一般セッション(口頭講演)

[7a-C16-1~12] 17.2 グラフェン

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C16 (研修室1)

大淵真理(富士通)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[7a-C16-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ナノ電気化学セル顕微鏡を用いたグラフェン/グラファイト表面構造における電気化学活性の評価

〇三浦千穂¹、熊谷明哉¹、岡田健²、寒川誠二^2,3、珠玖仁¹、高橋康史^4,5、末永智一¹ (1.東北大、2.東北大流体研、3.東北大AIMR、4.金沢大、5.JSTさきがけ)

09:15 〜 09:30

△ [7a-C16-2] 自己組織化単分子膜によるグラフェン光酸化反応の制御

〇(M1)池田京一郎¹、野内亮¹ (1.大阪府立大学工)

09:30 〜 09:45

[7a-C16-3] 層状エレクトライド上のグラフェン：van Hove特異点に到る高濃度電子ドーピング

〇井下猛^1,2、塚田捷³、斎藤晋¹、細野秀雄¹ (1.東工大、2.物材機構、3.東北大)

09:45 〜 10:00

△ [7a-C16-4] 近接場赤外光顕微鏡を用いたナノ多孔質グラフェンにおける熱局在の観測

〇(M2)岡本拓也¹、鈴木大地¹、伊藤良一^2,3、藤田武志⁴、河野行雄¹ (1.東工大未来研、2.筑波大数理物質系、3.さきがけ JST、4.東北大材料科学高等研)

10:00 〜 10:15

[7a-C16-5] キャリア密度変調を用いたグラフェンプラズモンの反射

〇高村真琴¹、熊田倫雄¹、 Shengnan Wang¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性基礎研)

10:15 〜 10:30

[7a-C16-6] Two- to Three-dimensional Transition of Confined Water between Freestanding Graphene Sheets

〇(M2)Rifan Agustian¹、 Akira Akaishi^1,2、 Jun Nakamura^1,2 (1.UEC Tokyo、2.JST-CREST)

10:45 〜 11:00

[7a-C16-7] 酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性：窒素配位依存性

〇(D)松山治薫^1,2、赤石暁^1,2、中村淳^1,2 (1.電通大院基盤理工、2.JST-CREST)

11:00 〜 11:15

[7a-C16-8] エチレン架橋構造をもつ二層グラフェンの第一原理計算による電子状態

〇横井裕之¹ (1.熊本大院先端科学)

11:15 〜 11:30

[7a-C16-9] グラフェンの電荷輸送特性におけるドメインサイズ依存性

〇西山颯¹、竹内友宏¹、筒井祐介¹、崔旭鎮¹、櫻井庸明¹、小川友以²、上野裕子²、関修平¹ (1.京大院工、2.NTT物性研)

11:30 〜 11:45

△ [7a-C16-10] 石英基板上h-BN/2層グラフェンヘテロFETの容量計測

〇ウワンノーティーラユット^1,2、谷口尚³、渡邊賢司³、長汐晃輔^1,4 (1.東大、2.KMITL、3.NIMS、4.JST-さきがけ)

11:45 〜 12:00

[7a-C16-11] サスペンデッドグラフェンナノリボンのデバイス構造の作製

〇水谷加奈子¹、張暁賓¹、マレクシュミット¹、ムルガナタンマノハラン¹、水田博^1,2、大島義文¹ (1.北陸先端大、2.サウサンプトン大)

12:00 〜 12:15

△ [7a-C16-12] 端欠陥によるグラフェンナノリボンFETのデバイス特性変化

〇(D)高島健悟¹、山本貴博¹ (1.東理大工)

一般セッション(口頭講演)

[7p-C16-1~18] 17.2 グラフェン

2017年9月7日(木) 13:45 〜 19:00 C16 (研修室1)

影島愽之(島根大)、尾辻泰一(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:15

[7p-C16-1] [17. ナノカーボン　分科内招待講演] ナノカーボンの魅力とその応用展開をめざして

〇松本和彦¹、小野尭生¹、金井康¹、井上恒一¹ (1.阪大産研)

14:15 〜 14:30

[7p-C16-2] ハイブリッドSiC基板を用いたグラフェンデバイス応用

〇遠藤則史¹、秋山昌次²、田島圭一郎¹、末光眞希¹、小西繁²、茂木弘²、川合信²、久保田芳宏²、堀場弘司³、組頭広志³、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.信越化学工業、3.高エネ研)

14:30 〜 14:45

[7p-C16-3] グラフェン-GaNヘテロ接合のショットキーダイオードと光起電力特性

〇Golap Kalita¹、 Shaarin Muhammad Dzulsyahmi¹、 Paudel Balaram¹、 Mahyavanshi Rakesh¹、種村眞幸¹ (1.名工大)

14:45 〜 15:00

[7p-C16-4] 酸化グラフェンでサンドイッチされたＰＥＴ上銀ナノワイヤー塗布型透明電極フィルム

〇内藤勝之¹、大塚理子¹、吉永典弘¹、梅武¹ (1.東芝研究開発センター)

15:00 〜 15:15

△ [7p-C16-5] グラフェン機械共振器(G-MR)の電気・光学的手法による共振周波数制御

〇井上太一¹、望月裕太¹、今北悠貴¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府立大学)

15:15 〜 15:30

△ [7p-C16-6] 広帯域グラフェン光検出器の開発 (I)
-可視光領域におけるSi/SiO₂基板ゲート効果による高感度化-

〇嶋谷政彰¹、福島昌一郎¹、小川新平¹、藤澤大介¹、奥田聡志^1,2、金井康²、小野尭生²、松本和彦² (1.三菱電機、2.阪大産研)

15:30 〜 15:45

[7p-C16-7] 広帯域グラフェン光検出器の開発 (II)-可視~長波長赤外光に対する広帯域光応答-

〇福島昌一郎¹、嶋谷政彰¹、小川新平¹、奥田聡志^1,2、藤澤大介¹、金井康²、小野尭生²、松本和彦² (1.三菱電機、2.阪大産研)

15:45 〜 16:00

△ [7p-C16-8] 単層カーボンナノチューブ由来の単層グラフェンナノリボンの電気特性評価

〇(M1)古木秀明¹ (1.九州工大)

16:00 〜 16:15

[7p-C16-9] スポンジ状高空隙酸化グラフェンの超高温処理による乱層多層グラフェンの形成

〇中村槙悟¹、石田俊¹、仁科勇太²、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.岡山大)

16:30 〜 17:00

[7p-C16-10] [17. ナノカーボン　分科内招待講演] エピタキシャルグラフェンの構造制御と今後の展望

〇楠美智子¹ (1.名大未来研)

17:00 〜 17:15

[7p-C16-11] 結晶方位回転成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜表面粗さのエピグラフェン成長への影響

〇高橋謙介¹、 Filimonov Sergey²、長澤弘幸³、吹留博一¹、末光眞希¹ (1.東北大学　通研、2.トムスク大学、3.株式会社CUSIC)

17:15 〜 17:30

[7p-C16-12] SiC熱分解によるグラフェン成長における不純物の影響

〇(PC)寺澤知潮¹、乗松航²、楠美智子¹ (1.名大未来研、2.名大工)

17:30 〜 17:45

[7p-C16-13] 分子動力学法によるナノ秒オーダーのSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション－ 6員環の形成

高本聡¹、〇山崎隆浩^2,3、奈良純^2,3、大野隆央^2,3、金田千穂子⁴、泉聡志¹ (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.富士通研究所)

17:45 〜 18:00

[7p-C16-14] ケルビンフォース顕微鏡を用いたSiC上グラフェン構造水層の観察

〇松井一史¹、中村晃大¹、北岡誠¹、谷口嘉昭¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大院)

18:00 〜 18:15

[7p-C16-15] SiC(0001)上グラフェンにおけるNiインターカレーション

〇大内勇太郎¹、乗松航¹、伊藤孝寛^1,3、舟橋良次²、楠美智子^1,4 (1.名大院工、2.産総研、3.あいちシンクロトロン、4.名大未来研)

18:15 〜 18:30

[7p-C16-16] 3C-SiC(111) 上に成長したグラフェンのラマン散乱分光による歪み評価

〇関根佳明¹、熊倉一英¹、日比野浩樹^1,2 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大理工)

18:30 〜 18:45

[7p-C16-17] 酸素アニールがグラフェンCVD核発生に与える影響のin-situ観察

〇平良隆信¹、小幡誠司²、斉木幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大新領域)

18:45 〜 19:00

[7p-C16-18] ロックイン発熱解析法による大面積グラフェンシートの局所欠陥評価

〇中島秀朗¹、森本崇宏¹、生田美植¹、沖川侑揮¹、山田貴壽¹、河原憲治²、吾郷浩樹²、岡崎俊也¹ (1.産総研、2.九大グローバルイノベーションセンター)

一般セッション(口頭講演)

[8a-C16-1~17] 17.2 グラフェン

2017年9月8日(金) 09:00 〜 13:30 C16 (研修室1)

秋田成司(大阪府立大)、日比野浩樹(関西学院大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[8a-C16-1] 六方晶窒化ホウ素上での酸化グラフェンからのグラフェン直接成長

〇小幡誠司¹、渡邊賢司²、谷口尚²、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域、2.物材機構)

09:15 〜 09:30

△ [8a-C16-2] 酸化グラフェンのVUV光アシスト液相還元

〇米田真¹、屠宇迪¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

09:30 〜 09:45

[8a-C16-3] In-situ 電気伝導度測定を用いた酸化グラフェン還元過程の解析 Ⅱ

〇篠原拓也¹、小幡誠司¹、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域)

09:45 〜 10:00

[8a-C16-4] 炭酸ガスによる酸化雰囲気でのグラフェン成長

〇金子智^1,4、安原重雄²、佐藤和郎³、安井学¹、黒内正仁¹、田中聡美¹、加藤千尋¹、松田晃史⁴、吉本護⁴ (1.神奈川産技術総研、2.JAC、3.大阪技術研、4.東工大)

10:00 〜 10:15

[8a-C16-5] 高温プロセスによる高結晶性多層グラフェンの成長

〇根岸良太¹、丸岡真人¹、小林慶裕¹ (1.阪大院工)

10:15 〜 10:30

[8a-C16-6] カーボンナノチューブアンジップのメカニズムについての考察

〇福森稔¹、原愼之助²、田中啓文²、小川琢治¹ (1.阪大院理、2.九工大院生命体)

10:30 〜 10:45

△ [8a-C16-7] 中赤外光近接場顕微鏡を用いたグラフェンのナノスケール層数評価

〇佐々川昂¹、岡本拓也¹、河野行雄¹ (1.東工大)

10:45 〜 11:00

[8a-C16-8] ナノレベルでの単層グラフェンのプロトン透過能評価

〇保田諭¹、田村和久²、丹野駿³、佐藤祐輔³、加藤優³、八木一三³、朝岡秀人¹ (1.原子力機構先端基礎、2.原子力機構物質、3.北大院)

11:00 〜 11:15

△ [8a-C16-9] ナノバー触媒からのグラフェンナノリボン合成に関する触媒金属依存性

〇(M2)和藤勇太¹、鈴木弘朗¹、金子俊郎¹、加藤俊顕¹ (1.東北大院工)

11:30 〜 11:45

[8a-C16-10] Ptナノドット修飾グラフェンガスセンサにおけるアルコール検知のアルキル鎖長依存性

〇下川慶久¹、山知亮介¹、横山誉宗¹、斎藤雄太¹、田中貴久¹、高橋綱己^1,2、内田建¹ (1.慶應大理工、2.九州大先導研)

11:45 〜 12:00

[8a-C16-11] Ptナノドット修飾グラフェン水素センサへのイオン液体被膜の影響

〇山知亮介¹、下川慶久¹、横山誉宗¹、斎藤雄太¹、田中貴久¹、高橋綱己^1,2、内田建¹ (1.慶應大理工、2.九州大　先導研)

12:00 〜 12:15

[8a-C16-12] Pd修飾した架橋グラフェン水素センサにおける自己加熱の影響

〇横山誉宗¹、下川慶久¹、山知亮介¹、斎藤雄太¹、田中貴久¹、高橋綱紀²、内田建¹ (1.慶應大理工　電子工、2.九州大　先導研)

12:15 〜 12:30

△ [8a-C16-13] 細胞表面環境を模したグラフェンFETによるインフルエンザウイルス検出

〇川田拓哉¹、小野尭生¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、渡邊洋平⁴、河原敏男⁵、鈴木康夫⁵、中北愼一⁶、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大、4.京都府立医科大、5.中部大、6.香川大)

12:30 〜 12:45

△ [8a-C16-14] グラフェントランジスタによるhorseradish peroxidase反応の検出

〇(B)白井充¹、小野尭生¹、金井康¹、谷奥正巳¹、牛場翔太²、井上恒一¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.村田製作所)

12:45 〜 13:00

[8a-C16-15] ポリベンゾアセン塗布によるグラフェンのキャリア移動度向上

〇(P)三苫伸彦^1,2、矢野裕太¹、伊藤英人¹、宮内雄平^1,2,3、伊丹健一郎^1,2,4 (1.名大院理、2.JST-ERATO、3.京大エネ研、4.名大WPI-ITbM)

13:00 〜 13:15

[8a-C16-16] SiCグラフェンを用いた親水化処理における修飾分子依存性

〇杉岡賢人¹、谷口嘉昭¹、三木翼¹、田原雅章¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹、荒川幸弘¹、南川慶ニ¹、今田泰嗣¹、安澤幹人¹ (1.徳島大院)

13:15 〜 13:30

[8a-C16-17] グラフェンを用いた固液摩擦帯電におけるドーピング効果検証

〇岡田健¹、 Kalita Golap²、種村眞幸²、寒川誠二^1,3 (1.東北大流体研、2.名工大、3.東北大AIMR)

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17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[7a-C16-1~12] 17.2 グラフェン

△ [7a-C16-2] 自己組織化単分子膜によるグラフェン光酸化反応の制御

△ [7a-C16-4] 近接場赤外光顕微鏡を用いたナノ多孔質グラフェンにおける熱局在の観測

△ [7a-C16-10] 石英基板上h-BN/2層グラフェンヘテロFETの容量計測

△ [7a-C16-12] 端欠陥によるグラフェンナノリボンFETのデバイス特性変化

[7p-C16-1~18] 17.2 グラフェン

△ [7p-C16-5] グラフェン機械共振器(G-MR)の電気・光学的手法による共振周波数制御

△ [7p-C16-6] 広帯域グラフェン光検出器の開発 (I)-可視光領域におけるSi/SiO2基板ゲート効果による高感度化-

△ [7p-C16-8] 単層カーボンナノチューブ由来の単層グラフェンナノリボンの電気特性評価

[8a-C16-1~17] 17.2 グラフェン

△ [8a-C16-2] 酸化グラフェンのVUV光アシスト液相還元

△ [8a-C16-7] 中赤外光近接場顕微鏡を用いたグラフェンのナノスケール層数評価

△ [8a-C16-9] ナノバー触媒からのグラフェンナノリボン合成に関する触媒金属依存性

△ [8a-C16-13] 細胞表面環境を模したグラフェンFETによるインフルエンザウイルス検出

△ [8a-C16-14] グラフェントランジスタによるhorseradish peroxidase反応の検出

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△ [7p-C16-6] 広帯域グラフェン光検出器の開発 (I)
-可視光領域におけるSi/SiO₂基板ゲート効果による高感度化-