一般セッション(口頭講演)

[19a-C104-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 C104 (52-104)

藤沢浩訓(兵庫県立大)、清水荘雄(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[19a-C104-1] 多層PZT薄膜によるMEMSエナジーハーベスタ試作

〇平井翔太¹、神田健介¹、佐野良¹、藤田孝之¹、前中一介¹ (1.兵庫県大工)

09:15 〜 09:30

△ [19a-C104-2] 基本モード/高次モード切替可能な常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜共振子

〇(M1)清水貴博^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大院・先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

09:30 〜 09:45

△ [19a-C104-3] 高い圧電性を持つPZT厚膜を用いた80 MHz帯高効率トランスデューサ

〇松田友佳¹、清水貴博¹、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.JST　さきがけ、3.材研)

09:45 〜 10:00

▼ [19a-C104-4] Ameliorated Magnetoelectric coupling in Free-Standing Multiferroic Thin Film

〇(D)Sridevi Meenachisundaram^1,3、 Takahiko Kawaguchi¹、 Naonori Sakamoto¹、 Kazuo Shinozaki²、 Muthamizhchelvan Chellamuthu³、 Ponnusamy Suruttaiya U.³、 Hisao Suzuki¹、 Naoki Wakiya¹ (1.shizuoka university、2.Tokyo tech.、3.SRM Univ.)

10:00 〜 10:15

▼ [19a-C104-5] Demonstration of HDD type High Speed Data Readouts in Ferroelectric Probe Data Storage Using Pb(Zr,Ti)O₃ Recording Medium

〇(M2C)Reshan Maduka Abeysinghe¹、 Yoshiomi HIRANAGA¹、 Yasuo CHO¹ (1.RIEC, Tohoku Univ)

10:15 〜 10:30

[19a-C104-6] バイアス掃引SNDM法による分極反転特性の面内分布観察

〇平永良臣¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

10:45 〜 11:00

[19a-C104-7] 強誘電体ゲートFETにおける負性容量発現機構

〇高田賢志¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

11:00 〜 11:15

[19a-C104-8] Pt/Si基板を用いたNd添加BFO強誘電体薄膜の抵抗スイッチング

〇金子真之介¹、江波卓弥²、高馬勇¹、森本章治² (1.金沢大院自然、2.金沢大理工)

11:15 〜 11:30

[19a-C104-9] MLCC微細化検討用BaTiO₃薄膜ダイオードの作製とリーク電導特性の評価

〇(B)内田武哲¹、前島壮¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

11:30 〜 11:45

[19a-C104-10] AlO_x,TiO_x,PtO_xバッファ層のPbLa(Zr,Ti)O₃薄膜結晶性への影響

〇王文生¹、野村健二²、中村亘¹、恵下隆^3,1、小澤聡一郎¹、山口秀史²、高井一章¹、渡邉純一¹、三原智¹、彦坂幸信¹、濱田誠¹、片岡祐治²、児島学¹ (1.富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ、2.富士通研、3.和歌山大)

11:45 〜 12:00

[19a-C104-11] Pt/Si基板を用いたNd添加BFO強誘電体薄膜の光起電力効果

〇高馬勇¹、山辺立季²、金子真之介¹、森本章治² (1.金沢大院自然、2.金沢大理工)

12:00 〜 12:15

[19a-C104-12] Fe-3d由来の欠陥準位を利用したニオブ系強誘電体の可視光起電力増強効果

〇串岡佑記¹、吉田光汰¹、北中佑樹¹、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東大工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2018年3月19日(月) 13:15 〜 18:30 C104 (52-104)

山田智明(名大)、平永良臣(東北大)、三村憲一(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [19p-C104-1] エピタキシャルHfO₂基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

〇(D)三村和仙¹、清水荘雄¹、勝矢良雄²、坂田修身²、舟窪浩¹ (1.東工大、2.NIMS)

13:30 〜 13:45

[19p-C104-2] エピタキシャルCeO₂-ZrO₂薄膜の作製とその結晶構造評価

〇白石貴久¹、 Sujin Choi¹、清水荘雄²、木口賢紀¹、舟窪浩²、今野豊彦¹ (1.東北大、2.東工大)

13:45 〜 14:00

[19p-C104-3] (001)Si基板上HfO₂系エピタキシャル薄膜の構造制御に向けた成長過程の観察

〇鎌田大輝¹、高田賢志¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工院)

14:00 〜 14:15

▼ [19p-C104-4] Si Substrate orientation Dependence of Ferroelectric HfO2 Properties Deposited by RF Magnetron Sputtering

〇(D)MinGee Kim¹、 Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech.)

14:15 〜 14:30

[19p-C104-5] ZnOナノワイヤ上でのHf_1-xZr_xO₂薄膜の結晶化

〇竹内洋平¹、兼松宏行²、小高雄哉²、福島宏昌²、藤沢浩訓^1,2、中嶋誠二^1,2、清水勝^1,2 (1.兵庫県大院工、2.兵庫県大工)

14:30 〜 14:45

△ [19p-C104-6] 電界下X線回折による(111)正方晶PbZr_0.35Ti_0.65O₃ナノロッドの圧電特性の評価

〇(M1)岡本一輝¹、山田智明^1,2、坂田修身^3,4、今井康彦⁵、吉野正人¹、長崎正雅¹ (1.名大工、2.JSTさきがけ、3.NIMS、4.東工大物質理工、5.JASRI)

15:00 〜 15:15

△ [19p-C104-7] 水熱法で合成したPb(Zr,Ti)O₃キューブの圧電特性

〇高田瑶子¹、三村憲一¹、加藤一実¹ (1.産業技術総合研究所)

15:15 〜 15:30

[19p-C104-8] チタン酸バリウム系ナノキューブ集積体の誘電特性の組成依存性

〇三村憲一¹、加藤一実¹ (1.産業技術総合研究所)

15:30 〜 15:45

△ [19p-C104-9] 種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の合成と特性評価

〇(M1)舘山明紀¹、伊東良晴¹、中村美子¹、清水荘雄¹、折野裕一郎¹、黒澤実¹、内田寛²、白石貴久³、木口賢紀³、今野豊彦³、石河睦生^1,4、熊田伸弘⁵、舟窪浩¹ (1.東工大、2.上智大、3.東北大、4.桐蔭横浜、5.山梨大)

15:45 〜 16:00

[19p-C104-10] BiFeO₃薄膜のMOCVD成長における成膜圧力の影響

〇(M1C)吉村奈緒¹、田中拓人¹、藤沢浩訓¹、中嶋誠二¹、清水勝¹ (1.兵庫県立大学)

16:00 〜 16:15

[19p-C104-11] セラミックス基板上に作製した0.83(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-0.17BaTiO₃厚膜の諸特性

〇坂井雄一¹、唐木智明² (1.富山工技セ、2.富山県立大)

16:15 〜 16:30

[19p-C104-12] P(VDF-TrFE)厚膜の作製とその電気特性

〇松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

16:45 〜 17:00

[19p-C104-13] (110)配向BiFeO₃薄膜への帯電ドメインウォールの導入

〇(M1)黒川悠太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、清水勝¹ (1.兵庫県大院工)

17:00 〜 17:15

[19p-C104-14] BiFeO3薄膜の格子歪およびドメイン構造が圧電特性に及ぼす影響

〇岡本直樹¹、苅谷健人¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

17:15 〜 17:30

△ [19p-C104-15] Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の電圧印加結晶構造変化の組成依存性

〇(P)譚ゴオン¹、丸山和樹¹、金光勇弥¹、西岡慎太郎¹、逢坂広己¹、小金澤智之²、梅垣俊仁¹、神野伊策¹ (1.神戸大学、2.JASRI)

17:30 〜 17:45

[19p-C104-16] PLD法を用いた(Bi,Na)TiO₃-BaTiO₃系薄膜の作製と評価

〇(M1)長谷川光勇¹、清水荘雄¹、佐藤祐介²、山岡和希子²、石田未来²、内田寛³、舟窪浩¹ (1.東工大物院、2.TDK 株式会社、3.上智大理工)

17:45 〜 18:00

[19p-C104-17] 反強誘電体PbZrO₃薄膜の分極反転挙動とメモリ効果

〇真岩宏司¹ (1.湘南工大工)

18:00 〜 18:15

[19p-C104-18] ミストCVD法によるε-Ga₂O₃薄膜の結晶成長とその電気的特性評価

〇田原大祐¹、西中浩之¹、野田実¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

18:15 〜 18:30

[19p-C104-19] YbFe₂O₄薄膜の化学組成が電気的・磁気的特性に及ぼす影響

〇田中淳平¹、三浦光平¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-P5-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2018年3月20日(火) 09:30 〜 11:30 P5 (ベルサール高田馬場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[20a-P5-1] SiO₂ のカリウム不純物の原子構造と電子構造

〇宮島岳史¹、白川裕規¹、洗平昌晃^2,1、白石賢二^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-2] ウルツ鉱構造物質の圧電性と構造パラメータの相関関係

〇籾田浩義¹、小口多美夫¹ (1.阪大産研)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-3] Ru-O系導電性酸化物薄膜の作製と評価

〇成澤謙真¹、髙橋崇典¹、山口雅仁¹、内山潔¹ (1.鶴岡工業高等専門学校)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-4] RFスパッタ法によるTa₂O₅薄膜の作製と評価

〇梅森祐太郎¹、髙橋崇典¹、内山潔¹ (1.鶴岡工業高等専門学校)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-5] RFマグネトロンスパッタ法で作製したプロトン伝導体
BaCe_0.6Ti_0.2Y_0.2O_3-δ薄膜の化学的安定性

〇小鷹尚也¹、髙橋崇典¹、内山潔¹ (1.鶴岡高等専門学校)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-6] 分極効果で変調される強誘電体BaTiO₃薄膜の電子構造

〇押目典宏¹、狩野旬^1,2、池永英司³、安井伸太郎⁴、日隈聡士⁵、池田直¹、濵嵜容丞⁶、安原颯⁴、横谷尚睦⁷、伊藤満⁴、藤井達生¹、保井晃⁸ (1.岡山大院自然、2.CentraleSupélec、3.名古屋大IMaSS、4.東工大フロンティア材料研、5.熊本大院、6.学習院大理、7.岡山大基礎研、8.JASRI / SPring-8)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-7] 化学溶液堆積法によるCa²⁺添加HfO₂強誘電体薄膜の作製

〇中山周平¹、舟窪浩²、内田寛¹ (1.上智大理工、2.東工大)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-8] 低湿度環境下における非鉛強誘電体膜の作成

〇平出惇¹、山口正樹¹、増田陽一郎² (1.芝浦工大工、2.八戸工大工)

09:30 〜 11:30

△ [20a-P5-9] 強誘電性フッ化ビニリデン/フッ化エチレン共重合体の溶融結晶化過程のその場観察

〇(M1)宮本将成¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史^1,2、岡村総一郎¹ (1.東理大理、2.JSTさきがけ)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-10] ゲートに圧電高分子P(VDF-TrFE)を用いたFETの静特性評価

〇(B)岡山琢哉¹、山本堅太郎¹、宝田隼¹、古川昭雄¹ (1.東京理科大学)

09:30 〜 11:30

[20a-P5-11] 圧電素子を用いた建物の損傷検出における機械学習の活用

〇岸朔矢¹、岸映裕¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史^1,3、山本貴博²、河原尊之²、長谷川幹雄²、伊藤拓海²、崔彰訓²、岡村総一郎¹ (1.東理大理、2.東理大工、3.JSTさきがけ)

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[19a-C104-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19a-C104-2] 基本モード/高次モード切替可能な常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜共振子

△ [19a-C104-3] 高い圧電性を持つPZT厚膜を用いた80 MHz帯高効率トランスデューサ

▼ [19a-C104-4] Ameliorated Magnetoelectric coupling in Free-Standing Multiferroic Thin Film

▼ [19a-C104-5] Demonstration of HDD type High Speed Data Readouts in Ferroelectric Probe Data Storage Using Pb(Zr,Ti)O3 Recording Medium

[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-C104-1] エピタキシャルHfO2基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

▼ [19p-C104-4] Si Substrate orientation Dependence of Ferroelectric HfO2 Properties Deposited by RF Magnetron Sputtering

△ [19p-C104-6] 電界下X線回折による(111)正方晶PbZr0.35Ti0.65O3ナノロッドの圧電特性の評価

△ [19p-C104-7] 水熱法で合成したPb(Zr,Ti)O3キューブの圧電特性

△ [19p-C104-9] 種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO３配向膜の合成と特性評価

△ [19p-C104-15] Pb(Zr,Ti)O3薄膜の電圧印加結晶構造変化の組成依存性

[20a-P5-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-P5-9] 強誘電性フッ化ビニリデン/フッ化エチレン共重合体の溶融結晶化過程のその場観察

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▼ [19a-C104-5] Demonstration of HDD type High Speed Data Readouts in Ferroelectric Probe Data Storage Using Pb(Zr,Ti)O₃ Recording Medium

△ [19p-C104-1] エピタキシャルHfO₂基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

△ [19p-C104-6] 電界下X線回折による(111)正方晶PbZr_0.35Ti_0.65O₃ナノロッドの圧電特性の評価

△ [19p-C104-7] 水熱法で合成したPb(Zr,Ti)O₃キューブの圧電特性

△ [19p-C104-9] 種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の合成と特性評価

△ [19p-C104-15] Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の電圧印加結晶構造変化の組成依存性