一般セッション(口頭講演)

[28a-A4-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:00 A4 (K1号館 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28a-A4-1] 「16.非晶質・微結晶分科内招待講演」(30分)
薄膜シリコン太陽電池コンソーシアムにおける高効率化ならびに大面積高生産性製膜技術の開発状況 (9:00 AM ～ 9:30 AM)

^○斉藤公彦 (太陽光発電研究組合)

[28a-A4-2] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の水素プラズマ処理効果の実時間評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○池田諭，松木伸行，藤原裕之 (岐阜大)

[28a-A4-3] △実時間分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-SiC:H/a-Si:H界面構造の評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○佐藤正規，藤原裕之 (岐阜大)

[28a-A4-4] △分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池構造の評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○村田大輔，湯口哲也，藤原裕之 (岐阜大)

[28a-A4-5] テクスチャー型a-Si:H/μc-Si:Hタンデム型太陽電池の分光感度シミュレーション技術 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

佐合佑一朗，^○藤原裕之 (岐阜大)

[28a-A4-5.1] 休憩(15分)

[28a-A4-6] △薄膜Si太陽電池のプラズマCVDプロセスにおけるラジカル種の影響に関する量子化学計算 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○（M2）桑原卓哉，伊藤寿，石川岳志，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

[28a-A4-7] Si系太陽電池におけるEL発光スペクトルピークの発電層材料依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○福島厚志，篠原亘，寺川朗 (パナソニック)

[28a-A4-8] ▲液体原料を用いた蒸着法による常圧でのa-Si:H膜の作製(メカニズム) (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○申仲栄^1,2，増田貴史^1,3，高岸秀行^1,2，Lam Pham Tien^1,2，大平圭介^1,2，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ALCA²，JST-ERATO³)

[28a-A4-9] 液体原料を用いた蒸着法による常圧でのa-Si:H膜の作製（膜特性） (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○増田貴史^1,2，申仲栄^1,3，高岸秀行^1,3，Pham Tien Lam^1,3，大平圭介^1,3，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ERATO²，JST-ALCA³)

[28a-A4-10] ▲ワイドギャップナノ結晶シリコン自立膜セルの光起電特性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（P）Romain Mentek，Bernard Gelloz，筆宝大平，越田信義 (農工大院工)

一般セッション(口頭講演)

[28p-A4-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年3月28日(木) 13:30 〜 18:45 A4 (K1号館 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28p-A4-0] 昼食(90分)

[28p-A4-1] スパッタ成膜する薄膜太陽電池用AZO透明電極の表面テクスチャ構造形成技術の検討 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○野本淳一，山中俊憲，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大　OEDS R&Dセンター)

[28p-A4-2] 水蒸気添加RFマグネトロンスパッタリング法によるZnO:Al薄膜上のテクスチャ制御 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○三浦修平，熊澤輝顕，田代真樹，野々村修一 (岐大院工)

[28p-A4-3] 微結晶シリコン太陽電池におけるテクスチャ構造の最適周期と膜厚の相関 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○齋均¹，鯉田崇¹，齊藤公彦²，近藤道雄¹ (産総研¹，PVTEC²)

[28p-A4-4] △スパッタエピGe 膜の高温アニール改質 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（B）早瀬久貴，葉文昌 (島根大総合理工)

[28p-A4-5] △スパッタエピ成長Siを光吸収層に用いた単結晶Si薄膜太陽電池 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○建部恭平，早田恭平，葉文 (島根大総合理工)

[28p-A4-6] △新概念太陽電池応用に向けたシリコンナノワイヤアレイの光散乱特性評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○黒川康良^1,4，渡邊裕也¹，加藤慎也¹，山田康晴³，山田明^1,2，太田最実⁵，丹羽勇介⁵，廣田正樹⁵ (東工大院理工¹，東工大PVREC²，東工大工³，JST-さきがけ⁴，日産総研⁵)

[28p-A4-7] 太陽電池応用を目指したアモルファスナノワイヤーの固相結晶化 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○（PC）石川亮佑¹，山崎竜也²，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大²)

[28p-A4-8] ▲Formation of sub-10nm nanoholes by two-step anodization of aluminum on silicon substrate (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○（P）Hoang Nguyen，渡辺晴菜，宇佐美徳隆 (東北大)

[28p-A4-9] △電界効果型太陽電池におけるゲート電圧の影響 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（DC）小林孝裕，松尾直人，熊井祥人，若宮彰太，部家彰 (兵庫県立大)

[28p-A4-9.1] 休憩(15分)

[28p-A4-10] フレキシブル太陽電池の複合加速試験について (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○高野章弘，柳瀬博雅，酒井利明，藤掛伸二 (富士電機)

[28p-A4-11] バックシート開口部からの水分浸入のa-Si PVモジュール特性への影響 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○井上昌尚¹，山本千津子¹，戸田道夫²，増田淳¹ (産総研¹，サエスゲッターズ²)

[28p-A4-12] 結晶シリコンPVモジュールの高温高湿試験における劣化要因 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

鈴木聡¹，尾花英一郎¹，増田淳²，土井卓也²，^○棚橋紀悟¹ (エスペック¹，産総研²)

[28p-A4-13] 太陽電池モジュールにおける高温高湿試験の加速方法の検討 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○鈴木聡¹，棚橋紀悟¹，土井卓也²，増田淳² (エスペック¹，産総研²)

[28p-A4-14] 結晶シリコン太陽電池モジュールへの水蒸気浸入の影響 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○午坊健司¹，増田淳² (ダイキン工業¹，産業技術総合研究所²)

[28p-A4-15] 太陽電池モジュールへの水蒸気浸入経路のCa法による明確化 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○宮下正範^1,2，増田淳³ (太陽光発電研究組合¹，東レ²，産総研³)

[28p-A4-16] △太陽電池モジュールの湿熱劣化における水蒸気浸入と酢酸の関係 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○宮下正範^1,2，増田淳³ (太陽光発電技術組合¹，東レ²，産総研³)

[28p-A4-17] pH感受性蛍光色素による酸性微量水分のpH測定法 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○浅香孝¹，岩見健太郎¹，梅田倫弘¹，増田淳²，宮下正範³ (農工大¹，産総研²，太陽光発電技研組合³)

[28p-A4-18] 結晶シリコン太陽電池モジュールのPID現象による劣化とその対策 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

原浩二郎，^○増田淳 (産総研)

[28p-A4-19] 結晶シリコン太陽電池のPIDにおける反射防止膜の影響 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○三科健¹，大岸厚文¹，今井大輔¹，猿渡哲也¹，上野清志²，土井卓也³，増田淳³ (島津製作所¹，長州産業²，産総研³)

[28p-A4-20] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による単結晶Si太陽電池及びGaAs太陽電池の比較評価 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○伊藤明¹，中西英俊¹，Khandoker Salek²，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

一般セッション(口頭講演)

[29a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年3月29日(金) 09:00 〜 12:00 A4 (K1号館 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29a-A4-1] BSF型単結晶Si太陽電池特性のn+エミッタ拡散条件依存性 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

和佐拓哉，^○葉文昌 (島根大)

[29a-A4-2] シリコンナノインクを用いたBoronレーザードーピング (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○富澤由香¹，池田吉紀¹，大道高弘¹，城尚志¹，添田雅也²，Uma Srinivasan²，Shivkumar Chiruvolu²，花田亨² (帝人¹，ナノグラム²)

[29a-A4-3] AFMを用いたSi-金属ペースト電極(銀及び銅)界面のポテンシャル測定 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○（PC）山田郁彦¹，吉田学²，青木真理¹，伊東宇一²，住田勲勇¹，神谷格¹，大下祥雄¹ (豊田工大¹，産総研²)

[29a-A4-4] 太陽電池用アルミナ膜堆積Siのアニールによる再結合速度の減少 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

佐藤佳祐，^○八木真人，勝又恭輔，荻田陽一郎 (神奈川工科大)

[29a-A4-5] 反応性スパッタリング法によるAl₂O₃:H薄膜の作製と評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○伊藤浩¹，川又由雄²，大山昌憲³ (東京高専¹，芝浦メカトロ²，共立³)

[29a-A4-6] ▼Passivation Quality of A SiN_x Single Passivation Layer on Crystalline-Si Prepared by Cat-CVD (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○Cham Thi Trinh¹，Koichi Koyama^1,2，Keisuke Ohdaira¹，Hideki Matsumura^1,2 (JAIST¹，CREST²)

[29a-A4-6.1] 休憩(15分)

[29a-A4-7] 低温堆積SiN_x/SiO₂二層膜による結晶シリコン表面パッシベーション (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○（M2）小柳俊貴，林将平，水野翼，池田弥央，花房宏明，東清一郎 (広大先端研)

[29a-A4-8] TiO₂-SiO₂ 複合物を用いたスピンコート法によるパッシベーション膜の作製と評価 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（D）吉葉修平¹，谷津克也²，マルワンダムリン¹，須田良幸¹，上迫浩一¹ (農工大・工¹，東京応化²)

[29a-A4-9] aSi:H/cSi ヘテロ接合太陽電池のデバイスモデルとVocのi層厚依存性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○林豊^1,4，Debin Li²，大下祥雄¹，小椋厚志³ (豊田工大¹，シルバコジャパン²，明治大³，産総研⁴)

[29a-A4-10] RFおよびVHF-PECVDにて成膜された真性アモルファスシリコン層を有するシリコンヘテロ接合太陽電池の特性比較 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○中村宣孝，渡部嘉 (長州産業)

[29a-A4-11] 低温ドーピングを用いたa-Si/c-Siヘテロ接合ダイオードの作製 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○津崎省吾¹，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

一般セッション(ポスター講演)

[29p-PA9-1~23] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年3月29日(金) 16:00 〜 18:00 PA9 (第一体育館)

ポスター掲示時間16:00〜18:00(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29p-PA9-1] 低融点金属触媒を用いたシリコンナノワイヤーの作製と評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○福永圭吾，畑山智亮，矢野裕司，岡本尚文，谷あゆみ，冬木隆 (奈良先端大)

[29p-PA9-2] ▲Grain Growth Behavior of Directionally Grown Multicrystalline Silicon (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○Ronit Prakash^1,2，宮村佳児¹，陳君¹，Karolin Jiptner^1,2，李建永³，原田博文¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，明大³)

[29p-PA9-3] ピラミッド凹凸面のキャリア濃度深さ方向分析：電子顕微鏡を用いた電解液容量電圧(ECV)法の較正 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○小松雄爾¹，原田大資^1,2，Erik W. Schuring¹，Ard H.G. Vlooswijk³，香取重尊²，藤田静雄²，Ilkay Cesar¹ (ECN(蘭)¹，京大工²，テンプレス(蘭)³)

[29p-PA9-4] 多結晶シリコン太陽電池における三フッ化塩素ガスによる拡散層形成後のテクスチャ化の検討(Ⅱ) (4:00 PM ～ 6:00 PM)

久保田祥，岩間恵人，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大院理工)

[29p-PA9-5] ClF3 プラズマレスドライエッチングを用いた単結晶Si 太陽電池のテクスチャ処理の最適化(Ⅰ) (4:00 PM ～ 6:00 PM)

宮坂吉徳，大島学，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大院理工)

[29p-PA9-6] スプレー熱分解法による結晶シリコン太陽電池用光反射防止膜の作製 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○原野敬久¹，伊藤省吾¹，原田富太郎² (兵県大工¹，大和産業²)

[29p-PA9-7] シリコン太陽電池の作製方法におけるインピーダンスデータの変化 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○神田広之¹，伊藤省吾¹，原田富太郎² (兵県大工¹，大和産業²)

[29p-PA9-8] シリカゾルによる結晶シリコン太陽電池不純物拡散量低減コーティングの効果 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○深津健¹，伊藤省吾¹，木村裕²，谷本健二² (兵県大工¹，日産化学工業²)

[29p-PA9-9] ポリビニルアルコールを用いたシリコン太陽電池用アルミニウムペーストの作製 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○野口卓馬¹，伊藤省吾¹，松岡敏文²，岡本博明³ (兵県大工¹，日本酢ビ・ポバール²，信越化学工業³)

[29p-PA9-10] SrSiO_x/Si 構造の熱安定性と電気特性の評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（B）谷脇将太¹，豊島祐樹¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^1,2，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明大²，JST-CREST³)

[29p-PA9-11] ▲Detailed Study on the c-Si Surface Passivation Mechanism of O3-Based Batch Atomic Layer Deposited AlOx for Solar Cell Applications (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○Hyunju Lee^1,4，立花福久^1,4，池野成裕^1,4，橋口裕樹^1,4，土屋佑樹^1,4，新船幸二^2,4，吉田晴彦^2,4，佐藤真一^2,4，知京豊裕³，小椋厚志^1,4 (明大¹，兵庫県立大²，物質・材料研究機構³，JST-CREST⁴)

[29p-PA9-12] 室温堆積ALD-AlO_x膜のパッシベーション特性に及ぼす初期酸化界面の影響 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○酒井智香子^1,3，山本俊輔^1,3，三木祥平^1,3，新船幸二^1,3，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明大²，JST-CREST³)

[29p-PA9-13] UV 照射によるALD-AlO_x 膜のパッシベーション特性変化 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

酒井智香子^1,3，漆畑孝^1,3，^○三木祥平^1,3，新船幸二^1,3，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立¹，明大²，JST-CREST³)

[29p-PA9-14] MBE法を用いたSiGe系太陽電池の素子化と基礎特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○村中将紀，須田良幸 (農工大院工)

[29p-PA9-15] MBE法により成長したSiO_x膜の電気的特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（PC）藤田実樹^1,2，北田剛¹，近藤稔¹，河原塚篤^1,2，堀越佳治^1,2 (早大理工¹，CREST²)

[29p-PA9-16] Magnetron sputter法で作製したSi/SiO2薄膜の基礎特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○竹内登志男，河原塚篤，藤田実樹，井上智矢，堀越佳治 (早大)

[29p-PA9-17] 酸化グラフェンをテンプレートに利用した薄膜SiおよびAZO剥離転写 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○渡辺恭平，越野秀人，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

[29p-PA9-18] 表面修飾基を持たないP,B同時ドープSiナノ結晶コロイド (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○杉本泰¹，長谷川正高¹，藤井稔¹，今北健二¹，林真至¹，赤松謙祐² (神戸大院工¹，甲南大フロンティアサイエンス学部²)

[29p-PA9-19] a-Siフレキシブル太陽電池セルの単軸引張による損傷のAE法とロックインサーモグラフィを用いた評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○田澤博幸，坂井建宣，若山修一 (首都大)

[29p-PA9-20] 白色光照射下のレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池局所特性評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○中西英俊¹，伊藤明¹，Salek Khandoker²，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

[29p-PA9-21] 高体積抵抗率を有する封止材による太陽電池モジュールの漏れ電流抑制とPID対策 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○竹田悠太，下木有生 (デュポン)

[29p-PA9-22] フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池のSiベース無機半導体での展開 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○石橋晃¹，佐藤和彦²，河西剛¹，近藤憲治¹，海住英生¹ (北大電子研¹，帝人構造解析研²)

[29p-PA9-23] 太陽光スペクトルの変動を考慮した最適なバンドギャップの検討 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○稲村太一¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

一般セッション(口頭講演)

[30a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年3月30日(土) 09:00 〜 12:00 A4 (K1号館 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[30a-A4-1] △回収シリコン粉末原料の再結晶化に及ぼす酸素の影響 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○佐藤邦孝^1,2，良知健²，藤井寿²，本泉佑²，高木眞一²，米原崇広³，柳基典³，小椋厚志¹，楠木宏毅^1,2，小野春彦^1,2 (明治大¹，神奈川県産技セ²，野村マイクロ³)

[30a-A4-2] 50cm角mono cast Si結晶成長 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○宮村佳児¹，原田博文¹，関口隆史¹，中野智²，柿本浩一² (物材機構¹，九大²)

[30a-A4-3] ▲シードキャストシリコンインゴット中の残留歪の評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○Karolin Jiptner^1,2，福澤理行³，宮村佳児¹，原田博文¹，柿本浩一⁴，関口隆史^1,2 (物質機構¹，筑波大²，京都工繊大³，九大⁴)

[30a-A4-4] ▲太陽電池用多結晶シリコン[001]、[111]面結晶成長における冷却速度と転位伝播におけるスリップシステムの活性化との関係 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○高冰¹，中野智¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹ (九大応力研¹，物質・材料研究機構²)

[30a-A4-5] 太陽電池用結晶Si成長中の転位密度分布解析の評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

井上真翔¹，^○中野智²，Karolin Jiptner^{3, 4}，高冰²，原田博文³，関口隆史³，福澤理行⁵，柿本浩一^{1, 2} (九大院工¹，九大応力研²，物材機構³，筑波大院数物⁴，京工繊大院工芸⁵)

[30a-A4-6] ▲多結晶シリコン中転位分布の不均一性の解析 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○陳君¹，Ronit Roneel Prakash^1,2，李建永^1,3，Karolin Jipter^1,2，宮村佳児¹，原田博文¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，明治大³)

[30a-A4-6.1] 休憩(15分)

[30a-A4-7] △多結晶Siウエハー中の小角粒界の顕微フォトルミネッセンス解析 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○岡山太^1,2，宮崎直人²，平野梨伊^1,3，田島道夫^1,2，豊田裕之¹，小椋厚志² (JAXA宇宙研¹，明大院²，慶大理工³)

[30a-A4-8] △太陽電池用多結晶Siにおける小角粒界のフォトルミネッセンス解析 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○加藤言^1,2，岡山太^1,2，徳丸慎司³，佐藤力樹⁴，豊田裕之¹，田島道夫^1,2，小椋厚志² (JAXA宇宙研¹，明治大²，新日鐵住金³，日鐵テクノリサーチ⁴)

[30a-A4-9] 顕微ELイメージングによる多結晶Si中粒界の電気的特性の定量評価 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○沓掛健太朗^1,3，宮崎直人²，鮫島崇²，立花福久²，小椋厚志²，大野裕¹，徳本有紀¹，宇佐美徳隆¹，米永一郎¹ (東北大金研¹，明大理工²，JSTさきがけ³)

[30a-A4-10] △太陽電池用多結晶Si中の小角粒界における鉄汚染の影響 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○船越正輝¹，宮崎直人¹，土屋佑樹¹，立花福久¹，大下祥雄²，新船幸二³，小椋厚志¹ (明大¹，豊田工大²，兵庫県立大³)

[30a-A4-11] 太陽電池用鋳造多結晶シリコン中のSiN_x不純物の析出 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○李建永^1,2，Ronit Prakash²，Dierre Benjamin²，陳君²，関口隆史²，原田博文²，宮村佳児²，大下祥雄³，柿本浩一⁴，小椋厚志¹ (明治大¹，物材機構²，豊田工大³，九州大⁴)

一般セッション(口頭講演)

[30p-A4-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年3月30日(土) 13:00 〜 15:00 A4 (K1号館 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[30p-A4-0] 昼食(60分)

[30p-A4-1] △高補償比B, P, Ga添加Si結晶のフォトルミネッセンス解析 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○田中香次^1,2，田島道夫^1,2，Maxime Forster³，豊田裕之¹，小椋厚志² (JAXA宇宙研¹，明大院²，APOLLON SOLAR³)

[30p-A4-2] 電子線やレーザ照射による⁵⁷Fe蒸着シリコン中のFe挙動 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○田中清高¹，塚本美徳¹，清水良祐²，吉田豊¹ (静理大¹，フォトンデザイン²)

[30p-A4-3] シリコン中の異なる鉄不純物成分ごとのメスバウア・マッピング技術 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○塚本美徳，田中清高，早川一生，吉田豊 (静理大)

[30p-A4-4] △ナノインプリントによる表面テクスチャ構造を有したSi太陽電池の光散乱シミュレーション (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○吉永征矢¹，石河泰明^{1, 2}，荒木慎司¹，浦岡行治^{1, 2} (奈良先端大¹，CREST²)

[30p-A4-5] △化学的転写法を用いた極低反射Si表面の創製 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○入鹿大地，今村健太郎，小林光 (阪大産研)

[30p-A4-6] ▲Ultra-low reflectivity poly-crystalline Si surfaces fabricated by surface structure chemical transfer method (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○Francisco Franco，今村健太郎，小林光 (阪大産研)

[30p-A4-7] 化学的転写法によるメッシュ構造のシリコン表面への構造転写と極低反射率化 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○高橋昌男，清野友樹，福島隆，金佑柄，小林光 (阪大産研)

[30p-A4-8] マスクレスウェットエッチングで形成したフォトニックナノ構造の形状制御と光学特性 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○星裕介¹，藩伍根¹，木口賢紀¹，大井万史²，太野垣健²，宇佐美徳隆¹ (東北大¹，京都大²)

セッション一覧

16．非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[28a-A4-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

[28p-A4-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

[29a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[29p-PA9-1~23] 16.3 シリコン系太陽電池

[30a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[30p-A4-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池