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13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

一般セッション(ポスター講演)

[15p-PA4-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月15日(火) 16:00 〜 18:00 PA4 (イベントホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[15p-PA4-1] パワー半導体冷却用Siペルチェ素子の開発

〇古林寛¹、種平貴文²、米盛敬²、瀬尾宣英²、黒木伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.マツダ(株)技術研)

16:00 〜 18:00

[15p-PA4-2] ソース・ドレイン内の不純物イオン密度増加によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析

〇小川雄己¹、鎌倉良成²、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.阪大院工)

16:00 〜 18:00

[15p-PA4-3] スーパー接合構造を持つSBCDのデバイスシミュレーション

〇(M1)對馬広隆¹、工藤嗣友²、菅原文彦¹ (1.東北学院大工、2.神奈川工科大)

16:00 〜 18:00

[15p-PA4-4] A first principles study on the processes of silicon carbide thermal oxidation

Yamasaki Takahiro^1,2、〇Tajima Nobuo^1,2,4、Kaneko Tomoaki^1,2、Nara Jun^1,2、Schimizu Tatsuo³、Kato Kouichi³、Ohno Takahisa^1,2,4 (1.NIMS、2.MARCEED、3.Toshiba R&D Center、4.Univ. of Tokyo)

16:00 〜 18:00

▲ [15p-PA4-5] Nano holes on micro pyramids: modulated surface texturing with neutral beam for the application of optical trapping in Si Solar cells

〇(PC)Halubai Sekhar¹, Yasuhiro Kida¹, Mohammad Maksudur Rahman², Tomohiro Kubota², Seiji Samukawa^2,3, Hidetaka Takato¹, Michio Kondo¹ (1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST, Japan, 2.Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan, 3.WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)

一般セッション(口頭講演)

[16a-2D-5~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 10:15 〜 12:15 2D (212-2)

座長:上野智雄(農工大)

△：奨励賞エントリー
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10:15 〜 10:30

[16a-2D-5] GeコアSi量子ドットからの発光スペクトルー温度依存性

〇近藤圭悟¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

10:30 〜 10:45

[16a-2D-6] P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

〇竹内大智^1,2、牧原克典¹、大田晃生¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.学振特別研究員)

10:45 〜 11:00

[16a-2D-7] ラマン分光法によるコバルトシリサイド形成過程の評価

〇(M1)山村和也¹、西垣宏¹、蓮池紀幸¹、播磨弘¹、Woo Sik Yoo² (1.京都工繊大、2.Wafer Masters Inc.)

11:00 〜 11:15

[16a-2D-8] X線光電子分光法におけるチャージアップの帯電補償に関する研究

〇津吹優太^1,2、小林大輔^1,2、廣瀬和之^1,2 (1.東大院工、2.宇宙研)

11:15 〜 11:30

[16a-2D-9] X線光電子分光法によるSiおよびSiO₂の価電子帯上端位置の決定

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

11:30 〜 11:45

[16a-2D-10] EBSP法を用いたSiGe/Geナノワイヤー構造に生じる応力緩和分布の高空間分解能測定

〇富田基裕^1,2、武内一真¹、山本章太郎¹、小瀬村大亮¹、臼田宏治³、小椋厚志¹ (1.明大理工、2.学振特別研究員PD、3.産総研GNC)

11:45 〜 12:00

[16a-2D-11] 二光子吸収過程を用いた半導体デバイスにおける電荷収集

〇井辻宏章^1,2、小林大輔^1,2、廣瀬和之^1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研)

12:00 〜 12:15

[16a-2D-12] IV 族系化合物混晶単層膜の構造および電子状態に関する理論的検討

〇秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

一般セッション(口頭講演)

[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 2D (212-2)

座長:嵯峨幸一郎(ソニー),森伸也(阪大)

△：奨励賞エントリー
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13:15 〜 13:30

[16p-2D-1] SSRM（Scanning Spread Resistance Microscope）測定技術のデバイス故障解析への応用

〇早瀬洋平¹、原啓良¹、小形信介¹、張利²、圷晴子¹ (1.（株）東芝　S&S社、2.（株）東芝　R&D Center)

13:30 〜 13:45

[16p-2D-2] SSRM測定における試料保護膜の影響

〇吉際潤¹、深沢正永¹、伊藤琢哉¹、大島啓示¹、嵯峨幸一郎¹ (1.ソニー)

13:45 〜 14:00

[16p-2D-3] 水晶振動子法による多成分系有機分子間相互作用検出

チェジェハ¹、〇羽深等¹ (1.横国大院工)

14:00 〜 14:15

[16p-2D-4] バッチ式湿式洗浄機壁面からの水排出設計

小野伸賢¹、〇奥山将吾¹、宮崎賢都¹、羽深等¹、後藤昭広² (1.横国大院工、2.プレテック)

14:15 〜 14:30

[16p-2D-5] 酸素還元活性を持つ触媒金属による水中でのGe表面平坦化の試み

〇有馬健太¹、川瀬達也¹、齋藤雄介¹、川合健太郎¹、佐野泰久¹、山内和人¹、森田瑞穂¹ (1.阪大院工)

14:30 〜 14:45

△ [16p-2D-6] Si表面平坦化の熱処理条件依存性

〇(D)工藤聡也¹、Atthi Nithi¹、大見俊一郎¹ (1.東工大)

休憩（14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[16p-2D-7] TE-TB法を用いたSi結晶多形の電子構造計算

〇西野信也¹、藤原毅夫²、山元進³、鈴木隆史¹、池田稔⁴、大谷泰昭¹ (1.(株)アルゴグラフィックス、2.東大・大総セ、3.東京工科大・CS、4.物材機構)

15:15 〜 15:30

△ [16p-2D-8] 分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内の原子間ポテンシャルに関する考察

〇富田基裕^1,2,3、小椋厚志²、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.明大理工、3.学振特別研究員PD)

15:30 〜 15:45

△ [16p-2D-9] SiC/SiO₂界面モデリングのためのダイナミックボンドオーダー・ポテンシャルの開発

〇(D)橋本修一郎¹、渡邉孝信¹ (1.早稲田大学)

15:45 〜 16:00

△ [16p-2D-10] GeO₂酸化膜を考慮したGeナノワイヤ構造の熱伝導率およびフォノン分散関係の分子動力学的解析

〇小出隆太¹、志村昴亮¹、橋本修一郎¹、富田基裕^1,2,3、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.明大理工、3.学新特別研究員PD)

16:00 〜 16:15

[16p-2D-11] 波付きシリコン量子細線における音響フォノンによる弾道熱輸送

〇服部淳一¹、ウラジーミルポボルチー¹、多田哲也¹ (1.産総研)

16:15 〜 16:30

△ [16p-2D-12] Geナノワイヤの高電界正孔輸送における負性微分抵抗特性の発現

〇田中一¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

16:30 〜 16:45

[16p-2D-13] ドリフト拡散シミュレーションにおけるキャリア移動度の離散不純物モデル依存性

〇(M2)井上和総¹、Min Chong Lim¹、植田暁子¹、佐野伸行¹ (1.筑波大数物)

16:45 〜 17:00

[16p-2D-14] 大規模半導体デバイスの領域分割解析に向けた境界条件交換法の検討

〇松沢一也¹、阿部真利¹、小田嘉則¹、小町潤¹、伊藤浩之¹、鍾菁廣²、小田中紳二²、越本浩央³、池上努³、福田浩一³ (1.STARC、2.大阪大学、3.産総研)

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