一般セッション(口頭講演)

[16a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月16日(月) 09:00 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-B5-1] MBE法により作製したScN薄膜の電気特性

^○大垣武，渡邉賢，坂口勲，大橋直樹，羽田肇 (物材機構)

09:15 〜 09:30

[16a-B5-2] NH₃-MBE法によるMg共添加GaN:Euの発光サイト制御(2)

^○松村亮太¹，関口寛人¹，高木康文²，岡田浩¹，若原昭浩¹ (豊橋技科大¹，浜松ホトニクス²)

09:30 〜 09:45

[16a-B5-3] RF-MBEを用いたInGaN成長の膜厚依存性

^○坂本正洋¹，王科¹，荒木努¹，名西憓之^1,2，Euijoon Yoon² (立命館大¹，ソウル国立大²)

09:45 〜 10:00

[16a-B5-4] 4H-SiC上の疑似Al基板製作と疑似基板上へのGaN RF-MBE成長

^○大澤真弥，多次見大樹，山口智広，本田徹 (工学院大)

10:00 〜 10:15

[16a-B5-5] In-situ RF-MBEによるAlN/GaNヘテロ構造上へのAlO_x薄膜成長

^○杉浦洋平^1,2，本田徹¹，東脇正高² (工学院大工¹，情通機構²)

10:15 〜 10:30

[16a-B5-6] 立方晶窒化ホウ素(cBN)のイオンビームアシストMBE成長

^○平間一行，狩元慎一，Yoshiharu Krockenberger，谷保芳孝，山本秀樹 (NTT物性研)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[16a-B5-7] PSD成長したSi(110)基板上GaN薄膜の構造評価

^○渡辺拓人¹，近藤尭之¹，大橋正哉¹，上野耕平¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

11:00 〜 11:15

[16a-B5-8] Low-temperature epitaxial growth of GaN films on hafnium

^○金惠蓮¹，井上茂¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

11:15 〜 11:30

[16a-B5-9] Mg添加(0001)面p型GaN上への(001)面Nb添加アナターゼのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長と電気伝導特性

^○山岸正裕¹，羽豆耕治¹，大友友美¹，石川陽一¹，古澤健太郎¹，中山徳行²，秩父重英¹ (東北大多元研・院工¹，住友金属鉱山²)

11:30 〜 11:45

[16a-B5-10] Theoretical investigation of polarity determination for c-plane InN grown on yttria-stabilized zirconia (111) substrates

^○郭尭¹，井上茂¹，小林篤¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

11:45 〜 12:00

[16a-B5-11] InNをチャネル層とした電界効果トランジスタの作製

^○大関正彬¹，大久保佳奈¹，小林篤¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[16p-B5-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月16日(月) 13:00 〜 17:15 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[16p-B5-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）分極制御窒化物光電極におけるAlN層厚みの影響

^○中村亮裕¹，藤井克司²，杉山正和¹，中野義昭¹ (東大院工¹，GS+I²)

13:15 〜 13:30

△ [16p-B5-2] GaN多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性

^○熊崎祐介，渡部晃生，谷田部然治，佐藤威友 (北大量集セ)

13:30 〜 13:45

△ [16p-B5-3] InGaN/BGaN 光電極を用いた水素発生効率の向上

^○塩濱健一，大原航，林秀樹，内田大介，大川和宏 (東京理科大)

13:45 〜 14:00

△ [16p-B5-4] InGaN/BGaN量子井戸LED

^○林秀樹，塩濱健一，山本智博，大川和宏 (東京理大理)

14:00 〜 14:15

▼ [16p-B5-5] Multilevel intermediate-band solar cells based on III-Nitrides

^○（P）Liwen Sang，Meiyong Liao，Qifeng Liang，Masaki Takeguchi，Benjamin Dierre，Takashi Sekiguchi，Yasuo Koide，Masatomo Sumiya (物質材料研究機構)

14:15 〜 14:30

△ [16p-B5-6] トンネル接合を活用した窒化物半導体多接合太陽電池の作製

^○黒川泰視¹，合田智美¹，加賀充¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2，天野浩^2,3 (名城大・理工¹，名大・赤崎センター²，名古屋大・院工³)

14:30 〜 14:45

[16p-B5-7] GaN基板上SMART太陽電池の接合特性評価

^○草部一秀^1,2,3,4，橋本直樹^1,2,3，吉川明彦^1,2,3,4,5 (千葉大C-SGIR¹，千葉大VBL²，千葉大JST-ALCA:SMART Solar Cell PJ³，千葉大G-COE⁴，工学院大⁵)

14:45 〜 15:00

[16p-B5-8] InNのバンド端発光効率低減過程におけるフォノン輸送特性の影響

^○今井大地¹，石谷善博¹，王新強²，吉川明彦³ (千葉大院工¹，北京大物理²，千葉大SMART³)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[16p-B5-9] 六角形状GaNナノディスクからの光励起発振

^○光野徹也¹，酒井優²，岸野克巳³，原和彦¹ (静岡大工¹，山梨大院医工²，上智理工³)

15:30 〜 15:45

▲ [16p-B5-10] 非極性 air/AlGaN DBR 垂直微小共振器の作製と評価

^○（D）陶仁春¹，有田宗貴²，加古敏¹，荒川泰彦^1,2 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²)

15:45 〜 16:00

[16p-B5-11] 高品質窒化物半導体自立薄膜垂直微小共振器の構造・光学特性評価

^○有田宗貴¹，陶仁春²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

16:00 〜 16:15

▲ [16p-B5-12] 立方晶GaN/AlN自己形成量子ドットの単一量子ドット分光

^○Sylvain Sergent¹，加古敏²，Matthias Buerger³，Donat As³，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，Paderborn University³)

16:15 〜 16:30

[16p-B5-13] 位置制御GaNナノワイヤ量子ドットを用いた深紫外単一光子の発生～世界最高の光子エネルギーを有する単一光子源～

^○Mark Holmes¹，崔琦鉉¹，加古敏^1,2，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

16:30 〜 16:45

[16p-B5-14] AlGaN/GaGdN 多重量子井戸構造の磁気特性のバリア層厚依存性

^○佐野壮太，長谷川繁彦，周逸凱，山内翔太 (阪大産研)

16:45 〜 17:00

[16p-B5-15] 表面酸化物のGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりに及ぼす影響

^○（M2）網谷良介，多次見大樹，杉浦洋平，山口智広，本田徹 (工学院大)

17:00 〜 17:15

[16p-B5-16] 中性子転換注入不純物で補償されたGaNの深いドナー準位

^○中村司¹，上岡一馬¹，伊田孝寛¹，栗山一男¹，串田一雅²，徐虬³，長谷川雅考⁴ (法政大¹，大阪教育大²，京大原子炉³，産総研⁴)

一般セッション(ポスター講演)

[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月17日(火) 13:30 〜 15:30 P7 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[17p-P7-1] 六方晶窒化ホウ素薄膜のサファイア基板上への高温化学気相成長におけるBCl₃供給量依存性

^○李惠映¹，梅原直己¹，桑原伊織¹，光野徹也¹，小南裕子¹，中西洋一郎¹，原和彦^1,2 (静大電子研¹，静大創造大院²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-2] (110)Si基板上GaNのMOVPE成長におけるAlN中間層成長温度の影響

^○名和健吾¹，光成正¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-3] ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

^○正直花奈子¹，花田貴¹，崔正焄¹，島田貴章¹，今井康彦²，木村滋²，谷川智之¹，片山竜二¹，松岡隆志¹ (東北大金研¹，JASRI²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-4] GaN横方向成長を目指したタングステンマスクによる電流制御型液相成長

^○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-5] ハイドライド気相成長法による自立{20-21}GaN基板の作製とLED応用

^○（PC）山根啓輔，橋本健宏，稲垣卓志，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-6] 硬X線光電子分光法を用いたMg-InNのエネルギーバンド分布評価

^○井村将隆¹，小出康夫¹，名西やすし^4,5，荒木　努⁴，山口智広³，山下良之²，吉川英樹²，小林啓介²，津田俊輔¹，長田貴弘¹，武田寛之¹，A.L. Yang²，金子昌充⁴，上松　尚⁴ (物材機構¹，SPring-8物材機構²，工学院大³，立命館大⁴，ソウル大⁵)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-7] 熱処理によるゲート金属（Ti or TiSi₂）/AlGaN界面の化学結合状態変化

^○野畑大祐¹，角嶋邦之²，岩井博³，野平博司¹ (都市大工¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研³)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-8] GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響

^○（M1）藤岡秀平¹，網谷良介¹，尾沼猛儀^1,2，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，東京高専²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-9] InAlGaNを活性層に用いた深紫外LEDに関する研究

^○加藤正隆，三好実人，江川孝志 (名工大院)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-10] LP-MOVPE法で成長したSi添加Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多重量子井戸構造(x~0.6)のカソードルミネッセンスマッピング評価

^○倉井聡¹，穴井恒二¹，若松歩¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-11] InGaN量子井戸構造における障壁層暗点分布と活性層発光分布の相関

^○信田真孝，細川大介，倉井聡，岡田成二，只友一行，山田陽一 (山口大院・理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-12] AlGaN混晶薄膜における励起子分子の熱的安定性

^○古谷佑二郎¹，中尾文哉¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院・理工¹，三重大院・工²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-13] GaN/AlNを用いたサブバンド間遷移光吸収のシミュレーション

^○伊藤成顕，ソダーバンルーハッサネット，杉山正和，中野義昭 (東大工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-14] MBE交互供給法による(111)Si基板上のGaN系ナノワイヤ成長

^○水谷駿介¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-15] InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討

^○徳田英俊，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [19a-B5-1] 量子分子動力学シミュレーションによるGaNプラズマエッチングプロセスについての検討

^○（M2）柳谷一行，伊藤寿，桑原卓哉，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

09:15 〜 09:30

[19a-B5-2] Ga過剰条件下におけるGaN成長表面の分子動力学シミュレーション

^○林寛哉¹，雨川将大¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九州応力研²)

09:30 〜 09:45

[19a-B5-3] MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長と評価

^○沈旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡 (産総研)

09:45 〜 10:00

△ [19a-B5-4] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価

^○片桐正義¹，方浩¹，三宅秀人¹，平松和政¹，奥秀彦²，浅村英俊²，川村啓介² (三重大院工¹，エア・ウォーター総合開発研究所²)

10:00 〜 10:15

▲ [19a-B5-5] III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)成長

^○林家弘，赤坂哲也，山本秀樹 (NTT物性科学基礎研)

10:15 〜 10:30

△ [19a-B5-6] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシャル膜における不純物の取り込み

^○（D）西中淳一，船戸充，川上養一 (京大院工)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [19a-B5-7] GaNSb混晶GaSbモル分率のSb/N比依存性

^○笹島浩希¹，鈴木智行¹，松原由布子¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名大・赤崎記念研究センター²)

11:00 〜 11:15

[19a-B5-8] III族原料間欠導入による１～２分子層InN単一量子井戸のMOVPE選択成長

^○赤坂哲也，Andrew Berry，Chiahung Lin，山本秀樹 (NTT物性基礎研)

11:15 〜 11:30

[19a-B5-9] InGaN量子井戸構造における内部量子効率のピットサイズ依存性

^○光井一弥，平生英之，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一 (山口大院・理工)

11:30 〜 11:45

[19a-B5-10] InGaNのMOVPE成長におけるSi dopingによるIn取込量の抑制

三原章宏^1,2，重川直輝³，^○山本高勇^1,2 (福井大院工¹，JST-CREST²，大阪市大院工³)

11:45 〜 12:00

[19a-B5-11] 加圧MOVPE法を用いたInGaN/GaN 多重量子井戸の成長

^○土井友博¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月19日(木) 13:00 〜 19:15 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:30

[19p-B5-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport

^○熊谷義直¹，久保田有紀²，永島徹^1,2，木下亨²，Rafael Dalmau³，Raoul Schlesser³，Baxter Moody³，Jinqiao Xie³，村上尚¹，纐纈明伯¹，Zlatko Sitar^3,4 (農工大¹，トクヤマ²，HexaTech³，ノースカロライナ州大⁴)

13:30 〜 13:45

[19p-B5-2] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Naフラックス法によるポイントシード上バルクGaN単結晶成長

^○今出完，村上航介，松尾大輔，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，北本啓，丸山美帆子，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

13:45 〜 14:00

[19p-B5-3] 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成と鉱化剤の影響

^○包全喜^1,3，斉藤真^1,2，冨田大輔¹，羽豆耕治¹，古澤健太郎¹，鏡谷勇二²，茅野林造³，喬焜¹，石黒徹¹，横山千昭¹，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²，日本製鋼所³)

14:00 〜 14:15

[19p-B5-4] サファイア加工基板を用いた{20-21} GaN成長における積層欠陥の抑制

^○橋本健宏，小山正和，稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大)

14:15 〜 14:30

△ [19p-B5-5] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析

^○荒内琢士¹，竹内正太郎¹，中村邦彦¹，Khan Dhin¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³)

14:30 〜 14:45

△ [19p-B5-6] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長

^○斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

14:45 〜 15:00

[19p-B5-7] Si基板上窒化物半導体成長に向けたCOガスを用いたSi表面炭化によるSiCバッファ層形成

^○（PC）出浦桃子，福山博之 (東北大多元研)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

△ [19p-B5-8] MOVPE法によるAlInNの高速成長

^○小塚祐吾¹，安田俊輝¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大院理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

15:30 〜 15:45

[19p-B5-9] InAlN/InAlN MQWの結晶成長および評価

^○（M1）伊藤達也，渡邉新，森健太郎，江川孝志 (名工大院)

15:45 〜 16:00

△ [19p-B5-10] 半極性(1\overline{1}02)AlN基板上へのAlGaN/AlN量子井戸構造の作製

^○市川修平¹，船戸充¹，永田俊郎²，川上養一¹ (京大院工¹，JFEミネラル²)

16:00 〜 16:15

△ [19p-B5-11] サファイア上AlN成長におけるN₂-COアニールによるAlN緩衝層制御

^○（M2）西尾剛¹，三宅秀人¹，平松和政¹，福山博之² (三重大院工¹，東北大多元研²)

16:15 〜 16:30

[19p-B5-12] GaNの水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法におけるサイドエッチング特性の評価

^○（M2）蜂屋大樹，菊池昭彦 (上智大)

16:30 〜 16:45

[19p-B5-13] ＧａＮエピタキシャル膜中の転位とウエハダイシングプロセスの相関性

^○田口秀幸^1,3，北原周¹，三宅修吾¹，中上明光¹，鈴木敦志²，上山智²，藤原康文³ (コベルコ科研¹，名城大²，阪大³)

16:45 〜 17:00

[19p-B5-14] 青色面発光レーザに向けた電流狭窄構造の検討

^○（M1）中島啓介¹，渡邉雅大¹，加賀充¹，鈴木智行¹，南川大智¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大¹，名大赤﨑記念研究センター²)

17:00 〜 17:15

[19p-B5-15] InGaN下地層および正孔ブロッキング層を用いた半極性 {11-22} LEDの作製及び評価

^○中尾洸太，Haziq Muhammad，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

休憩　（17:15 〜 17:30）

17:30 〜 17:45

△ [19p-B5-16] 低屈折率膜を有するサブ波長回折格子を実装したUV-LEDの偏光特性

^○高島祐介¹，清水亮¹，原口雅宣^1,2，直井美貴^1,2 (徳島大ATS¹，徳島大STS²)

17:45 〜 18:00

[19p-B5-17] 深紫外LED用結合ピラーAlNバッファーの改善

^○（M1）豊田史朗^1,2，水澤克哉^1,2，鎌田憲彦²，平山秀樹¹ (理研¹，埼玉大²)

18:00 〜 18:15

[19p-B5-18] p型AlGaN透明コンタクト層の組成短波長化とDUV-LEDの高効率化

^○前田哲利，平山秀樹 (理研)

18:15 〜 18:30

▲ [19p-B5-19] Non-polar M-plane AlGaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diode

^○（P）Ryan Banal，谷保芳孝，山本秀樹 (NTT物性研)

18:30 〜 18:45

△ [19p-B5-20] Si上縦型深紫外LEDの開発

^○（M1）柴野謙太朗¹，黒瀬範子²，荒木努¹，青柳克信² (立命館大理工¹，立命館大総合科学技術研究機構²)

18:45 〜 19:00

△ [19p-B5-21] 窒化物半導体を用いたHFET型光センサーの暗電流検討

^○石黒真未¹，池田和弥¹，水野正隆¹，村瀬卓弥¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤崎勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤崎記念研究センター²)

19:00 〜 19:15

[19p-B5-22] 窒化物半導体ライトエミッティングトランジスタの電気・光出力変調特性

^○熊倉一英，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

一般セッション(口頭講演)

[20a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-B5-1] InGaN系規則配列ナノコラムにおける発光色制御

^○栁原藍¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智大ナノテク研²)

09:15 〜 09:30

[20a-B5-2] 規則配列InGaN/GaN超格子ナノコラムの成長と結晶評価

^○兼松右侑¹，淺見康太¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク研究センター²)

09:30 〜 09:45

[20a-B5-3] AlGaNナノテンプレートによるInGaN系規則配列ナノコラム選択成長

^○山野晃司¹，岸野克巳^1,2，関口寛人³，若原昭浩³ (上智大理工¹，上智大ナノテク研究センター²，豊橋技大工³)

09:45 〜 10:00

△ [20a-B5-4] スパッタ成膜AlN上への単結晶p-i-nナノコラム作製

^○林宏暁¹，尾崎泰一朗¹，松山勇¹，岸野克巳^1,2 (上智大¹，上智ナノテク²)

10:00 〜 10:15

[20a-B5-5] 規則配列GaNナノコラムの細線化

^○淺見康太¹，岸野克巳^1,2，兼松右侑¹，井川雄介¹，林宏暁¹ (上智大¹，上智大ナノテクセンター²)

休憩　（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[20a-B5-6] 規則配列GaN系六角形ナノリングの結晶成長

^○（M1）工藤利文¹，岸野克己^1,2，林宏暁¹ (上智大¹，上智大ナノテク²)

10:45 〜 11:00

[20a-B5-7] InGaN/GaNナノコラムの光励起キャリアダイナミクス

^○（M1C）下迫直樹¹，猪瀬裕太¹，江馬一弘^1,2，井川雄介¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²)

11:00 〜 11:15

[20a-B5-8] 窒化物半導体ナノコラムにおける誘導放出特性

^○（PC）猪瀬裕太¹，植田裕輝¹，下迫直樹¹，江馬一弘^1,2，酒井優³，井川雄介¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²，山梨大院医工³)

11:15 〜 11:30

[20a-B5-9] フォノンレプリカを用いた励起子解離ダイナミクスの解析の可能性

^○後藤圭¹，今井大地¹，高橋賢治¹，森田健¹，石谷善博¹，三宅秀人²，平松和政² (千葉大院工¹，三重大院工²)

11:30 〜 11:45

[20a-B5-10] 気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測

^○秩父重英¹，石川陽一¹，田代公則¹，古澤健太郎¹，羽豆耕治¹，Jinqian Xie²，三田清二²，Ramon Collazo³，Zlatko Sitar³ (東北大多元研・院工¹，Hexatech Inc.²，NCSU³)

11:45 〜 12:00

[20a-B5-11] 時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析

^○古澤健太郎¹，石川陽一¹，田代公則¹，羽豆耕治¹，長尾哲²，池田宏隆²，藤戸健史²，秩父重英¹ (東北大多元研・院工¹，三菱化学²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-B5-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月20日(金) 13:00 〜 14:45 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

△ [20p-B5-1] 選択励起条件下における高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の弱励起時間分解発光測定

^○岩田佳也，金田昭男，ライアンバナル，船戸充，川上養一 (京大院工)

13:15 〜 13:30

[20p-B5-2] AlGaN系量子井戸構造における局在励起子分子の結合エネルギー

^○早川裕也¹，福野智規¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院・理工¹，三重大院・工²)

13:30 〜 13:45

△ [20p-B5-3] VSL法を用いたAlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得測定

^○（M1）山田知明¹，松原由布子¹，竹田健一郎¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智^1,2，赤崎勇^1,2，天野浩^2,3 (名城大・理工¹，名大・赤崎記念センター²，名大・院工³)

13:45 〜 14:00

△ [20p-B5-4] AlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得の転位密度依存性

^○松原由布子¹，山田知明¹，竹田健一郎¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2，天野浩^2,3 (名城大・理工¹，名古屋大・赤﨑記念研究センター²，名古屋大・院工³)

14:00 〜 14:15

[20p-B5-5] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における光学利得特性の井戸幅依存性

^○（DC）大音隆男，ライアンバナル，船戸充，川上養一 (京大院工)

14:15 〜 14:30

[20p-B5-6] (Al,Ga)N系歪み量子構造の電子状態計算

^○石井良太，船戸充，川上養一 (京大院・工)

14:30 〜 14:45

[20p-B5-7] 半極性InGaN-QWs LDにおける光学利得の理論研究

^○坂井繁太，山口敦史 (金沢工大)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B5-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16p-B5-2] GaN多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性

△ [16p-B5-3] InGaN/BGaN 光電極を用いた水素発生効率の向上

△ [16p-B5-4] InGaN/BGaN量子井戸LED

▼ [16p-B5-5] Multilevel intermediate-band solar cells based on III-Nitrides

△ [16p-B5-6] トンネル接合を活用した窒化物半導体多接合太陽電池の作製

▲ [16p-B5-10] 非極性 air/AlGaN DBR 垂直微小共振器の作製と評価

▲ [16p-B5-12] 立方晶GaN/AlN自己形成量子ドットの単一量子ドット分光

[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-B5-1] 量子分子動力学シミュレーションによるGaNプラズマエッチングプロセスについての検討

△ [19a-B5-4] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価

▲ [19a-B5-5] III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)成長

△ [19a-B5-6] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシャル膜における不純物の取り込み

△ [19a-B5-7] GaNSb混晶GaSbモル分率のSb/N比依存性

[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-B5-5] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析

△ [19p-B5-6] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長

△ [19p-B5-8] MOVPE法によるAlInNの高速成長

△ [19p-B5-10] 半極性(1\overline{1}02)AlN基板上へのAlGaN/AlN量子井戸構造の作製

△ [19p-B5-11] サファイア上AlN成長におけるN2-COアニールによるAlN緩衝層制御

△ [19p-B5-16] 低屈折率膜を有するサブ波長回折格子を実装したUV-LEDの偏光特性

▲ [19p-B5-19] Non-polar M-plane AlGaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diode

△ [19p-B5-20] Si上縦型深紫外LEDの開発

△ [19p-B5-21] 窒化物半導体を用いたHFET型光センサーの暗電流検討

[20a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-B5-4] スパッタ成膜AlN上への単結晶p-i-nナノコラム作製

[20p-B5-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-B5-1] 選択励起条件下における高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の弱励起時間分解発光測定

△ [20p-B5-3] VSL法を用いたAlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得測定

△ [20p-B5-4] AlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得の転位密度依存性

△ [19p-B5-11] サファイア上AlN成長におけるN₂-COアニールによるAlN緩衝層制御