

^○松田時宜^1,2，西本大樹¹，高橋宏太¹，植野大貴¹，木村睦^1,2 (龍大理工¹，龍大科技研センター²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-18] 金属薄膜上に成膜したZnO系薄膜の発光特性

^○（M2）平野貴大¹，山本伸一¹，吉岡秀樹² (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

13:30 〜 15:30

▲ [16p-P8-19] Electrical Transport Properties of Self-buffered Anatase TiO₂

^○（D）Thantip Krasienapibal¹，福村知昭^1,2,3，廣瀬靖^1,2,3，迫龍太⁴，長尾雅則⁴，綿打敏司⁴，田中功⁴，長谷川哲也^1,2,3 (Univ. of Tokyo¹，JST-CREST²，KAST³，Univ. of Yamanashi⁴)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-20] 溶液成長ZnOナノロッドの成長異方性と電気特性

^○（P）渡辺健太郎^1,2，呉承俊¹，ヤノシュフォルク³，長田貴弘¹，若山裕¹，関口隆史¹ (物材機構¹，筑波大²，ハンガリー科学アカデミー³)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-21] 大気圧CVD法による原料交互供給下でのGa添加ZnO薄膜の成長とキャリア輸送特性の温度依存性

^○藤本翔平¹，藤田崇史²，寺迫智昭¹，宮田晃²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

一般セッション(口頭講演)

[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:15 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[17a-B4-1] 超音波噴霧ミストCVD法によるコランダム構造In₂O₃薄膜の成長

^○鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄 (京大院工)

09:15 〜 09:30

[17a-B4-2] 酸フッ化インジウム(InO_xF_y)エピタキシャル薄膜の作製

^○岡崎壮平^1,2，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^1,2，楊長^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (KAST¹，JST-CREST²，東大院理³)

09:30 〜 09:45

△ [17a-B4-3] RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInON膜の作製－Ar分圧依存性－

^○松島宏一¹，清水僚太¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九大¹，JSTさきがけ²)

09:45 〜 10:00

[17a-B4-4] H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いて堆積したZnO薄膜の結晶構造

^○山口直也，竹内智彦，永冨瑛智，玉山泰宏，安井寛治 (長岡技科大工)

10:00 〜 10:15

[17a-B4-5] ZnOのグラフォエピタキシーに向けたガラス基板表面の加工と初期成長観察

^○入野将昂¹，大島孝仁¹，大友明^1,2,3 (東工大院工¹，JST-ALCA²，元素戦略³)

10:15 〜 10:30

[17a-B4-6] ハライド気相成長によるZnO薄膜成長の酸素源の検討

^○神崎直人¹，伊佐雄太¹，康松潤²，富樫理恵¹，村上尚¹，熊谷義直¹，柏木勇作²，纐纈明伯¹ (東京農工大院工¹，東京エレクトロン²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[17a-B4-7] 大気圧プラズマCVDを用いたZnO薄膜の成長機構

^○（D）野瀬幸則¹，中村立¹，吉村武¹，芦田淳¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，積水化学²)

11:00 〜 11:15

[17a-B4-8] UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長

^○三好佑弥，濱田夕慎，高橋昌幸，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

11:15 〜 11:30

[17a-B4-9] UHV スパッタエピタキシー法によるMgO単結晶層の成長

^○高橋昌幸，濵田夕慎，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

11:30 〜 11:45

[17a-B4-10] Zn(Mg,Cd)O混晶のRPE-MOCVD成長と面方位制御

大村信亮，Sanjay Mohanta，^○中村篤志，天明二郎 (静大院工)

11:45 〜 12:00

[17a-B4-11] PARE法によりZnO基板上に作製したMg_xZn_1-xO:N膜の諸特性

^○中川玲¹，阿部貴美¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，小島勉¹，青田克己¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

12:00 〜 12:15

[17a-B4-12] 光電流によるZnO基板とZnO系薄膜のバンドギャップの評価

^○阿部貴美¹，中川玲¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，大坊真洋¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年9月17日(火) 13:30 〜 18:15 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:15 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[17p-B4-1] VドープZnO薄膜の初期成長過程の評価

^○森達哉，千葉博，奥田修平，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

13:45 〜 14:00

[17p-B4-2] VドープZnO薄膜の熱処理に対する安定性

^○千葉博¹，森達哉¹，奥田修平¹，照井健太²，川島知之¹，鷲尾勝由¹ (東北大院工¹，東北大工²)

14:00 〜 14:15

[17p-B4-3] ラマン分光を用いたVドープZnO薄膜の熱処理による構造変化の評価

^○奥田修平，千葉博，森達哉，鷲尾勝由 (東北大工)

14:15 〜 14:30

▲ [17p-B4-4] O2/Ni ratio dependence of structure and surface morphology in atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films

^○（M2）Teuku Muhammad Roffi，内田和男，野崎眞次 (電通大S専攻)

14:30 〜 14:45

▲ [17p-B4-5] UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製

^○（DC）張東元，内田和男，野崎眞次 (電通大S専攻)

14:45 〜 15:00

△ [17p-B4-6] TiO₂-NbO₂固溶体シード層を用いてスパッタ成膜したTa:SnO₂透明導電膜(Ⅱ)

^○服部祐樹¹，中尾祥一郎^2,3，二宮善彦¹，佐藤厚¹，長谷川哲也^2,3，山田直臣¹ (中部大¹，KAST²，東大³)

15:00 〜 15:15

[17p-B4-7] Al添加ZnO透明電導電膜の特性に及ぼす高周波重畳直流スパッタリング法の効果

^○野本淳一¹，宋華平¹，牧野久雄¹，岸本誠一^1,2，山本哲也¹ (高知工科大総研¹，高知高専²)

15:15 〜 15:30

[17p-B4-8] ZnO、GZO透明導電膜における水素ドナーの寄与

^○赤沢方省 (NTT MI研)

15:30 〜 15:45

△ [17p-B4-9] スクリーン印刷法により作製したIGZO薄膜の点欠陥の解析

^○森本貴明¹，野村健一²，福田伸子²，大木義路¹ (早大¹，産総研FLEC²)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[17p-B4-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響

^○山﨑はるか¹，石河泰明¹，上岡義弘¹，浦川哲¹，藤原将喜²，高橋英治²，安東靖典²，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，日新電機²)

16:15 〜 16:30

[17p-B4-11] マイクロ波加熱を利用した酸化物TFTの作製

^○Hea Jeong Cheong¹，小倉晋太郎¹，酒井平祐¹，原中正行¹，竹内和彦¹，長畑律子¹，植村聖¹，福田伸子¹ (産業技術総合研究所¹)

16:30 〜 16:45

[17p-B4-12] Photoinduced Transient Spectroscopy (PITS) 法を用いたIGZO薄膜の電子状態評価

^○田尾博昭，高梨泰幸，森田晋也，日野綾，後藤裕史，林和志，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

16:45 〜 17:00

△ [17p-B4-13] アモルファスInGaZnO TFTにおける低温水素アニールの影響

^○上岡義弘，石河泰明，Bermundo Juan Paolo，山﨑はるか，浦川哲，長田至弘，堀田昌宏，浦岡行治 (奈良先端大)

17:00 〜 17:15

[17p-B4-14] IGZO TFT信頼性に関するプロセス条件依存性

^○坂本純一，邵力捷，大竹文人，瀧旭，白井雅紀，湯川富之，武井応樹，清田淳也，石橋暁，齊藤一也 (アルバック)

17:15 〜 17:30

[17p-B4-15] 酸化物薄膜トランジスタにおける発熱効果および劣化現象のサイズ依存性

^○浦川哲¹，笘井重和²，笠見雅司²，矢野公規²，Wang Dapeng³，古田守³，堀田昌宏^1,4，石河泰明^1,4，浦岡行治^1,4 (奈良先端大¹，出光興産²，高知工科大³，CREST⁴)

17:30 〜 17:45

△ [17p-B4-16] 溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響

^○長田至弘，石河泰明，呂莉，浦岡行治 (奈良先端大)

17:45 〜 18:00

△ [17p-B4-17] 高安定性アモルファスInAlZnO薄膜トランジスタ

^○浦川哲¹，石河泰明^1,2，堀田昌宏^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

18:00 〜 18:15

[17p-B4-18] Cu配線層中に形成した高オンオフ比P型酸化物FET

^○砂村潤，金子貴昭，古武直也，齋藤忍，成広充，五十嵐信行，羽根正巳，林喜宏 (ルネサス)

セッション一覧

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[16p-B4-1~8] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-B4-1] PLD法による(\overline{2}01)面β-Ga2O3ホモエピタキシャル成長の温度依存性

△ [16p-B4-7] 気相中でZnO粒子を生成する新規プロセスに用いる亜鉛源の検討

[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-11] ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定 (2)

△ [16p-P8-12] バックチャネル欠陥準位がa-InGaZnO薄膜トランジスタ特性及び信頼性に与える影響

▲ [16p-P8-19] Electrical Transport Properties of Self-buffered Anatase TiO2

△ [16p-P8-20] 溶液成長ZnOナノロッドの成長異方性と電気特性

[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17a-B4-3] RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInON膜の作製－Ar分圧依存性－

[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [17p-B4-4] O2/Ni ratio dependence of structure and surface morphology in atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films

▲ [17p-B4-5] UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製

△ [17p-B4-6] TiO2-NbO2固溶体シード層を用いてスパッタ成膜したTa:SnO2透明導電膜(Ⅱ)

△ [17p-B4-9] スクリーン印刷法により作製したIGZO薄膜の点欠陥の解析

△ [17p-B4-13] アモルファスInGaZnO TFTにおける低温水素アニールの影響

△ [17p-B4-16] 溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響

△ [17p-B4-17] 高安定性アモルファスInAlZnO薄膜トランジスタ

△ [16p-B4-1] PLD法による(\overline{2}01)面β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の温度依存性

▲ [16p-P8-19] Electrical Transport Properties of Self-buffered Anatase TiO₂

△ [17p-B4-6] TiO₂-NbO₂固溶体シード層を用いてスパッタ成膜したTa:SnO₂透明導電膜(Ⅱ)