一般セッション(口頭講演)
[9a-Z29-1~14] 17.2 グラフェン
08:30 〜 08:45
〇部家 彰1、 山崎 良2、 神田 一浩3、 住友 弘二1 (1.兵庫県立大工、2.トーカロ、3.兵庫県立大高度研)
08:45 〜 09:00
〇平良 隆信1、 崔 永賢1、 土原 悠1、 向井 孝三1、 田中 駿介1、 吉信 淳1 (1.東大物性研)
09:00 〜 09:15
〇乗松 航1、 包 建峰1、 林 直輝1、 伊藤 孝寛2、 眞砂 紀之3、 前川 拓滋3、 森本 満3、 日比野 浩樹4 (1.名大院工、2.名大SRセ、3.ローム、4.関西学院大)
09:15 〜 09:30
〇近藤 大斗1、 林 直輝1、 伊藤 孝寛3、 遠藤 彰2、 乗松 航1 (1.名大院工、2.東大物性研、3.名大SRセ)
09:30 〜 09:45
〇佐藤 京樹1、 林 直輝1、 伊藤 孝寛2、 眞砂 紀之3、 森本 満3、 前川 拓滋3、 Kuan Qiao4、 Jeehwan Kim4、 若林 克法5、 日比野 浩樹5、 乗松 航1 (1.名大院工、2.名大SRセ、3.ローム株式会社、4.マサチューセッツ工科大学、5.関西学院大)
09:45 〜 10:00
〇上田 悠貴1、 丸山 隆浩1、 成塚 重弥1 (1.名城大理工)
10:00 〜 10:15
〇(PC)Riteshkumar Ratneshkumar Vishwakarma1、 Rucheng Zhu1、 Ashmi Mewada1、 Masami Naito1、 Masayoshi Umeno1 (1.C's Techno. Inc.)
10:15 〜 10:30
[9a-Z29-8] Temperature dependence of twisted graphene formation on graphene/silicon carbide template
〇姚 瑶1、 根岸 良太1、 高村 真琴2、 谷保 芳孝2、 小林 慶裕1 (1.阪大、2.NTT物研)
10:45 〜 11:15
〇中島 秀朗1、 森本 崇宏1、 沖川 侑揮1、 生田 美植1、 山田 貴壽1、 河原 憲治2、 吾郷 浩樹2、 岡崎 俊也1 (1.産総研、2.九大GIC)
11:15 〜 11:30
〇近藤 大雄1,2、 林 賢二郎1,2、 片岡 真紗子1、 乗松 正明1,2、 佐藤 信太郎1,2 (1.富士通研、2.富士通)
11:30 〜 11:45
〇菅原 大樹1、 諏訪 健斗1、 吹留 博一1、 Delgado-Notario Juan1,2、 佐藤 昭1、 尾辻 泰一1 (1.東北大 通研、2.サラマンカ大 ナノラボ)
11:45 〜 12:00
〇後藤 東一郎1、 手島 哲彦2、 上野 祐子3、 山口 真澄1 (1.NTT物性研, NTT BMC、2.NTTリサーチ、3.中央大理工)
12:00 〜 12:15
〇(M1)堀江 亮介1、 石田 健人1、 金﨑 順一1、 木曽田 賢治2、 高橋 和敏3 (1.大阪市立大院、2.和歌山大院、3.佐賀大シンクロトロン光応用センター)
12:15 〜 12:30
〇平井 瑠一1、 社本 利玖1、 山下 雄大1、 橋本 明弘1 (1.福井大院工)