一般セッション(口頭講演)

[20a-S011-1~8] 13.10 化合物太陽電池

2016年3月20日(日) 10:00 〜 12:00 S011 (南講義棟)

大島隆治(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[20a-S011-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】フーリエ変換赤外光電流分光による量子ドット太陽電池における室温２段階光吸収の最適化設計

〇玉置亮¹、庄司靖¹、菅谷武芳²、岡田至崇¹ (1.東大先端研、2.産総研)

10:15 〜 10:30

[20a-S011-2] InAs/GaAs 量子ドット超格子太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響

〇(M1)渡辺翔¹、朝日重雄¹、加田智之¹、海津利行¹、原田幸弘¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

10:30 〜 10:45

[20a-S011-3] Dot-in-Well中間バンド型太陽電池における中間準位内の長い電子寿命

〇(D)朝日重雄¹、寺西陽之¹、渡辺翔¹、渡部大樹¹、海津利行¹、喜多隆¹ (1.神戸大工)

10:45 〜 11:00

▲ [20a-S011-4] Up-converted photoluminescence in InAs QD-based structures with confined state

〇(P)Zhang Yuwei¹、 Kamiya Itaru¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

11:00 〜 11:15

[20a-S011-5] 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池の熱処理効果

〇(M1)秋元直己¹、仁井皓大¹、南裕太¹、遠藤航介¹、山口浩一¹ (1.電気通信大学)

11:15 〜 11:30

[20a-S011-6] 量子井戸太陽電池における電子と正孔の走行時間および実効移動度の評価

〇トープラサートポンカシディット¹、谷渕泰三²、加田智之²、朝日重雄²、渡辺健太郎¹、杉山正和¹、喜多隆²、中野義昭¹ (1.東大工、2.神戸大)

11:30 〜 11:45

△ [20a-S011-7] 低温での量子井戸および波状量子井戸太陽電池におけるキャリア回収効率の評価

〇趙博文¹、トープラサートポンカシディット¹、ソダーバンルハッサネット²、渡辺健太郎²、杉山正和¹、中野義昭¹ (1.東大工、2.東大先端研)

11:45 〜 12:00

[20a-S011-8] 可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価

〇(D)市橋史朗¹、川口昂彦²、董鑫宇¹、井上明人¹、桑原真人¹、伊藤孝寛¹、原田俊太¹、田川美穂¹、宇治原徹¹ (1.名大院工、2.名大VBL)

一般セッション(口頭講演)

[20p-S011-1~8] 13.10 化合物太陽電池

2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 S011 (南講義棟)

渡辺健太郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[20p-S011-1] テラヘルツ分光によるGaAs太陽電池内部の光励起キャリア評価

〇(D)山下元気¹、松原英一^1,2、永井正也¹、金昌秀³、秋山英文³、金光義彦⁴、芦田昌明¹ (1.阪大基礎工、2.大阪歯科大、3.東大物性研、4.京大化研)

13:45 〜 14:00

[20p-S011-2] 波長可変レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による3接合太陽電池の観察

〇濱内翔太¹、酒井裕司¹、梅垣俊仁¹、川山巌¹、伊藤明²、中西英俊²、村上博成¹、斗内政吉¹ (1.阪大レーザー研、2.SCREEN ホールディングス)

14:00 〜 14:15

[20p-S011-3] 多接合太陽電池エレクトロルミネッセンス定量計測の測定精度評価

〇吉田正裕¹、朱琳¹、金昌秀¹、久保田英博²、中村徹哉³、今泉充³、金光義彦⁴、秋山英文¹ (1.東大物性研、2.アトー（株）、3.JAXA、4.京大化研)

14:15 〜 14:30

[20p-S011-4] 逆積み1.0 eV帯GaInAsP薄膜太陽電池における暗電流の低減

〇大島隆治¹、牧田紀久夫¹、太野垣健¹、菅谷武芳¹ (1.産総研)

14:30 〜 14:45

▲ [20p-S011-5] Low Optical Reflection at Intermediate Adhesive Layer for Mechanically Stacked Multi-Junction Solar Cells

〇(B)菅原崇¹、木村駿介¹、吉冨真也¹、齋藤祥介¹、蓮見真彦¹、鮫島俊之¹ (1.農工大工)

14:45 〜 15:00

△ [20p-S011-6] 超高効率多接合太陽電池作製に向けた表面活性化接合界面の評価

〇山下大之¹、渡辺健太郎¹、藤野真久¹、星井拓也^1,2、杉山正和¹、岡田至崇^1,2、須賀唯知¹、中野義昭¹ (1.東大院工、2.東大先端研)

15:00 〜 15:15

△ [20p-S011-7] エピタキシャルリフトオフにより作製したGaInNAsSb薄膜太陽電池評価

〇宮下直也^1,2、 Benoît Behaghel^1,2、 Jean-François Guillemoles^1,2、岡田至崇^1,2 (1.東大先端研、2.LIA-NextPV)

15:15 〜 15:30

▲ [20p-S011-8] Analysis of subcell damage in proton irradiated triple-junction solar cells with time-resolved photoluminescence

〇(P)Tex Michael David¹、井原章之¹、中村徹哉²、今泉充²、大島武³、金光義彦¹ (1.京大化研、2.宇宙機構、3.原子力機構)

一般セッション(ポスター講演)

[20p-P14-1~23] 13.10 化合物太陽電池

2016年3月20日(日) 16:00 〜 18:00 P14 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[20p-P14-1] GaN 基板上InGaN/GaN MQW 太陽電池における井戸層厚と太陽電池特性

〇渡邉則之¹、満原学¹、重川直輝² (1.NTT先デ研、2.大阪市大)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-2] GaAs/Si太陽電池における変換効率・発電コストのGaAs層厚依存性

〇長岡恵里奈¹、井上智之¹、トープラサートポンカシディット¹、山下大之¹、渡辺健太郎²、杉山正和¹、中野義昭¹ (1.東大工、2.東大先端研)

16:00 〜 18:00

△ [20p-P14-3] 低エネルギー電子線フラックスがGaAs太陽電池へ及ぼす影響

〇(DC)奥野泰希¹、奥田修一¹、岡喬¹、川北史郎^1,2、今泉充²、艸分宏昌² (1.大阪府立大学、2.宇宙航空研究開発機構)

16:00 〜 18:00

△ [20p-P14-4] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ界面の形成

〇(M1)近江沙也夏¹、熊崎祐介¹、佐藤威友¹ (1.北大量集セ)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-5] 薄膜太陽電池応用に向けた電気化学インピーダンス法による堆積時のスパッタダメージの定量化

〇(M1)中井洋志¹、坂倉秀徳¹、川出大祐¹、 Hüseyin Sarı²、板垣昌幸¹、杉山睦¹ (1.東京理科大学　理工/総研、2.アンカラ大学)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-6] 固相反応法を用いたCZTS多結晶における組成分布の均一性向上

〇(M1)小谷昌大¹、沈用球²、脇田和樹¹ (1.千葉工大、2.大府大院工)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-7] 化学量論比組成に近い組成を持つCu₂ZnSnS₄薄膜発光の組成比依存

〇田中久仁彦¹、進也三浦¹、髙松良春¹ (1.長岡技大)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-8] 種々の温度で合成したCu₂ZnSnSe₄ナノ粒子の光学特性

〇鈴木俊正¹、鈴木吏²、堀茂雄²、野々村修一² (1.JFCC、2.岐阜大工)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-9] 化合物を用いた連続蒸着法によるCu₂ZnSnSe₄薄膜へのNaF添加

〇中嶋崇喜¹、山田竜也¹、山口利幸¹ (1.和高専)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-10] スプレー熱分解法によるCu₂ZnGeS₄薄膜太陽電池の作製

〇(M1)藤川祥太朗¹、ヒェプグエン　ティ¹、原田隆史¹、中西周次¹、池田茂¹ (1.阪大太エネ化研センター)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-11] セレン化法によるCu₂SnSe₃薄膜の作製と太陽電池への応用

〇中嶋崇喜¹、上北崇弘¹、山口利幸¹ (1.和高専)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-12] Sn/Cu/Agプリカーサにおけるアニール温度の影響

〇田之上幸輝¹、荒木秀明²、中村重之³、瀬戸悟⁴、山口利幸⁵、赤木洋二¹ (1.都城高専、2.長岡高専、3.津山高専、4.石川高専、5.和歌山高専)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-13] Ag-Sn膜の硫化によるAg-Sn-S薄膜の評価

〇秋田駿斗¹、荒木秀明²、中村重之³、瀬戸悟⁴、山口利幸⁵、赤木洋二¹ (1.都城高専、2.長岡高専、3.津山高専、4.石川高専、5.和歌山高専)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-14] 異なる基板温度で蒸着したSnS薄膜の熱処理の影響

〇岩崎和也¹、中村重之²、荒木秀明³、赤木洋二¹ (1.都城高専、2.津山高専、3.長岡高専)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-15] 硫化法を用いたSnS 薄膜におけるS 分圧制御およびNa 添加の効果

〇(M1)三上俊太郎¹、横井翼¹、鷲見浩貴¹、相原理¹、浅野貴士¹、逸見章彦¹、 KHATRI ISHWOR¹、杉山睦¹ (1.東京理科大学理工/総研)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-16] 近接昇華法を用いたSnS薄膜の作製

〇阿部聖人¹、家後和美¹、赤木洋二²、片桐裕則¹、荒木秀明¹ (1.長岡高専、2.都城高専)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-17] 液相法によるSnSナノ粒子の合成

〇水野裕貴¹、濱中泰¹ (1.名工大院)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-18] 液液界面を介した電気泳動法による高分散Iron pyrite(FeS₂)量子ドット溶液の作製

〇田村伸一¹、生野孝¹ (1.豊田中研)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-19] PLD法によるCuInS₂薄膜成長と組成制御

〇喜屋武一成¹、吉田亮¹、沈用球²、脇田和樹¹ (1.千葉工大、2.大阪大院工)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-20] FTPS法を用いた化合物薄膜太陽電池の光吸収評価

〇(M1)Nur Syazwana Binti Abd Rahman¹、祖父江弘志¹、伊藤貴司¹、野々村修一¹、山田明² (1.岐阜大工、2.東工大院理工)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-21] Moエピタキシャル膜に及ぼす低温バッファ層の効果

〇(B)山上武¹、寺本真浩¹、 Ishwor Khatri²、杉山睦^1,2、中田時夫² (1.東京理科大学理工、2.東京理科大学総研)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-22] 分子線エピタキシー法によるn-ZnS/p-CuGaS₂接合の作製と評価

〇山田秀明¹、倉掛真弥¹、松下将也¹、髙村健¹、馬場﨑巧¹、阿部友紀¹、市野邦男¹ (1.鳥取大院工)

16:00 〜 18:00

[20p-P14-23] 分子線エピタキシー法によるTe添加CuGaS₂薄膜の作製

〇松下将也¹、倉掛真弥¹、山田秀明¹、髙村健¹、馬場﨑巧¹、阿部友紀¹、市野邦男¹ (1.鳥取大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21a-S221-1~11] 13.10 化合物太陽電池

2016年3月21日(月) 09:30 〜 12:15 S221 (南2号館)

荒木秀明(長岡高専)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

△ [21a-S221-1] ACuSeF(A = Ba, Sr)/ITO 複合膜を裏面電極に用いた CdTe 太陽電池

〇北林秀弥¹、和田隆博¹、小川洋平²、細野藍響²、岡本保² (1.龍谷大理工、2.木更津高専)

09:45 〜 10:00

[21a-S221-2] FeOOH薄膜の硫黄アニールによるFeSOの作製

〇牧采佳¹、市村正也¹ (1.名工大)

10:00 〜 10:15

△ [21a-S221-3] 金属Zn薄膜のリン化による高配向Zn₃P₂薄膜の作製

〇(D)勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹、白井泰治¹ (1.京大院工)

10:15 〜 10:30

△ [21a-S221-4] ラマン分光法を用いたZnSnP₂における規則-不規則変態挙動の調査

〇(D)中塚滋¹、岩田晃樹¹、野瀬嘉太郎¹、原田隆史²、池田茂²、白井泰治¹ (1.京大院工、2.阪大太陽エネ研セ)

10:30 〜 10:45

[21a-S221-5] ZnSnP₂薄膜太陽電池の光電特性の面内分布解析

〇(M2)湯澤典之¹、中塚滋²、野瀬嘉太郎²、峯元高志¹ (1.立命館大、2.京都大)

10:45 〜 11:00

△ [21a-S221-6] Effect of NaF addition to Cu₂SnS₃ absorbers

〇(M1)Suzuki Koichi¹、 Uegaki Hikaru¹、 Hamamura Kazuki¹、 Kondo Takanori¹、 Minemoto Takashi¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

11:00 〜 11:15

[21a-S221-7] Cu₂SnS₃バルク結晶の励起子発光スペクトル

〇粟飯原直也¹、松本祐典¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

11:15 〜 11:30

▲ [21a-S221-8] Comparative study of self-constituent buffer layers for synthesis Cu₂ZnSnS₄ thin films

〇(D)Fu Shengwen¹、 Chen HuiJu¹、 Shih ChuanFeng¹ (1.Cheng Kung Univ.)

11:30 〜 11:45

[21a-S221-9] 過酸化水素水によるCZTS薄膜の表面エッチング

〇宮崎尚¹、岸村浩明¹、青野祐美¹、片桐裕則² (1.防衛大材料、2.長岡高専)

11:45 〜 12:00

[21a-S221-10] 塗布型Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜太陽電池におけるチオ尿素処理

〇桑名潤¹、江尾卓也¹、杉本寛太¹、陶山直樹¹、佐竹哲夫²、張毅聞²、山田明^1,3 (1.東工大院理工、2.凸版印刷、3.東工大PVREC)

12:00 〜 12:15

[21a-S221-11] 塗布型Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜に対するVI族粉末を用いた焼結過程の解析

〇(M2)杉本寛太¹、桑名潤¹、陶山直樹¹、佐竹哲夫²、張毅聞²、山田明^1,3 (1.東工大院理工、2.凸版印刷、3.東工大PVREC)

一般セッション(口頭講演)

[21p-S221-1~14] 13.10 化合物太陽電池

2016年3月21日(月) 13:45 〜 17:45 S221 (南2号館)

石塚尚吾(産総研)、杉山睦(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:15

[21p-S221-1] 【第6回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）受賞記念講演】 CIGS薄膜太陽電池の変換効率抑制要因の解明と高効率化技術の開発

〇上川由紀子¹ (1.産総研)

14:15 〜 14:30

[21p-S221-2] 低温製膜における単傾斜構造を有するCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の界面価電子帯制御による高効率化

〇荻原知寛¹、サドノアディユダ¹、山田明^1,2 (1.東工大理工院、2.東工大PVREC)

14:30 〜 14:45

[21p-S221-3] Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の光吸収層へのチオ尿素溶液処理

〇(M2)古田健人¹、渡辺基¹、土岐爽真¹、山田明^1,2 (1.東工大院理工、2.東工大PVREC)

14:45 〜 15:00

[21p-S221-4] 大気下におけるCIGS太陽電池の効率劣化の解析

〇西永慈郎¹、上川由紀子¹、柴田肇¹、仁木栄¹ (1.産総研)

15:00 〜 15:15

[21p-S221-5] 光熱モードAFMを用いたCIGS単膜およびCdS/CIGS膜における非発光再結合特性の評価

〇小松里紗¹、峯元高志³、高橋琢二^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.立命館大理工)

15:15 〜 15:30

△ [21p-S221-6] CuInSe₂/CuGaSe₂単一量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス測定

〇ショウサンウ¹、 Sathiabama Thiru²、中村芳樹¹、堀越佳治¹、竹内淳¹ (1.早大先進、2.UTM Razak School)

15:30 〜 15:45

[21p-S221-7] CuGaSe₂太陽電池のデバイス化工程の影響評価

〇石塚尚吾¹、上川由紀子¹、西永慈郎¹、柴田肇¹ (1.産総研)

16:00 〜 16:15

[21p-S221-8] Cu(In,Ga)Se₂/CdS界面へのCu(In,Ga)₃Se₅挿入によるCu(In,Ga)Se₂太陽電池の高効率化

〇(M1)土岐爽真¹、西村昂人¹、山田明^1,2 (1.東工大院理工、2.東工大PVREC)

16:15 〜 16:30

[21p-S221-9] CuIn₃Se₅およびCuGa₃Se₅の電子構造

〇(PC)前田毅¹、宮イゲン¹、西谷幹彦¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

16:30 〜 16:45

△ [21p-S221-10] CuIn₃Se₅およびCuGa₃Se₅への硫黄の固溶効果

〇(B)上田健太¹、前田毅¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

16:45 〜 17:00

[21p-S221-11] Cu(In,Ga)S₂系固溶体の光学評価とバンドラインナップ

〇細木恵¹、前田毅¹、西谷幹彦¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

17:00 〜 17:15

△ [21p-S221-12] PLD法を用いたCuInS₂膜の作製と太陽電池への応用

〇川邉利幸¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

17:15 〜 17:30

[21p-S221-13] 対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCuInS₂薄膜及び太陽電池セルの作製と評価

〇鳴海航太¹、上田朝陽¹、山田一樹¹、野本隆宏¹、石川亮佑¹、坪井望¹ (1.新潟大)

17:30 〜 17:45

△ [21p-S221-14] 高開放電圧、高曲線因子を目指したAg(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の開発

〇(DC)梅原猛¹、飯沼祥平¹、ビンモハマドズルキフリファリスアキラ¹、山田明^1,2 (1.東工大院理工、2.東工大PVREC)

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[20a-S011-1~8] 13.10 化合物太陽電池

▲ [20a-S011-4] Up-converted photoluminescence in InAs QD-based structures with confined state

△ [20a-S011-7] 低温での量子井戸および波状量子井戸太陽電池におけるキャリア回収効率の評価

[20p-S011-1~8] 13.10 化合物太陽電池

▲ [20p-S011-5] Low Optical Reflection at Intermediate Adhesive Layer for Mechanically Stacked Multi-Junction Solar Cells

△ [20p-S011-6] 超高効率多接合太陽電池作製に向けた表面活性化接合界面の評価

△ [20p-S011-7] エピタキシャルリフトオフにより作製したGaInNAsSb薄膜太陽電池評価

▲ [20p-S011-8] Analysis of subcell damage in proton irradiated triple-junction solar cells with time-resolved photoluminescence

[20p-P14-1~23] 13.10 化合物太陽電池

△ [20p-P14-3] 低エネルギー電子線フラックスがGaAs太陽電池へ及ぼす影響

△ [20p-P14-4] 電気化学堆積法による Cu2O/InP ヘテロ界面の形成

[21a-S221-1~11] 13.10 化合物太陽電池

△ [21a-S221-1] ACuSeF(A = Ba, Sr)/ITO 複合膜を裏面電極に用いた CdTe 太陽電池

△ [21a-S221-3] 金属Zn薄膜のリン化による高配向Zn3P2薄膜の作製

△ [21a-S221-4] ラマン分光法を用いたZnSnP2における規則-不規則変態挙動の調査

△ [21a-S221-6] Effect of NaF addition to Cu2SnS3 absorbers

▲ [21a-S221-8] Comparative study of self-constituent buffer layers for synthesis Cu2ZnSnS4 thin films

[21p-S221-1~14] 13.10 化合物太陽電池

△ [21p-S221-6] CuInSe2/CuGaSe2単一量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス測定

△ [21p-S221-10] CuIn3Se5およびCuGa3Se5への硫黄の固溶効果

△ [21p-S221-12] PLD法を用いたCuInS2膜の作製と太陽電池への応用

△ [21p-S221-14] 高開放電圧、高曲線因子を目指したAg(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の開発

認証

△ [20p-P14-4] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ界面の形成

△ [21a-S221-3] 金属Zn薄膜のリン化による高配向Zn₃P₂薄膜の作製

△ [21a-S221-4] ラマン分光法を用いたZnSnP₂における規則-不規則変態挙動の調査

△ [21a-S221-6] Effect of NaF addition to Cu₂SnS₃ absorbers

▲ [21a-S221-8] Comparative study of self-constituent buffer layers for synthesis Cu₂ZnSnS₄ thin films

△ [21p-S221-6] CuInSe₂/CuGaSe₂単一量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス測定

△ [21p-S221-10] CuIn₃Se₅およびCuGa₃Se₅への硫黄の固溶効果

△ [21p-S221-12] PLD法を用いたCuInS₂膜の作製と太陽電池への応用

△ [21p-S221-14] 高開放電圧、高曲線因子を目指したAg(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の開発