一般セッション(口頭講演)

[12a-N301-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N301 (口頭)

内田寛(上智大)、田岡紀之(名大)、川江健(金沢大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[12a-N301-1] CSD法によるLaNiO₃薄膜の自己配向成長と成膜条件の相関

芦原凛太郎¹、河原正美²、岡﨑宏之³、山本春也³、〇川江健¹ (1.金沢大理工、2.高純度化学研究所、3.量研・高崎研)

09:15 〜 09:30

[12a-N301-2] スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討II

〇菊地理沙¹、村瀬幹生¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

09:30 〜 09:45

[12a-N301-3] 強誘電体自発分極によるグラフェン/ BiFeO₃界面のエネルギーバンド変調

〇伊藤達也¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、大河内拓雄² (1.兵庫県立大院工、2.JASRI/SPring-8)

09:45 〜 10:00

[12a-N301-4] スパッタ条件がAl_1-xSc_xN薄膜の内部応力に及ぼす影響

〇宮地航平¹、吉村武¹、萩原拓永¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

10:00 〜 10:15

[12a-N301-5] 分極反転させたAlScN膜中の元素の化学結合状態のHAXPES評価

〇辻口良太¹、桐原芳治¹、角嶋邦之²、保井晃³、野平博司¹ (1.都市大工、2.東工大、3.高輝度光科学研究センター)

10:30 〜 10:45

[12a-N301-6] 作製溶媒がP(VDF-TrFE)薄膜の電気特性に及ぼす影響

〇平塚一暉¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府立大学大学院工学研究科電子数物系専攻)

10:45 〜 11:00

[12a-N301-7] 金属基板に堆積した一軸配向(K,Na,Li)(Nb,Ta)O₃厚膜の結晶構造および電気特性評価

〇白石貴久¹、舟窪浩¹ (1.東工大)

11:00 〜 11:15

[12a-N301-8] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO₃膜の圧電特性における方位依存性

〇(D)舘山明紀¹、伊東良晴^1,2、白石貴久¹、折野裕一郎¹、黒澤実¹、舟窪浩¹ (1.東工大、2.日大)

11:15 〜 11:30

△ [12a-N301-9] パルスレーザー堆積法によるK(Ta, Nb)O₃薄膜の作製とその電気光学特性評価

〇(M2)櫻井裕次¹、山田智明¹、近藤真矢²、吉野正人¹、長﨑正雅¹ (1.名大工、2.岡大院)

11:30 〜 11:45

△ [12a-N301-10] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO₃厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

〇(D)舘山明紀¹、伊東良晴^1,2、白石貴久¹、折野裕一郎¹、黒澤実¹、舟窪浩¹ (1.東工大、2.日大)

11:45 〜 12:00

[12a-N301-11] [分科内招待講演] Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討

〇中西徹¹、長川健太²、洗平昌晃²、年吉洋³、杉山達彦⁴、橋口原⁴、白石賢二² (1.名大院工、2.名大未来研、3.東大生産研、4.静大電子研)

一般セッション(口頭講演)

[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:30 N301 (口頭)

安井伸太郎(東工大)、恵下隆(和歌山大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[12p-N301-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 水熱合成法による分極軸配向した(Bi,K)TiO₃薄膜の電気特性

〇伊東良晴^1,2、舘山明紀²、窪田るりか²、白石貴久²、黒澤実²、舟窪浩² (1.日大、2.東工大)

13:45 〜 14:00

△ [12p-N301-2] 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO₃上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO₃の構造及び強誘電性

〇窪田るりか¹、舘山明紀¹、伊東良晴²、白石貴久¹、黒澤実¹、舟窪浩¹ (1.東京工業大学、2.日本大学)

14:00 〜 14:15

△ [12p-N301-3] 正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃エピタキシャル膜の結晶構造及び電気的特性の組成依存性

〇(D)石濱圭佑¹、清水荘雄^1,2、佐藤祐介³、山岡和希子³、鶴丸理沙子³、吉村真太郎³、舟窪浩¹ (1.東工大物院工、2.物・材機構、3.TDK株式会社)

14:15 〜 14:30

▼ [12p-N301-4] Enhanced Crystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate (PZT) Ultra-thin Film by Solution-Combustion Synthesis Method with a Lead Titanate (PTO) Seeding Process

〇(M2)ZHONGZHENG SUN¹、 Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Tech)

14:30 〜 14:45

[12p-N301-5] 分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の圧電評価

〇大越春香¹、舘山明紀¹、白石貴久¹、江原祥隆²、西田謙²、舟窪浩¹ (1.東工大、2.防大)

14:45 〜 15:00

[12p-N301-6] PZT人工超格子薄膜の作製とその圧電特性

〇(M1)木村剛基¹、權相曉¹、譚賡²、神野伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪府大)

15:00 〜 15:15

[12p-N301-7] ガラス基板上に作製した配向性チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の結晶成長挙動と分極特性の評価

〇山崎佑介¹、内田寛¹ (1.上智大)

15:15 〜 15:30

[12p-N301-8] 反電場の誘電率からみる渦分域の矛盾

〇渡部行男¹ (1.九大理)

15:45 〜 16:00

△ [12p-N301-9] Y添加HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

〇近藤真矢^1,2、志村礼次郎³、寺西貴志^1,3、岸本昭¹、長崎正雅²、舟窪浩^3,4、山田智明^2,4 (1.岡大院、2.名大工、3.東工大、4.東工大　元素戦略)

16:00 〜 16:15

△ [12p-N301-10] 化学溶液プロセスによるYドープHZO薄膜の作製と評価

〇佐々木啓介¹、モヒートモヒート¹、徳光永輔¹ (1.北陸先端大)

16:15 〜 16:30

△ [12p-N301-11] 製膜後RTA処理したミストCVD Hf_xZr_1-xO₂薄膜の各特性

〇(M2)藤原悠希¹、西中浩之¹、吉本昌広¹、野田実¹ (1.京工繊大)

16:30 〜 16:45

△ [12p-N301-12] ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜成長

〇島添和樹¹、藤原悠希¹、新田悠汰¹、西中浩之¹、吉本昌広¹、野田実¹ (1.京都工繊大)

16:45 〜 17:00

[12p-N301-13] 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

〇(M1)安田航¹、田岡紀之¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

17:00 〜 17:15

[12p-N301-14] HfO₂基強誘電体膜のラマン分光測定

〇(M1)高橋雄真¹、白石貴久¹、小寺正徳¹、志村礼司郎¹、三村和仙¹、森分博紀²、田口綾子²、舟窪浩¹ (1.東工大、2.JFCC)

17:15 〜 17:30

[12p-N301-15] 化学溶液堆積法により作製したZrO₂を基とするHfO₂-ZrO₂薄膜の評価

〇岡元良平¹、船窪浩²、内田寛¹ (1.上智大、2.東工大)

一般セッション(ポスター講演)

[22a-P01-1~4] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月22日(水) 09:00 〜 10:40 P01 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 10:40

[22a-P01-1] 局所C-Vマッピングにおける主成分分析によるノイズ除去

〇平永良臣¹、三村和仙²、清水荘雄²、舟窪浩²、長康雄¹ (1.東北大、2.東工大)

09:00 〜 10:40

[22a-P01-2] BNF強誘電体薄膜の光起電力特性における膜厚の効果

〇吉田将大¹、橋本泰秀¹、森本章治² (1.金沢大自然院、2.金沢大理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P01-3] フレキシブル圧電マトリックスセンサを用いた応力分布計測

〇横山諒伍¹、中嶋宇史¹、佐藤政博² (1.東理大応物、2.㈱メムス･コア)

09:00 〜 10:40

▲ [22a-P01-4] Polarity inversion of scandium aluminum nitride (ScAlN) piezoelectric thin films by using Ge addition

〇Sri Ayu Anggraini¹、 Masato Uehara¹、 Kenji Hirata¹、 Hiroshi Yamada¹、 Morito Akiyama¹ (1.AIST)

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6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12a-N301-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[12a-N301-1] CSD法によるLaNiO₃薄膜の自己配向成長と成膜条件の相関

[12a-N301-2] スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討II

[12a-N301-3] 強誘電体自発分極によるグラフェン/ BiFeO₃界面のエネルギーバンド変調

[12a-N301-4] スパッタ条件がAl_1-xSc_xN薄膜の内部応力に及ぼす影響

[12a-N301-5] 分極反転させたAlScN膜中の元素の化学結合状態のHAXPES評価

[12a-N301-6] 作製溶媒がP(VDF-TrFE)薄膜の電気特性に及ぼす影響

[12a-N301-7] 金属基板に堆積した一軸配向(K,Na,Li)(Nb,Ta)O₃厚膜の結晶構造および電気特性評価

[12a-N301-8] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO₃膜の圧電特性における方位依存性

△ [12a-N301-9] パルスレーザー堆積法によるK(Ta, Nb)O₃薄膜の作製とその電気光学特性評価

△ [12a-N301-10] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO₃厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

[12a-N301-11] [分科内招待講演] Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討

[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

[12p-N301-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 水熱合成法による分極軸配向した(Bi,K)TiO₃薄膜の電気特性

△ [12p-N301-2] 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO₃上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO₃の構造及び強誘電性

△ [12p-N301-3] 正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃エピタキシャル膜の結晶構造及び電気的特性の組成依存性

▼ [12p-N301-4] Enhanced Crystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate (PZT) Ultra-thin Film by Solution-Combustion Synthesis Method with a Lead Titanate (PTO) Seeding Process

[12p-N301-5] 分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の圧電評価

[12p-N301-6] PZT人工超格子薄膜の作製とその圧電特性

[12p-N301-7] ガラス基板上に作製した配向性チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の結晶成長挙動と分極特性の評価

[12p-N301-8] 反電場の誘電率からみる渦分域の矛盾

△ [12p-N301-9] Y添加HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

△ [12p-N301-10] 化学溶液プロセスによるYドープHZO薄膜の作製と評価

△ [12p-N301-11] 製膜後RTA処理したミストCVD Hf_xZr_1-xO₂薄膜の各特性

△ [12p-N301-12] ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜成長

[12p-N301-13] 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

[12p-N301-14] HfO₂基強誘電体膜のラマン分光測定

[12p-N301-15] 化学溶液堆積法により作製したZrO₂を基とするHfO₂-ZrO₂薄膜の評価

[22a-P01-1~4] 6.1 強誘電体薄膜

[22a-P01-1] 局所C-Vマッピングにおける主成分分析によるノイズ除去

[22a-P01-2] BNF強誘電体薄膜の光起電力特性における膜厚の効果

[22a-P01-3] フレキシブル圧電マトリックスセンサを用いた応力分布計測

▲ [22a-P01-4] Polarity inversion of scandium aluminum nitride (ScAlN) piezoelectric thin films by using Ge addition

認証

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6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12a-N301-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [12a-N301-9] パルスレーザー堆積法によるK(Ta, Nb)O3薄膜の作製とその電気光学特性評価

△ [12a-N301-10] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

△ [12p-N301-2] 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO3上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO3の構造及び強誘電性

△ [12p-N301-3] 正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3- xBaTiO3エピタキシャル膜の結晶構造及び電気的特性の組成依存性

▼ [12p-N301-4] Enhanced Crystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate (PZT) Ultra-thin Film by Solution-Combustion Synthesis Method with a Lead Titanate (PTO) Seeding Process

△ [12p-N301-9] Y添加HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

△ [12p-N301-10] 化学溶液プロセスによるYドープHZO薄膜の作製と評価

△ [12p-N301-11] 製膜後RTA処理したミストCVD HfxZr1-xO2薄膜の各特性

△ [12p-N301-12] ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHfxZr1-xO2薄膜成長

[22a-P01-1~4] 6.1 強誘電体薄膜

▲ [22a-P01-4] Polarity inversion of scandium aluminum nitride (ScAlN) piezoelectric thin films by using Ge addition

認証

△ [12a-N301-9] パルスレーザー堆積法によるK(Ta, Nb)O₃薄膜の作製とその電気光学特性評価

△ [12a-N301-10] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO₃厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

△ [12p-N301-2] 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO₃上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO₃の構造及び強誘電性

△ [12p-N301-3] 正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃エピタキシャル膜の結晶構造及び電気的特性の組成依存性

△ [12p-N301-9] Y添加HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

△ [12p-N301-11] 製膜後RTA処理したミストCVD Hf_xZr_1-xO₂薄膜の各特性

△ [12p-N301-12] ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜成長