一般セッション(口頭講演)

[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A17 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▼ [19a-A17-1] Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO₂ in HfO₂/SiO₂/Si stack

^○（D）李秀妍，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大工)

09:15 〜 09:30

[19a-A17-2] Hf_1-xZr_xO₂-HfO₂積層膜におけるHfO₂膜の強誘電的特性の発現

^○西村知紀，矢嶋赳彬，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

09:30 〜 09:45

[19a-A17-3] 分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション　－正負両方向のダイポール層の再現－

^○志村昂亮¹，橋口誠広¹，功刀遼太¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

09:45 〜 10:00

[19a-A17-4] La₂O₃/HfO₂/SiO₂積層絶縁膜Si-MOSキャパシタのフラットバンド電圧の測定

^○福井僚¹，中村嘉基¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，若林整²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

10:00 〜 10:15

[19a-A17-5] Laシリケート/Si接合の熱的不安定性と膜中欠陥

^○中崎靖，諸田美砂子，高島章，加藤弘一，三谷祐一郎 (東芝研開セ)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 11:00

[19a-A17-6] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，熊谷勇喜¹，阿部健一¹，李翔¹，中尾幸久¹，山本雅士²，野平博司³，室隆桂之4⁴，木下豊彦⁴，須川成利¹，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，ステラケミファ²，都市大³，JASRI⁴)

11:00 〜 11:15

[19a-A17-7] SiO₂/Si界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価

^○森谷真帆^1,3，天野裕士^2,3，小林大輔³，山本知之¹，廣瀬和之³ (早大理工¹，東京都市大²，宇宙研³)

11:15 〜 11:30

[19a-A17-8] 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討

^○若尾周一郎^1,2，廣瀬和之²，小林大輔²，山本知之¹ (早大理工¹，宇宙研²)

11:30 〜 11:45

△ [19a-A17-9] SiN膜組成制御によるMONOS型メモリ消去速度-保持特性両立

^○藤井章輔，草井悠，佐久間究，小山正人 (東芝)

11:45 〜 12:00

[19a-A17-10] 低温Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂/Si構造の作製および評価

^○藤川雄太，上野智雄，岩崎好孝 (東京農工大工)

12:00 〜 12:15

△ [19a-A17-11] ポリシラザン塗布膜のCO₂レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジスタ応用

^○菱谷大輔¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，渡辺陽介³，池上浩³，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²，九大³)

12:15 〜 12:30

▲ [19a-A17-12] Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density

^○（D）蔡偉立^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月19日(金) 14:00 〜 17:00 A17 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:30～14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[19p-A17-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上

^○小田穣，入沢寿史，ジェバスワンウィパコーン，前田辰郎，上牟田雄一，手塚勉 (産総研GNC)

14:15 〜 14:30

△ [19p-A17-2] 窒素プラズマ処理を施したAl₂O₃/GaSb MOS構造の特性評価

^○（M2）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎^1,2 (東京理科大院¹，産総研²)

14:30 〜 14:45

[19p-A17-3] ALD法を用いたAl₂O₃膜の酸化剤による膜質の検討

^○野崎義人，関口哲志，平岩篤，川原田洋 (早大ナノ機構)

14:45 〜 15:00

△ [19p-A17-4] ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討

^○梁池昂生¹，横平知也¹，山田大地¹，王谷洋平¹，関渓太²，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

15:00 〜 15:15

[19p-A17-5] Al₂O₃/GeO₂/p-Geの電気特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果

^○王谷洋平¹，梁池昂生¹，横平知也¹，山田大地¹，関渓太²，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

15:15 〜 15:30

[19p-A17-6] ALDにより形成したAl₂O₃/Geゲートスタックに於けるKr/O₂ ECRプラズマ酸化効果

^○（M2）長岡裕一¹，永冨雄太¹，山本圭介²，王冬¹，中島寛² (九大院総合理工学府¹，九大産学連携センター²)

休憩15:30～15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [19p-A17-7] プラズマ後窒化HfO₂/Al₂O₃/SiGe_0.32 MOS界面の電極依存性

^○（D）韓在勲^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

16:00 〜 16:15

[19p-A17-8] CVD法によるGe酸化膜の作製と評価

^○（M2）松岡悠斗，岩崎好孝，上野智雄 (農工大工)

16:15 〜 16:30

[19p-A17-9] Hf-PMAによる良質なGeO₂/Ge界面とGeO₂絶縁膜の性質変化

^○新井田淳平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

16:30 〜 16:45

[19p-A17-10] Kr/O₂プラズマを用いたGeO₂/Ge界面特性の改善

^○中谷友哉，新井田淳平，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

16:45 〜 17:00

[19p-A17-11] パルスMOCVD法により作製したGeO₂薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性

^○柴山茂久^1,2，吉田鉄兵¹，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-PA3-1~7] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第1体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PA3会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[20a-PA3-1] 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層

^○奥友希¹，奥村学²，志賀俊彦¹，戸塚正裕¹，渡辺斉¹ (三菱電機¹，メルコセミコンダクターエンジニアリング²)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PA3-2] シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連

^○高見貴弘，和田誠，遠田義晴 (弘前大院理工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA3-3] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果(Ⅲ)

^○（M2）鈴木亜嵐¹，永島大樹²，林宏紀²，小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

09:30 〜 11:30

[20a-PA3-4] 低誘電率SiCN電荷捕獲層の正孔捕獲特性

^○（M1）田中伸，内藤慎二，小林清輝 (東海大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA3-5] 多結晶HfO₂膜における絶縁破壊箇所の同定

^○戸村有佑¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大¹，産総研²)

09:30 〜 11:30

[20a-PA3-6] High-k/ High-k界面におけるダイポール形成の可能性の検討

^○橋口誠広¹，志村昂亮¹，功刀遼太¹，知京豊裕³，小椋厚志^4,6，佐藤真一^5,6，渡邉孝信^1,2,6 (早大理工¹，早大ナノ機構²，物材機構³，明大理工⁴，兵庫県立大⁵，JST-CREST⁶)

09:30 〜 11:30

[20a-PA3-7] Si(001)上のGaSbﾅﾉｺﾝﾀｸﾄﾍﾃﾛｴﾋﾟ成長とHfO2/GaSb MOS特性

^○宮田典幸¹，大竹晃浩²，市川昌和³，森貴洋¹，安田哲二¹ (産総研¹，物材機構²，東大院工³)

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13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

▼ [19a-A17-1] Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO₂ in HfO₂/SiO₂/Si stack

[19a-A17-2] Hf_1-xZr_xO₂-HfO₂積層膜におけるHfO₂膜の強誘電的特性の発現

[19a-A17-3] 分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション　－正負両方向のダイポール層の再現－

[19a-A17-4] La₂O₃/HfO₂/SiO₂積層絶縁膜Si-MOSキャパシタのフラットバンド電圧の測定

[19a-A17-5] Laシリケート/Si接合の熱的不安定性と膜中欠陥

[19a-A17-6] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species

[19a-A17-7] SiO₂/Si界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価

[19a-A17-8] 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討

△ [19a-A17-9] SiN膜組成制御によるMONOS型メモリ消去速度-保持特性両立

[19a-A17-10] 低温Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂/Si構造の作製および評価

△ [19a-A17-11] ポリシラザン塗布膜のCO₂レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジスタ応用

▲ [19a-A17-12] Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density

[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

[19p-A17-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上

△ [19p-A17-2] 窒素プラズマ処理を施したAl₂O₃/GaSb MOS構造の特性評価

[19p-A17-3] ALD法を用いたAl₂O₃膜の酸化剤による膜質の検討

△ [19p-A17-4] ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討

[19p-A17-5] Al₂O₃/GeO₂/p-Geの電気特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果

[19p-A17-6] ALDにより形成したAl₂O₃/Geゲートスタックに於けるKr/O₂ ECRプラズマ酸化効果

△ [19p-A17-7] プラズマ後窒化HfO₂/Al₂O₃/SiGe_0.32 MOS界面の電極依存性

[19p-A17-8] CVD法によるGe酸化膜の作製と評価

[19p-A17-9] Hf-PMAによる良質なGeO₂/Ge界面とGeO₂絶縁膜の性質変化

[19p-A17-10] Kr/O₂プラズマを用いたGeO₂/Ge界面特性の改善

[19p-A17-11] パルスMOCVD法により作製したGeO₂薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性

[20a-PA3-1~7] 13.2 絶縁膜技術

[20a-PA3-1] 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層

△ [20a-PA3-2] シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連

[20a-PA3-3] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果(Ⅲ)

[20a-PA3-4] 低誘電率SiCN電荷捕獲層の正孔捕獲特性

[20a-PA3-5] 多結晶HfO₂膜における絶縁破壊箇所の同定

[20a-PA3-6] High-k/ High-k界面におけるダイポール形成の可能性の検討

[20a-PA3-7] Si(001)上のGaSbﾅﾉｺﾝﾀｸﾄﾍﾃﾛｴﾋﾟ成長とHfO2/GaSb MOS特性

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13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

▼ [19a-A17-1] Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO2 in HfO2/SiO2/Si stack

△ [19a-A17-9] SiN膜組成制御によるMONOS型メモリ消去速度-保持特性両立

△ [19a-A17-11] ポリシラザン塗布膜のCO2レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジスタ応用

▲ [19a-A17-12] Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density

[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

△ [19p-A17-2] 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価

△ [19p-A17-4] ALD形成Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討

△ [19p-A17-7] プラズマ後窒化HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS界面の電極依存性

[20a-PA3-1~7] 13.2 絶縁膜技術

△ [20a-PA3-2] シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連

▼ [19a-A17-1] Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO₂ in HfO₂/SiO₂/Si stack

△ [19a-A17-11] ポリシラザン塗布膜のCO₂レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジスタ応用

△ [19p-A17-2] 窒素プラズマ処理を施したAl₂O₃/GaSb MOS構造の特性評価

△ [19p-A17-4] ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討

△ [19p-A17-7] プラズマ後窒化HfO₂/Al₂O₃/SiGe_0.32 MOS界面の電極依存性