一般セッション(口頭講演)

[11a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月11日(水) 09:00 〜 11:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[11a-D10-1] 対向ターゲット反応性スパッタ法によるp形NiO薄膜作製とCdTe太陽電池応用

〇古谷靖明¹、荒木涼一¹、小川洋平²、細野藍響²、野本隆宏¹、石川亮佑¹、保岡本²、望坪井¹ (1.新潟大学, 2.木更津高専)

09:15 〜 09:30

[11a-D10-2] RFリアクティブスパッタ堆積したLi添加NiO薄膜の正孔濃度制御

〇中井洋志¹、前田亮¹、小笠原愛理¹、森山和眞¹、川出大佑¹、秩父重英²、杉山睦¹ (1.東京理科大学理工学部/総合研究機構, 2.東北大学多元物質科学研究所)

09:30 〜 09:45

[11a-D10-3] 熱酸化p形Cu₂Oシートの電気的特性に対するNa添加の影響

〇宮田俊弘¹、西祐希¹、南内嗣¹ (1.金沢工大)

09:45 〜 10:00

[11a-D10-4] P形Na添加Cu₂Oベースヘテロ接合太陽電池

〇西祐希¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大 OEDS R&D センター)

10:00 〜 10:15

[11a-D10-5] 複合ターゲットスパッタリングによるMgO単結晶基板を用いたNi_xMg_1-xO系紫外線フォトコンダクタの作製と評価

〇西谷拓樹¹ (1.関大シス理)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[11a-D10-6] 電気化学堆積法によるCu₂O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価

〇熊崎祐介¹、近江沙也夏¹、谷田部然治¹、佐藤威友¹ (1.北大量集セ)

10:45 〜 11:00

[11a-D10-7] TiO₂超微粒子の軟Ｘ線照射によるNEXAFSスペクトル形状の回復

〇新部正人¹、佐野桂治¹、川上烈生²、中野由崇³ (1.兵庫県大高度研, 2.徳島大院工, 3.中部大工)

11:00 〜 11:15

[11a-D10-8] 酸化鉄ナノチューブアレイを用いた気相メタノール光触媒分解

太田貴洋¹、〇野田啓¹ (1.慶應大理工)

11:15 〜 11:30

[11a-D10-9] 光触媒チタンアパタイトによる液相中有機物の吸着分解

〇穴澤俊久¹、若村正人¹、今中佳彦¹、塚田峰春¹ (1.富士通研)

11:30 〜 11:45

[11a-D10-10] Modulation of band gap in SnO by controlling interlayer Sn-Sn lone pair interaction

〇梅澤直人¹ (1.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[11p-D10-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月11日(水) 13:15 〜 17:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:15 〜 13:30

[11p-D10-1] [講演奨励賞受賞記念講演] パイロクロア型Ir酸化物の磁気ドメイン境界における磁気輸送現象

〇藤田貴啓¹、佐野航¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、塚崎敦^2,³、有馬孝尚^4,⁵、川﨑雅司^1,⁵ (1.東大院工, 2.東北大金研, 3.JSTさきがけ, 4.東大新領域, 5.理研CEMS)

13:30 〜 13:45

△ [11p-D10-2] パイロクロア型Ir酸化物薄膜の磁気ドメイン制御と局所輸送特性

〇小川翔平¹、藤田貴啓¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、塚崎敦^2,³、有馬孝尚^4,⁵、川﨑雅司^1,⁵ (1.東大院工, 2.東北大金研, 3.JSTさきがけ, 4.東大新領域, 5.理研CEMS)

13:45 〜 14:00

△ [11p-D10-3] ダブルペロブスカイト型Sr₂CoRuO₆の薄膜合成と物性

〇渡会啓介¹、吉松公平¹、大島孝仁¹、大友明^1,² (1.東工大院理工, 2.元素戦略)

14:00 〜 14:15

△ [11p-D10-4] トポタクティック酸化・還元法によるAサイト秩序型ペロブスカイトYBaCo₂O_x (x = 4.5−6)エピタキシャル薄膜の作製

〇(DC)片山司¹、近松彰^1,²、福村知昭^1,²、長谷川哲也^1,^2,³ (1.東大院理, 2.JST-CREST, 3.KAST)

14:15 〜 14:30

△ [11p-D10-5] スピネル型フェライト(Fe,Ti)₃O₄薄膜のキャリア極性制御

〇山原弘靖¹、足立真輝¹、高橋雅尚¹、関宗俊¹、堀場弘司²、組頭広志²、田畑仁¹ (1.東大工, 2.高エネ研)

14:30 〜 14:45

△ [11p-D10-6] フタロシアニン系金属錯体を用いた遷移金属酸化物薄膜のMBE合成

〇清水亮太¹、白木将¹、一杉太郎^1,² (1.東北大AIMR, 2.JST-さきがけ)

14:45 〜 15:00

△ [11p-D10-7] マルチフェロイックBiFe_1–xCo_xO₃薄膜のスピン構造変化

〇川邊諒¹、北條元¹、山本孟¹、清水啓佑¹、壬生攻²、東正樹¹ (1.東京工業大学応セラ, 2.名工大工)

15:00 〜 15:15

△ [11p-D10-8] Ca_xSm_1-xTiO₃エピタキシャル薄膜の作製と電気特性評価

〇(B)岡部宏和¹、吉松公平¹、大島孝仁¹、大友明^1,² (1.東工大院理工, 2.元素戦略)

15:15 〜 15:30

△ [11p-D10-9] 有機金属ガス源分子線エピタキシー法によるEu_1-xLa_xTiO₃薄膜の高移動度化と異常ホール効果

〇(M2C)村田智城¹、高橋圭²、松原雄也^2,³、打田正輝¹、小塚裕介¹、川﨑雅司^1,² (1.東大院工, 2.理研CEMS, 3.東北大金研)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[11p-D10-10] パルスレーザー蒸着法を用いたNd₃Fe₅O₁₂薄膜作製とその磁気特性

〇那須英和¹、足立真輝¹、山原弘靖¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大工)

16:00 〜 16:15

[11p-D10-11] P型透明酸化物半導体Si:FeOのエピタキシャル薄膜の形成

〇関宗俊¹、シャモハディアミン¹、高橋雅尚¹、足立真輝¹、那須英和¹、山原弘靖¹、田畑仁¹ (1.東大工)

16:15 〜 16:30

[11p-D10-12] Lu₃Fe_5-2xCo_xSi_xO₁₂薄膜におけるリエントラントクラスターグラス特性

〇足立真輝¹、那須英和¹、山原弘靖¹、関宗俊¹、松井裕章¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

16:30 〜 16:45

[11p-D10-13] SrRu_0.5Cr_0.5O₃エピタキシャル薄膜の作製及び物性評価

〇山田佳補¹、近松彰^1,²、重松圭¹、福村知昭^1,²、長谷川哲也^1,^2,³ (1.東大理, 2.JST-CREST, 3.KAST)

16:45 〜 17:00

[11p-D10-14] 強磁性金属/r面配向Cr₂O₃積層膜の磁気特性

〇隅田貴士¹、橋本浩介¹、中村拓未¹、渡部雄太¹、永田知子¹、高瀬浩一¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

17:00 〜 17:15

[11p-D10-15] BiFe_1-xMn_xO₃擬ペロブスカイト系薄膜および人工超格子の結晶構造と電気的磁気的特性

〇稲葉隆哲¹、渡部雄太¹、大島佳祐¹、及川貴大¹、王春¹、宋華平¹、永田知子¹、橋本拓也²、高瀬浩一¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工, 2.日大文理)

17:15 〜 17:30

[11p-D10-16] 酸化物-金属界面結合予測ソフト：InterChemBond

〇吉武道子¹ (1.物材機構)

17:30 〜 17:45

[11p-D10-17] 有機金属熱分解（MOD）法によるLaMnO₃薄膜の作製とその電気伝導特性

〇祐本美久¹、牧野壱¹、小堀裕己¹、山崎篤志¹、谷口年史²、清水哲夫³ (1.甲南大理工, 2.阪大院理, 3.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[12a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月12日(木) 09:00 〜 11:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[12a-D10-1] Niプルシャンブルー類似体における高速インターカレーション

〇(PC)柴田恭幸¹、濱口純¹、守友浩^1,² (1.筑波大数理, 2.筑波大CiRfSE)

09:15 〜 09:30

[12a-D10-2] P2型Na_xCoO₂薄膜電極の放電曲線のレート依存性

〇柳田歩¹、柴田恭幸¹、小林航^1,²、守友浩^1,² (1.筑波大数理, 2.筑波大 CiRfSE)

09:30 〜 09:45

[12a-D10-3] 全固体リチウム電池の酸化物電解質/電極界面におけるイオン伝導特性

〇白木将¹、春田正和²、鈴木竜¹、高木由貴¹、清水亮太¹、一杉太郎¹ (1.東北大AIMR, 2.同志社大)

09:45 〜 10:00

△ [12a-D10-4] 酸化物ヘテロ界面における室温近傍での酸素イオン伝導

〇平井慧¹、菅大介¹、市川能也¹、麻生亮太郎¹、倉田博基^1,²、島川祐一^1,² (1.京大化研, 2.JST-CREST)

10:00 〜 10:15

△ [12a-D10-5] 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性

〇(M1)栗島一徳^1,²、生田目俊秀²、三苫伸彦²、木津たきお²、塚越一仁²、澤田朋実²、大井暁彦²、山本逸平^2,³、大石知司³、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大, 2.物材機構 WPI-MANA, 3.芝浦工大)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

△ [12a-D10-6] 高移動度β-Ga₂O₃(201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製

〇(B)古賀優太¹、原田和也¹、大石敏之¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工)

10:45 〜 11:00

△ [12a-D10-7] ワイドバンドギャップ半導体ZnInONをi層に用いたpin太陽電池の作製

〇松島宏一¹、清水僚太¹、井手智章¹、山下大輔¹、徐鉉雄¹、古閑一憲¹、白谷正治¹、板垣奈穂^1,² (1.九州大学, 2.JSTさきがけ)

11:00 〜 11:15

△ [12a-D10-8] 配向を制御したα-Fe₂O₃薄膜のインピーダンス測定評価

〇(D)増子尚徳¹、吉松公平¹、大島孝仁¹、大友明^1,² (1.東工大院理工, 2.元素戦略)

11:15 〜 11:30

△ [12a-D10-9] パルスレーザー堆積法による α-PbO/SrTiO₃エピタキシャルヘテロ接合の作製と光電子物性

〇真島英司¹、小塚裕介¹、打田正輝¹、川﨑雅司^1,² (1.東大院工, 2.理研CEMS)

11:30 〜 11:45

[12a-D10-10] 強誘電抵抗スイッチングにおける終端表面依存性

〇山田浩之^1,²、福地厚¹、小林正起³、長井拓郎⁴、豊崎喜精¹、組頭広志³、澤彰仁¹ (1.産総研, 2.JSTさきがけ, 3.KEK, 4.NIMS)

一般セッション(口頭講演)

[13a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月13日(金) 09:00 〜 11:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[13a-D10-1] SrTiO₃－イオン液体界面におけるキャリア蓄積のメカニズム

〇清水直¹、小野新平^1,²、畑野敬史³、岩佐義宏^1,⁴、十倉好紀^1,⁴ (1.理研　CEMS, 2.電中研, 3.名大工, 4.東大工)

09:15 〜 09:30

△ [13a-D10-2] 様々な電解液を用いたSrTiO₃の電場誘起金属絶縁体転移

〇佐藤洋平¹、土井聖将¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

09:30 〜 09:45

▲ [13a-D10-3] Electrostatic Carrier Doping to KTaO₃ Using Organic Parylene-C/High-k Oxide Hybrid Gate Insulator

〇TINGTING WEI^1,², Kohei Fujiwara¹, Hidekazu Takana¹ (1.ISIR Osaka Univ., 2.Kunming Sci Tech Univ)

09:45 〜 10:00

△ [13a-D10-4] ペロブスカイト型WO₃薄膜の作製とキャリアドーピング

〇西早辰一¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、岩佐義宏^1,²、川﨑雅司^1,² (1.東大工, 2.理研CEMS)

10:00 〜 10:15

△ [13a-D10-5] 電気化学的Li挿入によるWO₃エピタキシャル薄膜の金属化

〇相馬拓人¹、吉松公平¹、丹羽三冬¹、大島孝仁¹、大友明^1,² (1.東工大院理工, 2.元素戦略)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[13a-D10-6] 全固体エレクトロクロミックWO₃薄膜トランジスタ

〇廣野未沙子¹、片瀬貴義²、太田裕道² (1.北大工, 2.北大電子研)

10:45 〜 11:00

[13a-D10-7] 全固体SrCoO_3-d強磁性薄膜トランジスタ

〇鈴木雄喜¹、片瀬貴義²、太田裕道² (1.北大工, 2.北大電子研)

11:00 〜 11:15

[13a-D10-8] サイドゲート型トランジスタを用いた電界効果によるVO₂ナノワイヤへの水素イオンドープと拡散の時空間解析

〇(M2)佐々木翼¹、神吉輝夫¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

11:15 〜 11:30

[13a-D10-9] TiO₂固体絶縁膜を用いたVO₂モットトランジスタの動作機構の研究

〇矢嶋赳彬^1,²、西村知紀^1,²、鳥海明^1,² (1.東大, 2.JST-CREST)

11:30 〜 11:45

[13a-D10-10] LaVO_xN_yエピタキシャル薄膜の電気輸送特性及び光学特性

〇佐野真仁^1,³、廣瀬靖^1,^2,³、中尾祥一郎^2,³、福村知昭^1,^2,³、長谷川哲也^1,^2,³ (1.東大院理, 2.JST-CREST, 3.KAST)

一般セッション(ポスター講演)

[13p-P5-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P5 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:30 〜 18:30

[13p-P5-1] Nd:YAGレーザーの第４次高調波を用いたSrTiO₃薄膜の低温成長

〇石川竜介¹、和田雄太¹、小野里尚記¹、中村基訓¹、篁耕司¹ (1.旭川高専)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-2] 極薄Ta₂O₅膜の抵抗変化型メモリへの適用

〇大野武雄^1,²、寒川誠二^1,³ (1.東北大WPI-AIMR, 2.JSTさきがけ, 3.東北大流体研)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-3] マイクロ波励起プラズマを用いたWO₃の形成と抵抗変化メモリへの応用

〇(M1)高木翔太¹、荒井哲司¹、有元圭介¹、山中淳二¹、中川清和¹、高松利行² (1.山梨大学, 2.株式会社SST)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-4] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討～ NiOの様々な面方位の第一原理電子状態解析～

〇(D)森山拓洋^1,⁴、山崎隆浩²、大野隆央^2,³、岸田悟^1,⁴、木下健太郎^1,⁴ (1.鳥取大工, 2.物材機構, 3.東大生産研, 4.TiFREC)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-5] 可視光透過型太陽電池の作製と評価

〇佐藤和弥¹、山口竜典¹、金相澈¹、小室修二²、趙新為¹ (1.東理大理, 2.東洋大理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-6] IrO₂薄膜における結晶性と電気抵抗率

〇侯秀一¹、高橋竜太¹、Lippmaa Mikk¹ (1.東大物性研)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-7] ReRAMの発熱挙動観察

〇上沼睦典¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-8] p-Cu₂O/AlO_x/n-SiC pnダイオード構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

〇土屋充沙¹、山下敦史¹、塚本貴広¹、須田良幸¹ (1.東京農工大)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-9] Au/CuO_x/NiO_x/n-Si 2層金属酸化物構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

〇岩佐太陽¹、塚本貴広¹、須田良幸¹ (1.東京農工大院工)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-10] Pt担持TiO₂ハイブリッド薄膜を用いたリソグラフィプロセスⅡ

猪岡航介¹、〇前田篤志¹、松田厚範² (1.府大高専, 2.豊橋技科大)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-11] 可視光透過型太陽電池に向けたGZO薄膜の作製と評価Ⅲ

〇金相ちょり¹、山口竜典¹、小室修二²、趙新為¹ (1.東理大理, 2.東洋大理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-12] CdSe量子ドットを吸着した逆オパール構造TiO₂電極の光電変換特性‐周期依存性‐

〇(B)廣中基記¹、常進^1,³、秋元正哉¹、豊田太郎^1,³、尾込裕平^2,³、早瀬修二^2,³、沈青^1,³ (1.電通大先進理工, 2.九工大生命体工, 3.JST CREST)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-13] 増感型太陽電池への応用を目的とした水熱合成による単結晶TiO₂ナノロッド電極の作製と評価

〇(B)梶知史¹、常進^1,³、秋元正哉¹、豊田太郎^1,³、尾込裕平^2,³、早瀬修二^2,³、沈青^1,³ (1.電通大先進理工, 2.九工大生命体工, 3.JST CREST)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-14] 銅酸化物多孔膜とポリピロールの複合膜の構造制御と光蓄電池への応用

〇(M1C)前田大輝¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-15] ペロブスカイト型酸窒化物光触媒ATaO₂N(A = Ca, Mg)における電子状態の構造依存性

〇(M2)久保綾子¹、Giacomo Giorgi¹、山下晃一^1,² (1.東京大学大学院, 2.JST-CREST)

16:30 〜 18:30

[13p-P5-16] Fe₃O₄薄膜のDewettingプロセスの観察

〇正能大起¹、高橋竜太¹、小沼碧海²、丸山伸伍²、松本祐司²、Jahangir Solmaz³、Nagarajan Valanoor³、Lippmaa Mikk¹ (1.東大物性研, 2.東北大院工, 3.UNSW)

一般セッション(口頭講演)

[13p-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月13日(金) 16:30 〜 19:00 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:30 〜 16:45

[13p-D10-1] 酸化物界面双極子を用いたPt/anatase TiO₂ショットキー障壁の制御

〇疋田育之¹、立川卓^1,²、簑原誠人^1,³、ベルクリストファー^1,⁴、ファンハロルド^1,⁵ (1.SLAC, 2.東大新領域, 3.高エネ研, 4.ブリストル大, 5.スタンフォード大)

16:45 〜 17:00

△ [13p-D10-2] スピントロニクス応用に向けた遷移金属/Nb:SrTiO₃界面の接触抵抗制御

〇(D)井上悠¹、Adrian Swartz¹、立川卓^2,³、疋田育之²、Harold Hwang^1,² (1.スタンフォード大, 2.SLAC国立加速器研, 3.東大新領域)

17:00 〜 17:15

[13p-D10-3] LaNiO₃/SrTiO₃における界面ダイポールを用いたポテンシャル変調

〇坂井延寿¹、堀場弘司¹、小林正起¹、簔原誠人¹、北村未歩¹、組頭広志¹ (1.KEK-PF)

17:15 〜 17:30

△ [13p-D10-4] ペロブスカイト酸化物LaMnO₃/LaNiO₃へテロ界面における電荷移動

〇(DC)北村未歩^1,²、堀場弘司²、小林正起²、坂井延寿²、簔原誠人²、三橋太一²、藤森淳³、藤岡洋¹、組頭広志² (1.東大生研, 2.高エネ研, 3.東大院理)

17:30 〜 17:45

△ [13p-D10-5] パルスレーザー堆積法による新物質([Bi₂O₂]_pRhO₂)単結晶薄膜の作製

〇大羽健太¹、打田正輝¹、大内祐貴¹、小塚裕介¹、川﨑雅司^1,² (1.東大院工, 2.理研CEMS)

17:45 〜 18:00

△ [13p-D10-6] バイアススパッタ法によるVO₂/Al₂O₃ (001)の転移特性制御と特異成長モードの発現

〇(D)ヌルーハニスビンティアズハン¹、沖村邦雄¹、蘇魁¹、ムスタファザグリウィ²、坂井穣² (1.東海大院理工, 2.トゥール大GREMAN)

18:00 〜 18:15

△ [13p-D10-7] VO₂/TiN/Si積層構造デバイスにおけるMHz帯発振

〇(D)モハメッドシュルズ¹、沖村邦雄¹、坂井穣² (1.東海大院理工, 2.トゥール大GREMAN)

18:15 〜 18:30

[13p-D10-8] リン酸を用いたMgO基板の結晶異方性エッチング

〇(M2)山崎翔太¹、神吉輝夫¹、ペリグリーノルカ²、マンカニコラ^2,³、マレーダニエル^2,³、田中秀和¹ (1.阪大産研, 2.CNR-SPIN, 3.Genova Univ.)

18:30 〜 18:45

[13p-D10-9] 高い絶縁破壊電界強度を持ったナノ構造セラミックス成膜技術

〇渕田英嗣¹、時崎栄治¹、小澤英一¹ (1.有限会社渕田ナノ技研)

18:45 〜 19:00

[13p-D10-10] 白色発光を伴う化合物半導体/酸化物複合ナノワイヤの作製

〇石川史太郎¹、日比秀昭²、山本直紀³ (1.愛媛大院理工, 2.阪大院工, 3.東工大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[14a-D10-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月14日(土) 09:30 〜 11:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 09:45

[14a-D10-1] RFバイアス三極スパッタ法におけるイオン照射を利用したO面，Zn面，a面およびm面ZnO薄膜の形成

〇橋本亮介¹、高柳真司¹、柳谷隆彦²、松川真美¹ (1.同志社大学, 2.名工大)

09:45 〜 10:00

[14a-D10-2] RFマグネトロンスパッタ法におけるZnOターゲット温度がc軸平行配向ZnO膜の形成に及ぼす影響

〇高田千裕¹、高柳真司¹、柳谷隆彦²、松川真美¹ (1.同志社大, 2.名工大)

10:00 〜 10:15

[14a-D10-3] ZnO/grapheneナノ複合体の作製とその電気的特性

〇奥村竜二¹、高田直也¹、大久保貴雅¹、近藤祐太¹、市川洋¹ (1.名工大)

10:15 〜 10:30

[14a-D10-4] グラフェン上へのZnOナノロッドの直接成長

〇奥村竜二¹、高田直也¹、大久保貴雅¹、近藤祐太¹、市川洋¹ (1.名工大)

10:30 〜 10:45

[14a-D10-5] 抵抗変化メモリの低抵抗状態における残留抵抗の起源

〇(D)森山拓洋^1,²、榎本雄太郎¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

10:45 〜 11:00

[14a-D10-6] 溶媒置換によるHfO₂導電性ブリッジメモリのスイッチング特性制御 2

〇(M2)吉原正人¹、原田晃典¹、伊藤敏幸¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

11:00 〜 11:15

[14a-D10-7] 電子ビーム吸収電流(EBAC)法によるReRAMのメモリ動作領域の解析

〇島久¹、秋永広幸¹ (1.産総研ナノエレ部門)

11:15 〜 11:30

[14a-D10-8] MOD法BaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性向上の検討

〇杉江敏幸¹、橋本修平¹、張子洋¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

11:30 〜 11:45

[14a-D10-9] 抵抗変化メモリ用MOD法BaTiO₃薄膜作製時焼成雰囲気が薄膜特性に与える影響

〇橋本修平¹、杉江敏幸¹、張子洋¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

一般セッション(口頭講演)

[14p-D10-1~7] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月14日(土) 13:00 〜 14:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:00 〜 13:15

▲ [14p-D10-1] Effects of the Oxide Film Density on the Resistive Switching Characteristics of Atomic Switches

〇(P)Cedric Mannequin¹, Tohru Tsuruoka¹, Tsuyoshi Hasegawa¹, Masakazu Aono¹ (1.NIMS-WPI-MANA)

13:15 〜 13:30

[14p-D10-2] 高分子電解質を用いた原子スイッチ動作の温度依存性

〇鶴岡徹¹、モハパトラソーミャ¹、クリシュナンカーティック¹、長谷川剛¹、青野正和¹ (1.物材機構)

13:30 〜 13:45

△ [14p-D10-3] AlFeO₃エピタキシャル薄膜における抵抗スイッチング特性および負性抵抗現象

〇(M2)韓業飛¹、濵嵜容丞¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東工大応セラ研)

13:45 〜 14:00

[14p-D10-4] ノンポーラ型抵抗変化メモリの構造非対称性がリセット特性に及ぼす影響

〇(M1)木村康平¹、小石遼介¹、河野公紀¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥大工, 2.TiFREC)

14:00 〜 14:15

△ [14p-D10-5] プレーナー型四端子抵抗変化メモリ(ReRAM)を用いたフィラメント物性の解析

〇(M1)澤居優圭¹、高相圭¹、青木智宏¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

14:15 〜 14:30

△ [14p-D10-6] NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後におけるコンダクタンスの温度依存性

〇篠倉弘樹¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

14:30 〜 14:45

▲ [14p-D10-7] Active dislocations for resistance switching in SrTiO₃

〇JUN CHEN¹, JIANYONG LI², SHUN ITO³, SEKIGUCHI TAKASHI¹ (1.NIMS, 2.JST, 3.Tohoku Unvi.)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-D10-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [11p-D10-2] パイロクロア型Ir酸化物薄膜の磁気ドメイン制御と局所輸送特性

△ [11p-D10-3] ダブルペロブスカイト型Sr2CoRuO6の薄膜合成と物性

△ [11p-D10-4] トポタクティック酸化・還元法によるAサイト秩序型ペロブスカイトYBaCo2Ox (x = 4.5−6)エピタキシャル薄膜の作製

△ [11p-D10-5] スピネル型フェライト(Fe,Ti)3O4薄膜のキャリア極性制御

△ [11p-D10-6] フタロシアニン系金属錯体を用いた遷移金属酸化物薄膜のMBE合成

△ [11p-D10-7] マルチフェロイックBiFe1–xCoxO3薄膜のスピン構造変化

△ [11p-D10-8] CaxSm1-xTiO3エピタキシャル薄膜の作製と電気特性評価

△ [11p-D10-9] 有機金属ガス源分子線エピタキシー法によるEu1-xLaxTiO3薄膜の高移動度化と異常ホール効果

[12a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12a-D10-4] 酸化物ヘテロ界面における室温近傍での酸素イオン伝導

△ [12a-D10-5] 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性

△ [12a-D10-6] 高移動度β-Ga2O3(201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製

△ [12a-D10-7] ワイドバンドギャップ半導体ZnInONをi層に用いたpin太陽電池の作製

△ [12a-D10-8] 配向を制御したα-Fe2O3薄膜のインピーダンス測定評価

△ [12a-D10-9] パルスレーザー堆積法による α-PbO/SrTiO3エピタキシャルヘテロ接合の作製と光電子物性

[13a-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13a-D10-2] 様々な電解液を用いたSrTiO3の電場誘起金属絶縁体転移

▲ [13a-D10-3] Electrostatic Carrier Doping to KTaO3 Using Organic Parylene-C/High-k Oxide Hybrid Gate Insulator

△ [13a-D10-4] ペロブスカイト型WO3薄膜の作製とキャリアドーピング

△ [13a-D10-5] 電気化学的Li挿入によるWO3エピタキシャル薄膜の金属化

[13p-P5-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-D10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D10-2] スピントロニクス応用に向けた遷移金属/Nb:SrTiO3界面の接触抵抗制御

△ [13p-D10-4] ペロブスカイト酸化物LaMnO3/LaNiO3へテロ界面における電荷移動

△ [13p-D10-5] パルスレーザー堆積法による新物質([Bi2O2]pRhO2)単結晶薄膜の作製

△ [13p-D10-6] バイアススパッタ法によるVO2/Al2O3 (001)の転移特性制御と特異成長モードの発現

△ [13p-D10-7] VO2/TiN/Si積層構造デバイスにおけるMHz帯発振

[14a-D10-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-D10-1~7] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [14p-D10-1] Effects of the Oxide Film Density on the Resistive Switching Characteristics of Atomic Switches

△ [14p-D10-3] AlFeO3エピタキシャル薄膜における抵抗スイッチング特性および負性抵抗現象

△ [14p-D10-5] プレーナー型四端子抵抗変化メモリ(ReRAM)を用いたフィラメント物性の解析

△ [14p-D10-6] NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後におけるコンダクタンスの温度依存性

▲ [14p-D10-7] Active dislocations for resistance switching in SrTiO3

認証

△ [11p-D10-3] ダブルペロブスカイト型Sr₂CoRuO₆の薄膜合成と物性

△ [11p-D10-4] トポタクティック酸化・還元法によるAサイト秩序型ペロブスカイトYBaCo₂O_x (x = 4.5−6)エピタキシャル薄膜の作製

△ [11p-D10-5] スピネル型フェライト(Fe,Ti)₃O₄薄膜のキャリア極性制御

△ [11p-D10-7] マルチフェロイックBiFe_1–xCo_xO₃薄膜のスピン構造変化

△ [11p-D10-8] Ca_xSm_1-xTiO₃エピタキシャル薄膜の作製と電気特性評価

△ [11p-D10-9] 有機金属ガス源分子線エピタキシー法によるEu_1-xLa_xTiO₃薄膜の高移動度化と異常ホール効果

△ [12a-D10-6] 高移動度β-Ga₂O₃(201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製

△ [12a-D10-8] 配向を制御したα-Fe₂O₃薄膜のインピーダンス測定評価

△ [12a-D10-9] パルスレーザー堆積法による α-PbO/SrTiO₃エピタキシャルヘテロ接合の作製と光電子物性

△ [13a-D10-2] 様々な電解液を用いたSrTiO₃の電場誘起金属絶縁体転移

▲ [13a-D10-3] Electrostatic Carrier Doping to KTaO₃ Using Organic Parylene-C/High-k Oxide Hybrid Gate Insulator

△ [13a-D10-4] ペロブスカイト型WO₃薄膜の作製とキャリアドーピング

△ [13a-D10-5] 電気化学的Li挿入によるWO₃エピタキシャル薄膜の金属化

△ [13p-D10-2] スピントロニクス応用に向けた遷移金属/Nb:SrTiO₃界面の接触抵抗制御

△ [13p-D10-4] ペロブスカイト酸化物LaMnO₃/LaNiO₃へテロ界面における電荷移動

△ [13p-D10-5] パルスレーザー堆積法による新物質([Bi₂O₂]_pRhO₂)単結晶薄膜の作製

△ [13p-D10-6] バイアススパッタ法によるVO₂/Al₂O₃ (001)の転移特性制御と特異成長モードの発現

△ [13p-D10-7] VO₂/TiN/Si積層構造デバイスにおけるMHz帯発振

△ [14p-D10-3] AlFeO₃エピタキシャル薄膜における抵抗スイッチング特性および負性抵抗現象

▲ [14p-D10-7] Active dislocations for resistance switching in SrTiO₃