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一般セッション(ポスター講演)

[19p-P4-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

2016年3月19日(土) 13:30 〜 15:30 P4 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-P4-1] SCM/NAND Flash Hybrid SSD の構成とエラー訂正強度を考慮した
SSD の性能と信頼性とコストの関係解析

〇瀧下博文¹、竹内健¹ (1.中大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-2] プライバシー保護に向けたソリッドステートストレージシステム

〇前田一輝¹、田中丸周平¹、山沢裕紀¹、竹内健¹ (1.中大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-3] アーカイブ/コールドフラッシュ向け長期保存SSDの高信頼手法

〇高橋知紀¹、山﨑泉樹¹、竹内健¹ (1.中大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-4] 1.0 Vで動作するReRAM書き込み電圧生成回路の高速化

〇鶴見洸太¹、田中誠大¹、石井智也¹、竹内健¹ (1.中大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-5] ストア／リストア動作のロバスト性を向上させたMTJ利用不揮発性フリップフロップ回路

〇宇佐美公良¹、工藤優¹、平賀啓三²、屋上公二郎² (1.芝浦工大工、2.ソニー)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-6] UWB-CMOS集積回路を用いた乳がん位置検出技術

〇(B)中村哲平¹、宋航¹、河野勇人¹、瀬尾裕二¹、吉川公麿¹、アズハリアフリーン¹ (1.広島大ナノデバイス研)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P4-7] 多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討

〇本田拓夢¹、米田淳²、武田健太²、川那子高暢¹、小寺哲夫^4,5、樽茶清悟^2,3,5、小田俊理¹ (1.東工大量子ナノ研、2.理化学研究所、3.東大、4.東工大、5.東大ナノ量子機構)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P4-8] 極薄膜SOIを用いた量子ドットデバイスの作製と評価

〇西野孝夫^1,2、平岡宗一郎^1,2、井原敏^1,2、小寺哲夫^1,2、小田俊理^1,2 (1.東工大電子物理、2.東工大量子ナノ研セ)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-9] シリコン単電子ポンプのppm レベル高精度動作

〇山端元音¹、 Giblin Stephen²、片岡真哉²、唐沢毅¹、藤原聡¹ (1.NTT物性基礎研、2.National Physical Lab.)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P4-10] 極低温下連続マイクロ波照射下での単一量子ドットの電子輸送特性

〇(M1)前川未知瑠^1,2、テノリオペルルハイメ^1,2、ヘルブスレブエルンスト^1,2、山岡裕^1,2、小寺哲夫^1,2、小田俊理^1,2 (1.東工大電子物理、2.東工大量子ナノ研セ)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P4-11] P型Si二重量子ドット内の少数正孔領域でのパウリスピンブロッケードの観測

〇(M2)岩崎一真¹、小寺哲夫²、小田俊理^1,2 (1.東工大量子ナノ研セ、2.東工大電子物理)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P4-12] 高濃度ドーピングしたシリコンを用いた単一量子ドットの正孔輸送特性

〇(M1)山岡裕¹、小田俊理¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P4-13] Si単電子トランジスタにおけるExcited Stateへの寄生MOSFETの影響

〇内田貴史¹、佐藤光¹、福地厚¹、有田正志¹、藤原聡²、高橋庸夫¹ (1.北大院情報、2.NTT物性基礎研)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P4-14] Tunneling-transport operation of selectively-doped dopant-atom transistors up to room temperature

Samanta Arup¹、〇Moraru Daniel Ioan^1,2、 Takasu Yuki¹、 Mizuno Takeshi¹、 Tabe Michiharu¹ (1.RIE, Shizuoka Univ、2.Fac. Eng.,Shizuoka U)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P4-15] Effects of phonons and discrete dopants on band-to-band tunneling in two-dimensional Si pn junction diodes

〇Moraru Daniel Ioan^1,2、 Tan Hoang Nhat¹、 Unno Ryosuke¹、 Mizuno Takeshi¹、 Muruganathan Manoharan³、 Anh Le The³、 Nuryadi Ratno⁴、 Mizuta Hiroshi^3,5、 Tabe Michiharu¹ (1.RIE, Shizuoka Univ、2.Fac.Eng, ShizuokaU、3.JAIST、4.AAAT, Indonesia、5.Univ. Southampton)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-16] 二次元Si系半導体の検証(Ⅲ)：半導体膜厚依存性

長嶺由騎¹、〇小又祐介¹、青木孝¹、鮫島俊之²、水野智久¹ (1.神奈川大理、2.農工大工)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-17] パルス光伝導法による酸化膜評価技術の開発

〇長野聖央¹、清水公志郎¹、古田正昭¹、久保田弘¹、橋新剛¹、吉岡昌雄²、宮下守也³、泉妻宏治³、前田貴弘³ (1.熊大院自、2.熊大工、3.GWJ)

一般セッション(口頭講演)

[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

齋藤真澄(東芝)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-S422-1] 界面トラップ数の真の値とばらつき，および従来のチャージポンピング理論による値との比較

〇土屋敏章¹ (1.島根大総理工)

09:15 〜 09:30

[20a-S422-2] 電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用

〇土屋敏章¹ (1.島根大総理工)

09:30 〜 09:45

[20a-S422-3] ランダムテレグラフノイズに起因するSRAM誤動作のトランジスタレベル解析

〇水谷朋子¹、更屋拓哉¹、竹内潔¹、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研)

09:45 〜 10:00

[20a-S422-4] 結晶シリコンチャネルFinFETと集積可能な多結晶シリコンチャネルFinFETを用いた高信頼・コンパクトなPUF回路とその評価方法

〇大内真一¹、柳永勛¹、堀洋平¹、入沢寿史¹、更田裕司¹、森田行則¹、右田真司¹、森貴洋¹、中川格¹、塚田順一¹、小池汎平¹、昌原明植¹、松川貴¹ (1.産総研)

10:00 〜 10:15

[20a-S422-5] しきい値電圧制御可能な三角チャネルFinFETの作製及び電気特性評価

〇柳永シュン¹、松川貴¹、遠藤和彦¹、大内真一¹、塚田順一¹、石川由紀¹、水林亘¹、森田行則¹、右田真司¹、太田裕之¹、昌原明植¹ (1.産総研)

10:15 〜 10:30

[20a-S422-6] FinFETエクステンションへの注入イオン種とGIDLの関係

〇松川貴¹、大塚慎太郎¹、森貴洋¹、森田行則¹、柳永勛¹、大内真一¹、更田裕司¹、右田真司¹、昌原明植¹ (1.産総研)

10:45 〜 11:00

[20a-S422-7] ナノワイヤ型不純物偏析ショットキー接合MOSFETにおけるワイヤ幅縮小効果

〇遠藤清¹、橋本修一郎¹、武井康平¹、ソンセイ¹、張旭¹、徐泰宇¹、麻田修平¹、大場俊輔¹、松川貴²、昌原明植²、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

11:00 〜 11:15

△ [20a-S422-8] SiおよびGeナノワイヤにおける高電界正孔輸送の解析

〇田中一¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

11:15 〜 11:30

△ [20a-S422-9] Geにおける正孔と電子のフォノン周波数に対する影響の違い

〇株柳翔一^1,2、西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員DC)

11:30 〜 11:45

[20a-S422-10] 短チャネルMOSFETにおける、低電界移動度の異常劣化について

〇名取研二¹ (1.東工大フロンテイア)

11:45 〜 12:00

[20a-S422-11] 高信頼性・低オン抵抗デュアルRESURF Nch-LDMOSの提案

松田順一¹、〇小島潤也¹、神山雅貴¹、築地伸和¹、小林春夫¹ (1.群馬大工)

12:00 〜 12:15

[20a-S422-12] Al₂O₃固定電荷層適用における裏面照射型CMOSイメージセンサ暗電流低減についての検討

〇上村昌己¹、山華雅司¹、内藤達也¹ (1.東芝)

一般セッション(口頭講演)

[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:30 S422 (南4号館)

池田圭司(東芝)、井田次郎(金沢工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[20p-S422-1] スパッタMoS₂膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上

〇清水淳一¹、大橋匠¹、松浦賢太朗¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大)

14:00 〜 14:15

[20p-S422-2] S/Mo比増加によるMoS₂膜の低キャリア濃度化

〇大橋匠¹、松浦賢太朗¹、石原聖也²、日比野祐介²、澤本直美²、角嶋邦之¹、筒井一生¹、小椋厚志²、若林整¹ (1.東工大、2.明治大)

14:15 〜 14:30

[20p-S422-3] 3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価

〇(M1)高橋正紘^1,2、藤川紗千恵¹、藤代博記¹、入沢寿史²、富永淳二²、前田辰郎^1,2 (1.東理大院、2.産総研)

14:30 〜 14:45

[20p-S422-4] デバイスシミュレーションによる積層型CMOSインバータの構造検討

〇服部淳一¹、福田浩一¹、太田裕之¹、入沢寿史¹、前田辰郎¹ (1.産総研)

14:45 〜 15:00

[20p-S422-5] VO₂モットトランジスタのチャネルに形成される特異な界面相

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大マテ)

15:00 〜 15:15

[20p-S422-6] SOI-FETにおける強誘電体HfO₂の負性容量を利用した急峻スイッチングの検討：BOX膜厚設計の重要性

〇太田裕之^1,3、右田真司^1,3、福田浩一¹、服部淳一¹、鳥海明^2,3 (1.産総研、2.東大工、3.JST CREST)

15:15 〜 15:30

[20p-S422-7] SS=35μV/decを持つPN-Body tied SOIMOSFETの解析

〇堀井隆史¹、吉田貴大¹、蔵本陽介¹、井田次郎¹ (1.金沢工大)

15:30 〜 15:45

[20p-S422-8] 離散不純物分布がもたらすT u n n e l F E T の特性ばらつきの数値解析

〇浅井栄大¹、右田真司¹、服部淳一¹、福田浩一¹、佐野伸行² (1.産総研、2.筑波大物工)

15:45 〜 16:00

[20p-S422-9] 平行電界型トンネルFETのTCADでの検討

〇福田浩一¹、森田行則¹、森貴洋¹、水林亘¹、昌原明植¹、右田真司¹、太田裕之¹ (1.産総研)

16:00 〜 16:15

[20p-S422-10] 短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与

〇林文博¹、岩田真次郎¹、福田浩一^1,2、宮本恭幸¹ (1.東工大、2.産総研)

16:30 〜 16:45

[20p-S422-11] 金属/Ge接合及びn⁺/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価

〇山本圭介¹、岡本隼人²、王冬²、中島寛¹ (1.九大産学連携センター、2.九大総理工)

16:45 〜 17:00

[20p-S422-12] GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証

〇(D)後藤高寛^1,3、満原学^2,3、星拓也^2,3、杉山弘樹^2,3、竹中充^1,3、高木信一^1,3 (1.東大工、2.NTT、3.JST CREST)

17:00 〜 17:15

[20p-S422-13] 高In組成InGaAs量子井戸を用いたInGaAs QW TFETの電気特性における性能評価

〇安大煥^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST CREST)

17:15 〜 17:30

[20p-S422-14] 変調ドープ構造InGaAsナノワイヤ/SiトンネルFETの作製

〇冨岡克広^1,2、石坂文哉¹、本久順一¹、福井孝志¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター、2.JSTさきがけ)

17:30 〜 17:45

[20p-S422-15] p型トンネルトランジスタにおけるNBTI劣化の解析

〇水林亘¹、森貴洋¹、福田浩一¹、石川由紀¹、森田行則¹、右田真司¹、太田裕之¹、柳永勛¹、大内真一¹、塚田順一¹、山内洋美¹、松川貴¹、昌原明植¹、遠藤和彦¹ (1.産総研)

17:45 〜 18:00

[20p-S422-16] 短チャネルトンネルトランジスタにおける結合量子ドット的電子輸送とマイクロ波応答

〇森山悟士¹、森貴洋²、大野圭司³ (1.物材機構、2.産総研、3.理研)

18:00 〜 18:15

[20p-S422-17] TFETにおけるチャージポンピングとスピン効果

〇大野圭司¹、森貴洋²、森山悟士³ (1.理研、2.産総研、3.物材機構)

18:15 〜 18:30

[20p-S422-18] Si-TFET中の等価電複合不純物の安定性とトンネル電流特性;第一原理計算に基づく検討

〇飯塚将太¹、浅山佳大¹、長澤晶斗¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

一般セッション(口頭講演)

[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

内田建(慶大)、遠藤哲郎(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-S422-1] 【授賞式】第7回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞

〇遠藤哲郎¹ (1.東北大学)

09:15 〜 09:45

[21a-S422-2] 【第7回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演】シリコンスピンMOSFET室温動作の実証

〇小池勇人¹、佐々木智生¹、安藤裕一郎^2,3、亀野誠²、田原貴之³、及川亨¹、鈴木淑男⁴、白石誠司^2,3 (1.TDK、2.阪大院基礎工、3.京大院工、4.AIT)

09:45 〜 10:15

[21a-S422-3] 【第7回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演】スピン量子デバイスに向けた少数電子シリコン量子ドットの研究

堀部浩介¹、〇小寺哲夫¹、小田俊理¹ (1.東工大)

10:15 〜 10:30

[21a-S422-4] 【第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演】 TEMその場観察を用いたCBRAM 繰り返し抵抗変化時のフィラメント観察

〇工藤昌輝¹、有田正志²、大野裕輝³、高橋庸夫² (1.北大院情報（現九大超顕微セ）、2.北大院情報、3.北大院情報（現三菱自動車）)

10:30 〜 10:45

[21a-S422-5] 【第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演】シリコンにおける直接・間接光学遷移の電気的調整

〇登坂仁一郎¹、西口克彦¹、藤原聡¹ (1.NTT物性研)

11:00 〜 11:15

△ [21a-S422-6] SdH振動を用いたひずみSi pMOSFETにおける価電子帯有効質量の評価

〇嶋田絢¹、中根了昌¹、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院・工、2.JST-CREST)

11:15 〜 11:30

△ [21a-S422-7] 温度サイクルを減らした酸化濃縮法による高圧縮ひずみ極薄膜Ge-OI 構造の実現

〇金佑彊^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

11:30 〜 11:45

▼ [21a-S422-8] Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)

〇(P)CHANG WENHSIN¹、 Ota Hiroyuki¹、 Maeda Tatsuro¹ (1.AIST)

11:45 〜 12:00

[21a-S422-9] 石英基板上のInGaAs MOSFETの高周波特性

〇久米英司¹、石井裕之²、服部浩之²、 Chang Wen-Hsin²、小倉睦郎¹、前田辰郎² (1.アイアールスペック、2.産総研ナノエレ)

12:00 〜 12:15

△ [21a-S422-10] サブ10 nmゲート長III-V nMOSFETにおけるソース・ドレイントンネル電流のチャネル電子有効質量依存性

〇(M1)片木慎也¹、大森正規¹、土屋英昭¹、小川真人¹ (1.神戸大工)

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