一般セッション(口頭講演)

[20a-133-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:45 133 (133+134)

白澤勝彦(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[20a-133-1] データ科学的手法を用いた多結晶Siの結晶方位と反射特性の相関の解明

〇(M1)上別府颯一郎¹、松本哲也²、沓掛健太郎³、工藤博章²、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.名大院情報、3.名大未来社会創造)

09:45 〜 10:00

[20a-133-2] 画像処理を用いた多結晶シリコンのマクロPL画像における転位クラスター検出とキャリア再結合の関係

〇(M1)田島和哉¹、沓掛健太朗²、松本哲也³、工藤博章³、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.名大未来社会創造機構、3.名大院情報)

10:00 〜 10:15

[20a-133-3] 多結晶シリコンPL像中の転位領域の多層パーセプトロンによる推定

〇工藤博章¹、松本哲也¹、沓掛健太朗²、宇佐美徳隆³ (1.名大院情報、2.名大未来社会創造機構、3.名大院工)

10:15 〜 10:30

▲ [20a-133-4] Effect of Heaters Fluctuations on the Temperature for High Quality Si Ingots

〇(P)Abderahmane BOUCETTA¹、 Kentaro KUTSUKAKE²、 Noritaka USAMI¹ (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.、2.Institute of Innovation for Future Society, Nagoya Univ.)

10:45 〜 11:00

△ [20a-133-5] 太陽電池用Cz-Siの結晶成長条件が熱処理後の酸素析出および転位形成に与える影響

〇(M2)木下晃輔¹、小島拓人¹、大西康平¹、大下祥雄²、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.豊田工大)

11:00 〜 11:15

△ [20a-133-6] 太陽電池用Cz-Siにおける酸素析出が金属ゲッタリングに与える影響 (2)

〇(M1)大西康平¹、小島拓人¹、木下晃輔¹、大下祥雄²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.豊田工業大学)

11:15 〜 11:30

▲ [20a-133-7] The impact of etching on the fracture strength of silicon wafers cut by diamond wires

〇(P)Halubai Sekhar¹、 Tetsuo Fukuda¹、 Katsuto Tanahashi¹、 Hidetaka Takato¹ (1.Renewable Energy Research Center, AIST, Japan.)

11:30 〜 11:45

△ [20a-133-8] ブラックシリコンのキャリア分布評価に向けた非線形誘電率顕微鏡法の適用可能性の検討

〇(M1)柿川賢斗¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

一般セッション(口頭講演)

[20p-133-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年9月20日(木) 13:45 〜 17:45 133 (133+134)

松木伸行(神奈川大)、後藤和泰(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[20p-133-1] 内部量子効率マッピング法によるPERCセルの評価と特性

〇望月敏光¹、 Joonwichien Supawan¹、棚橋克人¹、白澤勝彦¹、坂田功¹、高遠秀尚¹ (1.産総研)

14:00 〜 14:15

△ [20p-133-2] 両面受光-裏面電極型結晶シリコン太陽電池の量子効率評価

〇立花福久¹、望月敏光¹、白澤勝彦¹、高遠秀尚¹ (1.産総研)

14:15 〜 14:30

[20p-133-3] セルフアラインプロセスで作製したエミッターBSF間のギャップ付きイオン注入裏面電極型結晶シリコン太陽電池セル

棚橋克人¹、立花福久¹、森谷正昭¹、木田康博¹、宇都宮智¹、白澤克彦¹、〇高遠秀尚¹ (1.産総研)

14:30 〜 14:45

[20p-133-4] プラズマイオン注入による良好なパッシベーション品質を持つカウンタドープn-a-Si層の形成

〇(P)Huynh ThiCam Tu¹、山口昇²、鈴木英夫²、大平圭介¹、松村英樹¹ (1.JAIST、2.ULVAC)

15:00 〜 15:15

▲ [20p-133-5] Controlling Solution Surface Tension for the Cleaning of Small Size Textured Si Surface to Obtain Extremely Low Surface Recombination Velocity of 0.6 cm/s

〇(PC)Cong Thanh Nguyen¹、 Keisuke Ohdaira¹、 Hideki Matsumura¹ (1.Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST))

15:15 〜 15:30

[20p-133-6] a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の発電特性と界面i層の微細構造の相関

〇齋均¹、陳柏瑋^1,2、許宏榮¹、松井卓矢¹、布村正太¹、松原浩司¹ (1.産総研、2.台湾国立交通大)

15:30 〜 15:45

[20p-133-7] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍のボイド構造解析 -a-Si:H中の陽電子消滅に対するドーピングの影響-

〇松木伸行¹、松井卓矢²、満汐孝治²、ブライアンオローク²、大島永康²、上殿明良³ (1.神奈川大工、2.産総研、3.筑波大)

15:45 〜 16:00

[20p-133-8] a-Si_1-xO_x:H薄膜のパッシベーション性能

〇斉藤公彦¹、小長井誠² (1.福島大共生ｼｽﾃﾑ理工学類、2.東京都市大総研)

16:15 〜 16:30

[20p-133-9] ITO製膜時の光照射がa-Si:H/c-Si界面におけるパッシベーション性能に及ぼす影響

〇扇間政典¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

16:30 〜 16:45

△ [20p-133-10] 反応性プラズマ蒸着法によるITO/a-Si界面化学結合状態の硬X線光電子分光法による評価

〇西原達平¹、小島拓人¹、金井皓輝¹、松村英樹²、神岡武文¹、大下祥雄³、安野聡⁴、廣沢一郎⁴、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.北陸先端科学技術大学院大学、3.豊田工業大学、4.高輝度光科学研究センター)

16:45 〜 17:00

△ [20p-133-11] 電子エネルギー損失分光法を用いた
高パッシベーション性能TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ界面の局所構造の解明

〇望月健矢¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、山本剛久¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

17:00 〜 17:15

▼ [20p-133-12] Photovoltaic performance of PEDOT:PSS/c-Si junction solar cells by adding ferroelectric polymer thin-layer

〇(D)ATM Saiful Islam¹、 R. Ishikawa¹、 K. Ueno¹、 H. Shirai¹、 K. Omote²、 K. Yokoo² (1.Saitama University、2.Ideal Star Inc.)

17:15 〜 17:30

[20p-133-13] スパッタ法によるp型エミッタ層を有するシリコンヘテロ接合太陽電池

〇金珍雨¹、白取優大¹、中田和吉¹、宮島晋介¹ (1.東工大工)

17:30 〜 17:45

[20p-133-14] シリコンヘテロ接合太陽電池正孔選択層応用へ向けた酸化タングステンの低ダメージ形成

〇白取優大¹、安田洋司²、星陽一²、金珍雨¹、中田和吉¹、宮島晋介¹ (1.東工大工、2.東京工芸大工)

一般セッション(口頭講演)

[21a-133-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年9月21日(金) 09:30 〜 11:45 133 (133+134)

齊藤公彦 (福島大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

△ [21a-133-1] 液相結晶化シリコン薄膜に対する水素プラズマパッシベーションの効果：レーザースキャン速度依存性

〇(P)海汐寛史¹、松井卓矢¹、齋均¹、松原浩司¹ (1.産総研)

09:45 〜 10:00

[21a-133-2] PL,ELならびにDLITによるRib型Si太陽電池の評価

〇小長井誠¹、大谷俊貴¹、近藤嶺¹、市川幸美¹、石河泰明² (1.東京都市大総研、2.NAIST)

10:00 〜 10:15

[21a-133-3] Rib構造を有する薄型Siセルの構造設計

〇市川幸美¹、大澤斐明¹、平井政和¹、小長井誠¹ (1.東京都市大)

10:15 〜 10:30

[21a-133-4] Rib 構造を有する薄型 Si セルの特性シミュレーション

〇大澤斐明¹、市川幸美¹、野毛宏¹、小長井誠¹ (1.東京都市大学)

10:45 〜 11:00

[21a-133-5] Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性

〇(M2)田中駿¹、楢崎友城¹、梁剣波¹、金大貴¹、重川直輝¹ (1.大阪市大工)

11:00 〜 11:15

[21a-133-6] Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製とa-Si:Hパッシベーション：Ge成長温度の効果

〇(M2)太田湧士¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹、 Dmitrij Yurasov²、 Alexey Novikov²、 Mikhail Shaleev² (1.名大院工、2.ロシア科学アカデミー)

11:15 〜 11:30

[21a-133-7] IoT への応用に向けた両面受光５接合アモルファスSi 太陽電池

〇(M1)佐々木崚¹、小長井誠¹ (1.都市大総研)

11:30 〜 11:45

[21a-133-8] シリコン酸化膜を用いたシリコン量子ドット積層構造における構造・電気的特性評価

〇(M1)赤石龍士郎¹、北沢宏平¹、後藤和泰¹、加藤慎也²、宇佐美徳隆¹、黒川康良¹ (1.名大院工、2.名工大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21p-133-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年9月21日(金) 13:45 〜 17:00 133 (133+134)

傍島靖(岐阜大)、小出直城(シャープ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[21p-133-1] 【注目講演】結晶シリコン太陽電池の新温度補正式とIV特性のSTC補正への応用

〇菱川善博¹、武内貴和¹、比嘉道也¹、大島博典¹、山越憲吾¹、吉田正裕¹ (1.産総研)

14:00 〜 14:15

[21p-133-2] 佐賀県鳥栖市における太陽電池モジュールの実発電量と推定発電量の比較(II)

〇千葉恭男¹、崔誠佑¹、佐藤梨都子¹、石井徹之²、増田淳¹ (1.産総研、2.電中研)

14:15 〜 14:30

[21p-133-3] 実使用条件下のシリコンヘテロ接合型太陽電池の発電性能の経時変化

〇石井徹之¹、崔誠佑²、佐藤梨都子²、千葉恭男²、増田淳² (1.電中研、2.産総研)

14:30 〜 14:45

[21p-133-4] 各種形状・種類の太陽電池モジュール発電特性の屋外計測：初期測定結果

〇野毛宏¹、佐々木崚¹、小長井誠¹、増田泰造²、佐藤彰倫² (1.都市大総研、2.トヨタ自動車)

14:45 〜 15:00

△ [21p-133-5] n型フロントエミッター型結晶シリコン太陽電池モジュールの電圧誘起劣化に与える光照射の影響

〇(DC)山口世力¹、増田淳²、大平圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

15:00 〜 15:15

▼ [21p-133-6] ElucidationAnalysis of potential induced degradation at the micro-cracked regions for p-type crystalline Si solar cells using microwave photoconductance decay technique

〇(D)Dong Chung Nguyen¹、 Yasuaki Ishikawa¹、 Yukiharu Uraoka¹ (1.Nara Institute of Science and Technology)

15:30 〜 15:45

[21p-133-7] 逆バイアスパルス電圧印加による結晶シリコンモジュールの電圧誘起劣化回復試験の最適化

〇高田清志郎¹、 Htay Win¹、 Go Sian Huai¹、 Aster Rahayu¹、大橋史隆¹、傍島靖¹、吉田弘樹¹、原由紀子²、増田淳²、野々村修一¹ (1.岐大工、2.産総研)

15:45 〜 16:00

[21p-133-8] p型結晶シリコン太陽電池の電極用ペーストがPIDに及ぼす影響(２)

〇城内紗千子、田中亜樹²、村松和郎²、齋藤元希²、中村京太郎³、小椋厚志⁴、大下祥雄³、増田淳¹ (1.産総研、2.ナミックス、3.豊田工大、4.明治大)

16:00 〜 16:15

[21p-133-9] c-Si系太陽電池モジュールの劣化モードに及ぼす表電極ペーストの影響

〇仙波妙子¹、嶋田武夫¹、白澤勝彦²、高遠秀尚² (1.ナミックス(株)、2.産総研)

16:15 〜 16:30

[21p-133-10] 結晶シリコンPVモジュールの高温高湿試験による劣化におけるインターコネクタのタブ付け条件の影響

〇伊野裕司¹、浅尾秀一¹、白澤勝彦¹、高遠秀尚¹ (1.産総研FREA)

16:30 〜 16:45

△ [21p-133-11] 錫薄膜センサによるUV+DH 複合試験中の太陽電池内酢酸検出

〇濱岡遼¹、浅野正太¹、岩見健太郎¹、原由希子²、山本千津子²、増田淳²、梅田倫弘¹ (1.東京農工大工、2.産総研)

16:45 〜 17:00

[21p-133-12] 屋外曝露試験と屋内加速試験において共通して発現するc-Si PVモジュールの電極腐食由来インピーダンス変化

〇棚橋紀悟¹、坂本憲彦¹、柴田肇¹、増田淳¹ (1.産総研)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PA5-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年9月19日(水) 13:30 〜 15:30 PA (イベントホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

▲ [19p-PA5-1] Reduced recombination losses for PERC cell using a selective emitter structure formed by screen-printed resist masking combined with etch-back process

〇(P)Supawan Joonwichien¹、 Yasuhiro Kida¹、 Masaaki Moriya¹、 Satoshi Utsunomiya¹、 Katsuhiko Shirasawa¹、 Hidetaka Takato¹ (1.AIST)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-2] graded band-gap構造のシリコンナノクリスタル層/結晶シリコン太陽電池の短波長領域での量子効率の向上

〇今村健太郎^1,2、鬼塚裕也^1,2、小林光^1,2 (1.阪大産研、2.CREST-JST)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-3] 太陽電池と発光ダイオードを対向させただけの万能パワーアンプ

〇岡本研正^1,2、細川正美²、松下文夫^1,2 (1.香川大学、2.光半導体デバイス応用技研)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-PA5-4] Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al₂O₃and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells

〇Md Enamul Karim¹、 R. Ishikawa¹、 K. Ueno¹、 H. Shirai¹、 S. Kurosu²、 Y. Nakajima²、 Y. Fujii²、 M. Tokuda²、 T. Hanajiri² (1.Saitama University、2.Toyo University)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-5] RPD-ITO堆積プロセスにおける光誘起ダメージの検討

〇磯貝勇樹¹、神岡武文^1,2、 Lee Hyunju¹、小島信晃¹、大下祥雄¹ (1.豊田工業大学、2.明治大学)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-6] シリコン系太陽電池正孔選択層向け酸化タングステンの低ダメージ堆積時における酸素分圧の影響

〇安田洋司¹、宮島晋介²、白取優大²、星陽一¹ (1.東京工芸大工、2.東工大工)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-PA5-7] Passivation effect of SiO_x interfacial layer in MoO_x hole selective contact

〇Kazuyoshi Nakada¹ (1.Tokyo Tech.)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-8] MoO_x/SiO₂界面のHAXPES分析

〇(PC)神岡武文^1,2、安野聡³、 Lee Hyunju²、小島拓人¹、西原達平¹、林豊²、中村京太郎²、大下祥雄²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.豊田工大、3.JASRI)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-9] テクスチャ化単結晶Si基板上へのスピンコート法による酸化亜鉛反射防止膜の形成に関する研究

近藤颯平¹、安彦伽恵¹、宮口立地¹、氷室貴大¹、〇齋藤洋司¹、河原正美² (1.成蹊大院理工、2.高純度化学)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-10] テクスチャSi基板へのミストコート法によるZnO反射防止膜の形成に関する研究

菅野貴史¹、佐々木莉奈¹、渡辺貴大¹、氷室貴大¹、〇齋藤洋司¹、河原正美² (1.成蹊大院理工、2.高純度化学)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-11] ミストCVD法による酸化ガリウム薄膜の作製

原田貴志¹、足立良樹¹、堀田育志¹、吉田晴彦¹、前田光治¹、〇新船幸二¹ (1.兵庫県立大学)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-12] PID試験中の太陽電池モジュール内部の電流及び電界解析

〇橘泰至¹、豊田丈紫¹、上田芳弘¹、山口世力²、大平圭介²、山本千津子³、増田淳³ (1.石川工試、2.北陸先端大、3.産総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-13] Cat-CVD SiN_x膜のパッシベーション性能の膜厚依存性

〇WEN YULI¹、大平圭介¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

13:30 〜 15:30

[19p-PA5-14] 溶液プロセスによるc-Si/Perovskiteタンデム構造素子の作製

〇(M1)川村晃希¹ (1.埼玉大理工研)

セッション一覧

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[20a-133-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [20a-133-4] Effect of Heaters Fluctuations on the Temperature for High Quality Si Ingots

△ [20a-133-5] 太陽電池用Cz-Siの結晶成長条件が熱処理後の酸素析出および転位形成に与える影響

△ [20a-133-6] 太陽電池用Cz-Siにおける酸素析出が金属ゲッタリングに与える影響 (2)

▲ [20a-133-7] The impact of etching on the fracture strength of silicon wafers cut by diamond wires

△ [20a-133-8] ブラックシリコンのキャリア分布評価に向けた非線形誘電率顕微鏡法の適用可能性の検討

[20p-133-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [20p-133-2] 両面受光-裏面電極型結晶シリコン太陽電池の量子効率評価

▲ [20p-133-5] Controlling Solution Surface Tension for the Cleaning of Small Size Textured Si Surface to Obtain Extremely Low Surface Recombination Velocity of 0.6 cm/s

△ [20p-133-10] 反応性プラズマ蒸着法によるITO/a-Si界面化学結合状態の硬X線光電子分光法による評価

△ [20p-133-11] 電子エネルギー損失分光法を用いた高パッシベーション性能TiOx/SiOx/c-Siヘテロ界面の局所構造の解明

▼ [20p-133-12] Photovoltaic performance of PEDOT:PSS/c-Si junction solar cells by adding ferroelectric polymer thin-layer

[21a-133-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [21a-133-1] 液相結晶化シリコン薄膜に対する水素プラズマパッシベーションの効果：レーザースキャン速度依存性

[21p-133-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [21p-133-5] n型フロントエミッター型結晶シリコン太陽電池モジュールの電圧誘起劣化に与える光照射の影響

▼ [21p-133-6] ElucidationAnalysis of potential induced degradation at the micro-cracked regions for p-type crystalline Si solar cells using microwave photoconductance decay technique

△ [21p-133-11] 錫薄膜センサによるUV+DH 複合試験中の太陽電池内酢酸検出

[19p-PA5-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [19p-PA5-1] Reduced recombination losses for PERC cell using a selective emitter structure formed by screen-printed resist masking combined with etch-back process

▲ [19p-PA5-4] Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al2O3 and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells

▲ [19p-PA5-7] Passivation effect of SiOx interfacial layer in MoOx hole selective contact

認証

△ [20p-133-11] 電子エネルギー損失分光法を用いた
高パッシベーション性能TiO_x/SiO_x/c-Siヘテロ界面の局所構造の解明

▲ [19p-PA5-4] Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al₂O₃and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells

▲ [19p-PA5-7] Passivation effect of SiO_x interfacial layer in MoO_x hole selective contact