一般セッション(ポスター講演)

[18p-PB10-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2014年9月18日(木) 13:30 〜 15:30 PB10 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB10会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

▲ [18p-PB10-1] Growth of compositionally homogeneous P-type Si1-xGex bulk crystal for thermoelectric application

^○（DC）Omprakash Muthusamy¹，Arivanandhan Mukannan¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，池田浩也¹，立岡浩一¹，岡野泰則²，小澤哲夫³，稲富裕光⁴，Moorthy Babu Sridharan⁵，Dinesh Kumar Aswal⁶，Shovit Bhattacharya⁶，早川泰弘¹ (静岡大電子研¹，大阪大²，静岡理工科大³，宇宙航空研究開発機構⁴，アンナ大⁵，バーバ原子研⁶)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-2] めっき法Ge膜のCu誘起低温多結晶化

^○内田恭敬，舩山朋子，木暮嘉明 (帝京科学大)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-3] Si直上Ge薄膜形成におけるスパッタ電力の効果と表面平坦化の試み

^○塚本貴広¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，須田良幸¹ (東京農工大院工¹，情報通信研究機構²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-4] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の微細構造および電気的特性への熱処理の影響

^○宇津山直人¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，澤野憲太郎³ (山梨大クリスタル研¹，名大²，東京都市大総研³)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-5] スパッタエピタキシー法によるSiGeバッファを用いた歪Si層形成技術

^○本橋叡¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，塚本貴広¹，須田良幸¹ (東京農工大院工¹，情報通信研究機構²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-6] イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価

^○中込諒¹，酒井翔一朗¹，藤原幸亮¹，古川洋志¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，星裕介²，澤野憲太郎³ (山梨大クリスタル研¹，名大²，東京都市大総研³)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-7] 歪みSi/Si_1-XC_x/Si(001)構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価

^○藤原幸亮¹，酒井翔一朗¹，古川洋志¹，井上樹範¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，星裕介²，澤野憲太郎³ (山梨大クリスタル研¹，名大²，東京都市大総研³)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-8] 高空間分解能HXPESによる一軸歪み量の違いがSiGe価電子帯に与える影響の検出

^○山堀俊太¹，櫻井拓也¹，米窪駿¹，荒井仁¹，澤野憲太郎¹，池永英司²，野平博司¹ (都市大¹，高輝度光科学研究センター²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-9] Ge_1-x-ySi_xSn_yエピタキシャル層の結晶性への伸長または圧縮歪の影響

^○浅野孝典^1,2，寺島辰也¹，山羽隆¹，田岡紀之¹，竹内和歌奈¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-10] 選択的イオン注入法によるサブミクロン領域でのSiGe歪み制御

^○船橋直貴¹，中川清和²，澤野憲太郎¹ (東京都市大¹，山梨大²)

13:30 〜 15:30

[18p-PB10-11] Al2O3をゲート絶縁膜とした歪みGe MOS構造の電気特性

^○深山剛¹，田中伸乃介²，田中貴久²，ミロノフマクシム³，牧秀之²，伊藤公平²，澤野憲太郎¹ (都市大総研¹，慶應大²，Warwick大³)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A16-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2014年9月19日(金) 09:30 〜 12:00 A16 (E307)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[19a-A16-1] 引っ張り歪付与のためのGeブリッジ構造の製作と評価

^○袖岡大輝¹，来馬英樹¹，吉本昌広¹，Pablo Vaccaro^2,3，Isabel Alonso³，Miquel Garriga³，Alejandro Goni^2,3 (京工繊大¹，ICREA²，ICMAB-CSIC³)

09:45 〜 10:00

△ [19a-A16-2] 液浸ラマン分光法を用いたTO/LOフォノンスペクトル励起による高Ge濃度歪SiGeメサ構造の異方性2軸応力緩和の観測

^○山本章太郎¹，小瀬村大亮¹，富田基裕^1,3，武内一真¹，横川凌¹，臼田宏冶²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，産総研GNC²，学振特別研究員DC³)

10:00 〜 10:15

△ [19a-A16-3] EBSP法を用いた微細な歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布のGe濃度依存性評価

^○富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，臼田宏治³，小椋厚志¹ (明大理工¹，学振特別研究員DC²，産総研GNC³)

10:15 〜 10:30

[19a-A16-4] 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価

^○山本章太郎¹，小瀬村大亮¹，富田基裕^1,3，武内一真¹，横川凌¹，米倉瑛介²，澤野憲太郎²，野平博司²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，東京都市大²，学振特別研究員DC³)

10:30 〜 10:45

[19a-A16-5] Si基板上に直接成長させたGeのTOF-SIMS測定(II)

^○河野健一郎¹，朴成鳳²，石川靖彦²，和田一実² (物材機構量子ビームU¹，東大マテリアル工学²)

10:45 〜 11:00

[19a-A16-6] サブ原子層カーボンを用いたSi基板上Ge薄膜の平坦性向上に関する検討

^○畠山真慈¹，伊藤友樹¹，川島知之^1,2，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

11:00 〜 11:15

[19a-A16-7] Si-C結合を利用したGeドットの形成温度に関する検討

^○佐藤佑紀，伊藤友樹，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

11:15 〜 11:30

△ [19a-A16-8] Geバッファ層とサブ原子層カーボン導入によるGe/Siミキシングの抑制

^○（M2）伊藤友樹，早瀬凌，畠山真慈，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

11:30 〜 11:45

[19a-A16-9] MBEを用いたSi(100)基板上の2段階Ge薄膜成長

^○早瀬凌，伊藤友樹，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

11:45 〜 12:00

△ [19a-A16-10] 貼り合わせ法による高移動度歪みGOIの作製

^○長嶋智典¹，勝俣洋典¹，浜屋宏平^2,3，宮尾正信³，澤野憲太郎¹ (都市大総研¹，阪大基礎工²，九大院シス情³)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A16-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2014年9月19日(金) 13:30 〜 18:15 A16 (E307)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:00～13:30 （12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[19p-A16-1] 太陽電池用Ge結晶におけるIV族添加元素の安定性に関する第一原理解析 (2)

^○（M2）松谷亮¹，末岡浩治¹，神山栄治^1,2 (岡山県立大院情報工¹，グローバルウェーハズ²)

13:45 〜 14:00

[19p-A16-2] 太陽電池用Ⅳ族混晶半導体のエネルギーバンド構造に関する基礎検討(2)

^○（M2）須和亮¹，末岡浩治¹，神山栄治^1,2 (岡山県立大院情報工¹，グローバルウェーハズ²)

14:00 〜 14:15

[19p-A16-3] Ge_1-xSn_xエピタキシャル成長における水素サーファクタント導入の効果

^○浅野孝典^1,2，田岡紀之¹，保崎航也¹，竹内和歌奈¹，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

14:15 〜 14:30

[19p-A16-4] スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成

^○塚本貴広¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，須田良幸¹ (東京農工大院工¹，情報通信研究機構²)

14:30 〜 14:45

[19p-A16-5] 有機金属化学気相蒸着法によるGe_1-xSn_x薄膜成長

^○犬塚雄貴¹，池進一^1,2，浅野孝典^1,2，竹内和歌奈¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員²)

14:45 〜 15:00

[19p-A16-6] MOCVD法によるGeエピタキシャル成長 (2)

^○須田耕平¹，石原聖也¹，澤本直美¹，町田英明²，石川真人²，須藤弘²，大下祥雄³，小椋厚志¹ (明治大¹，気相成長²，豊田工大³)

15:00 〜 15:15

△ [19p-A16-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長

^○須田耕平¹，石原聖也¹，澤本直美¹，町田英明²，石川真人²，須藤弘²，大下祥雄³，小椋厚志¹ (明治大¹，気相成長²，豊田工大³)

15:15 〜 15:30

[19p-A16-8] Al 誘起成長 Ge 層の選択的アイランド除去と光学特性評価

^○中沢宏紀，都甲薫，末益崇 (筑波大院数理物質)

15:30 〜 15:45

[19p-A16-9] 非晶質Ge/ガラスのSn誘起低温成長(70 ℃)による高Sn濃度・多結晶GeSn薄膜の形成

^○大谷直生，都甲薫，末益崇 (筑波大院数理物質)

休憩15:45～16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[19p-A16-10] Al誘起成長によるSi薄膜をテンプレートとしたSi薄膜の固相成長

^○（M1）筋原康博¹，Sergii Tutashkonko^1,2，高橋勲¹，宇佐美徳隆¹ (名大¹，JST-PV innovation²)

16:15 〜 16:30

△ [19p-A16-11] レーザーアニールによる非晶質基板上への結晶ゲルマニウム薄膜形成

^○高尾透，堀田昌宏，山﨑浩司，石河泰明，浦岡行治 (奈良先端大)

16:30 〜 16:45

[19p-A16-12] 絶縁基板上におけるa-GeSnの極低温・高速固相成長(<250oC)

^○松村亮^1,2，佐々木雅也¹，知北大典¹，甲斐友樹¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹ (九大院・システム情報¹，学振特別研究員²)

16:45 〜 17:00

△ [19p-A16-13] 絶縁基板上におけるa-GeSn の極低温横方向固相成長(≦250℃)　－極低温Sn 溶融核による位置制御－

^○知北大典，松村亮，甲斐友樹，佐道泰造，宮尾正信 (九大シス情)

17:00 〜 17:15

△ [19p-A16-14] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性

^○冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司 (阪大院工)

17:15 〜 17:30

△ [19p-A16-15] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価

^○梶村恵子，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

17:30 〜 17:45

△ [19p-A16-16] 固相エピタキシャル成長法による高Sn組成（＞20％）SiSn薄膜の創製

^○加藤元太¹，黒澤昌志^1,2，山羽隆¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員（PD）²)

17:45 〜 18:00

[19p-A16-17] Si_1-xSn_x薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測

^○黒澤昌志^1,2，柴山茂久^1,3，加藤元太¹，山羽隆¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，学振DC³)

18:00 〜 18:15

[19p-A16-18] Poly-Ge、GeSnのキャリア輸送特性と熱伝導率

^○内田紀行¹，前田辰郎¹，福田浩一¹，服部淳一¹，岡島真吾²，大石佑治²，石丸学³，Lieten Ruben⁴，Jean-Pierre Locquet⁴ (産総研ナノエレ¹，阪大院²，九工大院³，ル―ベン大⁴)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18p-PB10-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

▲ [18p-PB10-1] Growth of compositionally homogeneous P-type Si1-xGex bulk crystal for thermoelectric application

[19a-A16-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19a-A16-2] 液浸ラマン分光法を用いたTO/LOフォノンスペクトル励起による高Ge濃度歪SiGeメサ構造の異方性2軸応力緩和の観測

△ [19a-A16-3] EBSP法を用いた微細な歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布のGe濃度依存性評価

△ [19a-A16-8] Geバッファ層とサブ原子層カーボン導入によるGe/Siミキシングの抑制

△ [19a-A16-10] 貼り合わせ法による高移動度歪みGOIの作製

[19p-A16-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-A16-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnxエピタキシャル成長

△ [19p-A16-11] レーザーアニールによる非晶質基板上への結晶ゲルマニウム薄膜形成

△ [19p-A16-13] 絶縁基板上におけるa-GeSn の極低温横方向固相成長(≦250℃) －極低温Sn 溶融核による位置制御－

△ [19p-A16-14] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性

△ [19p-A16-15] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価

△ [19p-A16-16] 固相エピタキシャル成長法による高Sn組成（＞20％）SiSn薄膜の創製

△ [19p-A16-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長

△ [19p-A16-13] 絶縁基板上におけるa-GeSn の極低温横方向固相成長(≦250℃)　－極低温Sn 溶融核による位置制御－