一般セッション(口頭講演)

[13p-1E-1~17] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2015年9月13日(日) 13:15 〜 18:00 1E (143)

座長:小野敏昭(SUMCO),関口隆史(NIMS)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[13p-1E-1] Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定
(Ⅶ) 第二世代技術による1x10¹⁴ cm⁻³の濃度と1x10¹³ cm⁻³の濃度差の測定

〇渡邉香¹、井上直久²、後藤安則³、大渕真澄⁴、関洋文⁵、鵜野紀之⁶、河村裕一⁷ (1.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ、2.東京農工大、3.ﾄﾖﾀ自動車、4.ナノサイエンス、5.東レリサーチ、6.住重試験検査、7.大阪府大)

13:30 〜 13:45

[13p-1E-2] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（10）照射誘起の窒素・真正点欠陥複合体

〇井上直久^1,5、後藤安則²、関洋文³、渡邉香⁴、河村裕一⁵ (1.東京農工大、2.トヨタ自動車、3.東レリサーチ、4.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ、5.大阪府大)

13:45 〜 14:00

[13p-1E-3] シリコン結晶の低炭素濃度評価へのアプローチ

〇中川聰子¹、日笠光朗¹、鹿島一日兒¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

14:00 〜 14:15

[13p-1E-4] ＭＣＺシリコン単結晶のバルクライフタイムに対する低炭素化の効果（3）

〇日笠光朗¹、中川聰子¹、鹿島一日兒¹、永井勇太¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

14:15 〜 14:30

[13p-1E-5] レーザビーム屈折を用いた自由キャリアのバルク寿命評価： I. 原理実証

〇金田寛¹、大村一郎¹ (1.九工大院工)

14:30 〜 14:45

[13p-1E-6] レーザビーム屈折を用いた自由キャリアのバルク寿命評価: II. 評価装置と測定例

〇金田寛¹、大村一郎¹ (1.九工大院工)

休憩（14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[13p-1E-7] 不純物添加したタンタル酸リチウムの点欠陥の存在形態

〇沼田典親¹、小山千尋¹、野澤純¹、宇田聡¹ (1.東北大金研)

15:15 〜 15:30

[13p-1E-8] シリコン結晶における高温酸化による空孔注入機構の検討

〇中村浩三¹ (1.岡山県立大地域共同研究機構)

15:30 〜 15:45

[13p-1E-9] シリコン結晶中の酸素析出によるボロンの増速拡散

〇鳥越和尚¹、小野敏昭¹ (1.SUMCO)

15:45 〜 16:00

△ [13p-1E-10] 窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物（Ⅳ）

〇村松徹¹、中澤治雄¹、荻野正明¹、寺西秀明¹、高橋良和¹、羽深等² (1.富士電機、2.横国大)

16:00 〜 16:15

[13p-1E-11] 多波回折条件下における高位置分解能Ｘ線トポグラフィ
I. 原理と特長

〇松井純爾¹、津坂佳幸²、竹田晋吾³、高野秀和²、横山和司¹、篭島靖² (1.兵庫県大放射光ナノテク、2.兵庫県大院物質理学、3.スプリングエイトサービス)

16:15 〜 16:30

[13p-1E-12] 多波回折条件下における高位置分解能Ｘ線トポグラフィ
II. 応用と展開

〇竹田晋吾¹、津坂佳之²、松井純爾³、高野秀和²、横山和司³、篭島靖² (1.SES、2.兵庫県立大院物質理学、3.兵庫県立大放射光ナノテクセンター)

休憩（16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

[13p-1E-13] パワーデバイス向け貼り合せSOIウェーハ ―BOX堆積と常温貼り合せの検討―

〇古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.株式会社　SUMCO)

17:00 〜 17:15

△ [13p-1E-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング
-レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-

〇門野武¹、奥山亮輔¹、廣瀬諒¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

17:15 〜 17:30

[13p-1E-15] Siウェーハ中のゲッタリング現象に関する熱統計モデリング

神山栄治^1,2、〇末岡浩治¹ (1.岡山県大情報工、2.グローバルウェーハズ)

17:30 〜 17:45

▲ [13p-1E-16] Numerical analysis of SiC and SiO₂ deposition processes by gas-solid interaction in Czochralski silicon crystal growth

〇(P)Xin Liu¹, Bing Gao¹, Satoshi Nakano¹, Hirofumi Harada¹, Yoshiji Miyamura¹, Koichi Kakimoto¹ (1.RIAM, Kyushu Univ.)

17:45 〜 18:00

△ [13p-1E-17] 分子動力学法によるSiO₂基板上のMgO結晶成長シミュレーション

〇川岸俊介¹、桑原卓哉¹、許競翔¹、西松毅¹、樋口祐次¹、尾澤伸樹²、久保百司¹ (1.東北大金研、2.東北大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-PB7-1~5] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2015年9月14日(月) 16:00 〜 18:00 PB7 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 18:00

[14p-PB7-1] 成長停止中に融液加熱で発生する格子間シリコンの観察

〇阿部孝夫¹、高橋徹¹、白井光雲² (1.信越半導体、2.阪大産研)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PB7-2] C₃H₅クラスターイオン注入による近接ゲッタリングサイトに関する第一原理解析

〇白澤渉¹、末岡浩治¹、山口直²、前川和義³ (1.岡山県大院情報工、2.ルネサスエレクトロニクス、3.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PB7-3] レーザーアニールSiCの結晶性評価

〇内盛瑞記¹、マッツァムトフルビオ²、小野修一³、新井学³、山本秀和¹ (1.千葉工大工、2.LASSE、3.新日本無線(株))

16:00 〜 18:00

△ [14p-PB7-4] パワーデバイス用のGaNウエハのラマン散乱分光法による評価(3)

〇(M1)池田直樹¹、山本秀和¹ (1.千葉工大工)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PB7-5] パワーデバイス用GaNウエハのラマン散乱分光法による評価 (4)

〇(M1)安喰和也¹、山本秀和¹ (1.千葉工大工)

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[13p-1E-1~17] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[13p-1E-1] Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定
(Ⅶ) 第二世代技術による1x10¹⁴ cm⁻³の濃度と1x10¹³ cm⁻³の濃度差の測定

[13p-1E-2] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（10）照射誘起の窒素・真正点欠陥複合体

[13p-1E-3] シリコン結晶の低炭素濃度評価へのアプローチ

[13p-1E-4] ＭＣＺシリコン単結晶のバルクライフタイムに対する低炭素化の効果（3）

[13p-1E-5] レーザビーム屈折を用いた自由キャリアのバルク寿命評価： I. 原理実証

[13p-1E-6] レーザビーム屈折を用いた自由キャリアのバルク寿命評価: II. 評価装置と測定例

[13p-1E-7] 不純物添加したタンタル酸リチウムの点欠陥の存在形態

[13p-1E-8] シリコン結晶における高温酸化による空孔注入機構の検討

[13p-1E-9] シリコン結晶中の酸素析出によるボロンの増速拡散

△ [13p-1E-10] 窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物（Ⅳ）

[13p-1E-11] 多波回折条件下における高位置分解能Ｘ線トポグラフィ
I. 原理と特長

[13p-1E-12] 多波回折条件下における高位置分解能Ｘ線トポグラフィ
II. 応用と展開

[13p-1E-13] パワーデバイス向け貼り合せSOIウェーハ ―BOX堆積と常温貼り合せの検討―

△ [13p-1E-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング
-レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-

[13p-1E-15] Siウェーハ中のゲッタリング現象に関する熱統計モデリング

▲ [13p-1E-16] Numerical analysis of SiC and SiO₂ deposition processes by gas-solid interaction in Czochralski silicon crystal growth

△ [13p-1E-17] 分子動力学法によるSiO₂基板上のMgO結晶成長シミュレーション

[14p-PB7-1~5] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14p-PB7-1] 成長停止中に融液加熱で発生する格子間シリコンの観察

△ [14p-PB7-2] C₃H₅クラスターイオン注入による近接ゲッタリングサイトに関する第一原理解析

△ [14p-PB7-3] レーザーアニールSiCの結晶性評価

△ [14p-PB7-4] パワーデバイス用のGaNウエハのラマン散乱分光法による評価(3)

△ [14p-PB7-5] パワーデバイス用GaNウエハのラマン散乱分光法による評価 (4)

認証

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[13p-1E-1~17] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [13p-1E-10] 窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物（Ⅳ）

△ [13p-1E-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング-レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-

▲ [13p-1E-16] Numerical analysis of SiC and SiO2 deposition processes by gas-solid interaction in Czochralski silicon crystal growth

△ [13p-1E-17] 分子動力学法によるSiO2基板上のMgO結晶成長シミュレーション

[14p-PB7-1~5] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [14p-PB7-2] C3H5クラスターイオン注入による近接ゲッタリングサイトに関する第一原理解析

△ [14p-PB7-3] レーザーアニールSiCの結晶性評価

△ [14p-PB7-4] パワーデバイス用のGaNウエハのラマン散乱分光法による評価(3)

△ [14p-PB7-5] パワーデバイス用GaNウエハのラマン散乱分光法による評価 (4)

認証

△ [13p-1E-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング
-レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-

▲ [13p-1E-16] Numerical analysis of SiC and SiO₂ deposition processes by gas-solid interaction in Czochralski silicon crystal growth

△ [13p-1E-17] 分子動力学法によるSiO₂基板上のMgO結晶成長シミュレーション

△ [14p-PB7-2] C₃H₅クラスターイオン注入による近接ゲッタリングサイトに関する第一原理解析