^〇（PC）Alexandre Fiori¹，Jessica Bousquet^2,3，David Eon^2,3，Franck Omnes^2,3，Edith Bellet-Amalric⁴，Francois Jomard⁵，Etienne Bustarret^2,3 (NIMS¹，Grenoble Alpes Univ.²，CNRS - Inst. NEEL³，CEA - INAC⁴，CNRS - GEMaC and Versailles Univ.⁵)

一般セッション(口頭講演)

[17p-A8-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

2014年9月17日(水) 13:15 〜 18:00 A8 (E207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[17p-A8-1] シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定

^○嘉数誠¹，村上竜一¹，桝谷聡士¹，原田和也¹，角谷均² (佐賀大院¹，住友電工²)

13:30 〜 13:45

[17p-A8-2] ダイヤモンドp+(100)基板のX線トポグラフィー評価

^○大曲新矢，加藤有香子，梅沢仁，鹿田真一 (産総研ダイヤモンド)

13:45 〜 14:00

△ [17p-A8-3] X線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の物性評価

^○柴田将暢¹，蔭浦泰資¹，古閑三靖¹，山口尚秀²，高野義彦²，川原田洋¹ (早大理工¹，物材機構²)

14:00 〜 14:15

[17p-A8-4] 位相差顕微鏡によるダイヤモンド欠陥評価

^○加藤有香子，梅沢仁，鹿田真一 (産総研ユビキ)

14:15 〜 14:30

△ [17p-A8-5] ダイヤモンド中NVセンターの選択的な一軸方向制御

^○（M2）福井貴大¹，土井悠生¹，宮崎剛英²，宮本良之²，加藤宙光^2,3，松本翼^2,3，牧野俊晴^2,3，山崎聡^2,3，森本隆介⁴，徳田規夫⁴，波多野睦子^3,5，坂川優希¹，森下弘樹^1,3，田嶌俊之^1,3，三輪真嗣^1,3，鈴木義茂^1,3，水落憲和^1,3 (大阪大¹，産総研²，CREST³，金沢大⁴，東工大⁵)

14:30 〜 14:45

[17p-A8-6] ダイヤモンドへの低エネルギーSiイオン注入におけるSi-Vセンタ生成収率の評価

^○（M2）田村崇人¹，小池悟大¹，谷井孝至¹，寺地徳之²，小野田忍³，大島武³，Fedor Jelezko⁴，E Wu⁵，品田賢宏⁶，磯谷順一⁷，Liam P. Mcguinness⁴，Lachlan Rogers⁴，Christoph Müller⁴，Boris Naydenov⁴，Liu Yan⁵ (早大理工¹，物材機構²，原子力機構³，ウルム大⁴，華東師範大⁵，産総研⁶，筑波大⁷)

休憩14:45～15:00 （14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[17p-A8-7] プラズマCVDダイヤモンドのリン取り込み効率温度依存性

^○（PC）山本卓，小泉聡 (物材機構)

15:15 〜 15:30

[17p-A8-8] オフ角の異なる(001)面リンドープダイヤモンド薄膜のX線光電子分光法による表面結合状態の評価

^○（D）川島宏幸^1,2,3，加藤宙光^2,3，竹内大輔^2,3，山崎聡^1,2,3 (筑波大¹，産総研²，JST/CREST³)

15:30 〜 15:45

[17p-A8-9] n型ダイヤモンド薄膜の表面平坦化による接触抵抗低減

^○（P）松本翼^1,2,3，川島宏幸^1,2,4，加藤宙光^1,2，竹内大輔^1,2，山崎聡^1,2,4 (産総研¹，CREST²，イノベーションスクール³，筑波大⁴)

15:45 〜 16:00

[17p-A8-10] リン添加n型ダイヤモンド上に形成した狭間隔電極間電流と電子放出

^○工藤唯義^1,2，竹内大輔^1,2，加藤宙光^1,2，牧野俊晴^1,2，小倉政彦^1,2，大串秀世^1,2，山崎聡^1,2,3 (産総研¹，CREST(JST)²，筑波大³)

16:00 〜 16:15

△ [17p-A8-11] (111)基板上のダイヤモンド横型p-n接合の作製

^○佐藤一樹¹，岩崎孝之^1,2,3，清水麻希^1,3，加藤宙光^3,4，牧野俊晴^3,4，小倉政彦^3,4，竹内大輔^3,4，山崎聡^3,4，波多野睦子^1,2,3 (東工大¹，ALCA²，CREST³，産総研⁴)

16:15 〜 16:30

[17p-A8-12] ダイヤモンドLEDにおける深紫外線発光の温度依存性

^○桑原大輔^1,2,3，牧野俊晴^2,3，加藤宙光^2,3，竹内大輔^2,3，小倉政彦^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^2,3 (筑波大¹，産総研エネ部門²，CREST/JST³)

休憩16:30～16:45 （16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

△ [17p-A8-13] 部分酸素終端(111)ダイヤモンド表面の真空熱処理による表面伝導回復

^○林佑哉，原壮志，瀬下裕志，袴田知宏，小野和子，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

17:00 〜 17:15

[17p-A8-14] H2O形成ALD-Al2O3膜によるダイヤモンド表面保護効果の同位体解析

^○平岩篤¹，齊藤達也²，大長央²，川原田洋² (早大ナノ理工¹，早大理工²)

17:15 〜 17:30

△ [17p-A8-15] MBE-SiO2膜下のダイヤモンド表面の電気物性

^○原壮志，袴田知宏，小野和子，瀬下裕志，林佑哉，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

17:30 〜 17:45

△ [17p-A8-16] ポストウェットアニールによるp型(111)ダイヤモンドへのオーミック接触の形成

^○南山拓真¹，宮田大輔¹，長南幸直¹，徳田規夫^1,2,3，小倉政彦^2,3，竹内大輔^2,3，山崎聡^2,3，猪熊孝夫¹ (金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，JST,CREST³)

17:45 〜 18:00

[17p-A8-17] AlN/ (111)面ダイヤモンドヘテロ接合界面の微細構造観察と電気的特性評価

^○井村将隆¹，劉江偉¹，廖梅勇¹，小出康夫¹，松元隆夫²，柴田直哉²，幾原雄一² (物材機構¹，東大²)

一般セッション(口頭講演)

[18a-A8-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2014年9月18日(木) 09:00 〜 11:45 A8 (E207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▼ [18a-A8-1] WC/p-diamond interface reaction at 600 K for stable diodes

^〇（PC）Alexandre Fiori，Tokuyuki Teraji，Yasuo Koide (NIMS)

09:15 〜 09:30

[18a-A8-2] Cu/ダイヤモンドショットキーダイオードの高温耐電圧特性

^○植田研二，河本圭太，西脇雅人，浅野秀文 (名大院工)

09:30 〜 09:45

[18a-A8-3] 高温動作ダイヤモンドMESFETの試作と評価

^○梅沢仁，松本猛，鹿田真一 (産総研ユビキダイヤG)

09:45 〜 10:00

△ [18a-A8-4] 原子層堆積（ALD）Al₂O₃膜の高温電気特性

^○松村大輔，齊藤達也，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

10:00 〜 10:15

△ [18a-A8-5] ALD-Al₂O₃ C-HダイヤモンドMOSFETの高耐圧特性

^○北林祐哉，山田哲也，許德琛，坪井秀俊，齊藤達也，松村大輔，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[18a-A8-6] ダイヤモンドの負性電子親和力を応用した真空パワースイッチ(4)

^○竹内大輔^1,4,5，桑原大輔^1,2,5，牧野俊晴^1,4,5，加藤宙光^1,4,5，小倉政彦^1,4,5，小泉聡^1,3,4,5，大串秀世^1,4,5，大橋弘通^1,4,5，山崎聡^1,2,4,5 (産総研エネ¹，筑波大²，物材機構³，ALCA(JST)⁴，CREST(JST)⁵)

10:45 〜 11:00

▼ [18a-A8-7] Hydrogenated-diamond logic inverter fabrication with enhancement-mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor

^○劉江偉，廖梅勇，井村将隆，小出康夫 (物材機構)

11:00 〜 11:15

[18a-A8-8] ダイヤモンドショットキバリアダイオードを用いた高エネルギー荷電粒子の検出

^○小野田忍¹，神林佑哉^1,2，加田渉²，岩本直也¹，牧野高紘¹，梅沢仁³，杢野由明³，鹿田真一³，花泉修²，神谷富裕¹，大島武¹ (原子力機構¹，群馬大²，産総研³)

11:15 〜 11:30

[18a-A8-9] ダイヤモンドpin放射線検出器の試作

^○（PC）大谷亮太¹，山本卓¹，田所孝広²，上野克宜²，佐々木敬介²，桑原均²，坪田雅功³，金子純一³，小泉聡^1,4 (物材機構¹，日立製作所²，北大³，JST-CREST⁴)

11:30 〜 11:45

△ [18a-A8-10] ダイヤモンド基板上でのATP検出

^○楢村卓朗，明道三穂，稲葉優文，石山雄一郎，ルスリンダアブドルラヒム，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

2014年9月18日(木) 13:15 〜 19:00 A8 (E207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[18p-A8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
低圧化学気相成長法によるグラフェン成長過程の反射高速電子回折その場観察

^○湊拓郎，中原仁，安坂幸師，齋藤弥八 (名大院工)

13:30 〜 13:45

[18p-A8-2] フラーレンを用いた電子線照射によるグラフェン形成と水素ドーピングによる電気特性計測

^○松川誠也，今村友紀，松尾経太，吉岡昌雄，久保田弘 (熊大院自)

13:45 〜 14:00

[18p-A8-3] グラファイト状窒化炭素薄膜の合成とその評価

^○藤田詩織¹，羽渕仁恵¹，髙木俊作¹，滝川浩史² (岐阜高専¹，豊橋技科大²)

14:00 〜 14:15

△ [18p-A8-4] アモルファス窒化炭素薄膜の電気抵抗率に及ぼす雰囲気ガスの影響

^○田村尚之，青野祐美，宮﨑尚，北沢信章，渡邉芳久 (防大材料)

14:15 〜 14:30

△ [18p-A8-5] ACベンディング法を用いたアモルファス窒化炭素薄膜の可逆性光誘起現象の評価

^○原田人萌，青野祐美，北沢信章，渡邉芳久 (防大材料)

14:30 〜 14:45

[18p-A8-6] C₆H₆/N₂混合気体のマイクロ波放電フローにおけるラジカル計測

^○小嶋翔，伊藤治彦 (長岡技大工)

14:45 〜 15:00

[18p-A8-7] プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性評価

^○土屋政人，真柄晃平，徳田健吾，中澤日出樹 (弘前大理工)

休憩15:00～15:15 （15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:45

[18p-A8-8] 「6．薄膜・表面　分科内招待講演」（30分）
表面化学修飾技術によるカーボン系機能性材料の開発

^○中村挙子 (産総研)

15:45 〜 16:00

△ [18p-A8-9] Si含有DLC膜への軟X線照射効果

^○今井亮¹，鈴木常生²，神田一浩¹ (兵庫県立大高度研¹，長岡技科大²)

16:00 〜 16:15

[18p-A8-10] Fドーピングによるa-C:Hの伝導型制御

^○寺田優介，秋本克洋 (筑波大)

16:15 〜 16:30

[18p-A8-11] ダイヤモンドライクカーボン薄膜へのナノ制御ドーピング

^○鷹林将¹，林広幸²，楊猛²，小川修一²，尾辻泰一¹，高桑雄二² (東北大通研¹，東北大多元研²)

16:30 〜 16:45

[18p-A8-12] ダイヤモンドライクカーボン薄膜のラマン解析 (I): 関数解析について

^○鷹林将¹，林広幸²，楊猛²，小川修一²，尾辻泰一¹，高桑雄二² (東北大通研¹，東北大多元研²)

16:45 〜 17:00

[18p-A8-13] ダイヤモンドライクカーボン薄膜のラマン解析 (II): 電気特性との関係性

^○鷹林将¹，林広幸²，楊猛²，小川修一²，尾辻泰一¹，高桑雄二² (東北大通研¹，東北大多元研²)

休憩17:00～17:15 （17:00 〜 17:15）

17:15 〜 17:30

[18p-A8-14] 負パルスバイアス電圧印加RFPECVD法により合成したa-C:H膜の光学定数の特性評価

^○（D）周小龍，サラユットトゥンミー，小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊 (長岡技科大)

17:30 〜 17:45

[18p-A8-15] 酸性塩化ナトリウム水溶液に対する水素化アモルファス炭素膜の耐腐食特性および表面形態の変化

^○荒川悟，サラユットトゥンミー，周小龍，中谷恭之，小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊 (長岡技科大)

17:45 〜 18:00

▲ [18p-A8-16] Behaviors of optical and corrosion properties of a-C:H films at different thicknesses

^○（D）Sarayut Tunmee，Xiaolong Zhou，Yasuyuki Nakaya，Satoru Arakawa，Ikumi Toda，Keiji Komatsu，Shigeo Ohshio，Hidetoshi Saitoh (長岡技科大)

18:00 〜 18:15

[18p-A8-17] 電圧印加状態における水素化アモルファス炭素膜の腐食解析

^○中谷恭之，サラユットトゥンミー，周小龍，小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊 (長岡技科大院)

18:15 〜 18:30

[18p-A8-18] アモルファス炭素膜の特性に及ぼす炭素・水素同位体の効果

^○鈴木裕太郎¹，鈴木常生²，神田一浩³，大竹尚登¹，赤坂大樹¹ (東工大¹，長岡技科大²，兵庫県立大³)

18:30 〜 18:45

△ [18p-A8-19] ナノパルスプラズマCVDによる円管内面へのDLCコーティング

^○（M2）高村瞭太，井上雅貴，赤坂大樹，大竹尚登 (東工大機物)

18:45 〜 19:00

[18p-A8-20] DLC膜の生体適合性に関する評価

^○多田晴菜¹，馬渕康史¹，日比野麻衣¹，大越康晴¹，平塚傑工²，尾関和秀³，森山匠⁴，Ali Alanazi⁵，斉藤秀俊⁶，深田直樹⁷，中森秀樹²，Nataliya Nabatoba-Gabain⁴，櫻井正行⁴，佐藤慶介¹，平栗健二¹，福井康裕¹ (東京電機大¹，ナノテック²，茨城大³，堀場製作所⁴，キング・サウド大⁵，長岡技術科学大⁶，物材機構⁷)