一般セッション(口頭講演)

[27a-G21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:45 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27a-G21-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
六角形状GaNマイクロディスクにおける光共振機構の検討 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○光野徹也¹，酒井優²，岸野克巳³，原和彦¹ (静岡大¹，山梨大²，上智大³)

[27a-G21-2] △非対称 AlN/GaN 多層膜反射鏡の設計と作製 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○（B）萩原康大¹，矢木康太¹，安田俊輝¹，竹田健一郎¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤﨑記念研究センター²)

[27a-G21-3] 高品質(1-100)面自立AlGaN薄膜を有する高Q値(Q～4800)垂直微小共振器の作製と評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○有田宗貴¹，陶仁春²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

[27a-G21-4] ▲高Q値(>6900)AlN一次元フォトニック結晶ナノ共振器 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○Sylvain Sergent¹，有田宗貴¹，加古敏¹，田辺克明¹，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

[27a-G21-4.1] 休憩(15分)

[27a-G21-5] △位置制御単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットからの室温PL発光 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○Kihyun Choi¹，加古敏¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

[27a-G21-6] 位置制御 GaN ナノワイヤ量子ドットにおけるスペクトル拡散の研究 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○Mark Holmes¹，加古敏^1,2，崔琦鉉²，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

[27a-G21-7] 窒化物半導体における光子－フォノン相互作用 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○八田佳祐，石谷善博 (千葉大院工)

[27a-G21-8] 遷移金属添加Ⅲ族窒化物薄膜の光学的特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○園田早紀¹，櫻井芳昭²，小笠原一禎³，石河孝洋⁴，石谷善博⁵ (京都工繊大¹，大阪産技研²，関西学院大理工³，阪大極限セ⁴，千葉大工⁵)

一般セッション(口頭講演)

[27p-G21-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月27日(水) 13:00 〜 18:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-G21-0] 昼食(75分)

[27p-G21-1] ナノELOによるm面GaInN厚膜の検討 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○（B）小﨑桂矢，近藤真一郎，土屋貴義，岩谷素顕，上山智，竹内哲也，赤﨑勇 (名城大・理工)

[27p-G21-2] △MOVPE法によるAlInN高速成長の影響 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○（B）小塚祐吾¹，鈴木智行¹，森田隆敏¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大¹，名古屋大学赤崎記念研究センター²)

[27p-G21-3] △MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○正直花奈子¹，崔正焄^1,2，進藤裕文¹，木村健司^1,2，谷川智之^1,2，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²)

[27p-G21-4] △MOVPEにより作製したGaInN/GaN超格子構造のその場観察X線回折法による評価 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○（B）山本泰司¹，飯田大輔¹，近藤保成¹，曽和美保子¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤崎勇^1,2 (名城大¹，名古屋大赤﨑記念研究センター²)

[27p-G21-5] ▲In situ X-ray measurements of In-rich InGaN growth by MOVPE (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（PC）Guangxu Ju¹，本田善央¹，渕慎吾^1,3，田渕雅夫²，天野浩^1,3，竹田美和⁴ (名大工¹，シンクロトロン光研究センター²，赤崎記念研究センター³，知の拠点⁴)

[27p-G21-6] ▲Si (111)基板上GaN成長のin-situ観察によるGaN膜厚最適化
GaN thickness optimization by in-situ observation of GaN growth on Si (111) (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○劉才¹，ハッサネットソダーバンル¹，杉山正和²，中野義昭^{1, 2} (東大先端研¹，東大院工²)

[27p-G21-6.1] 休憩(15分)

[27p-G21-7] △Si基板上GaNにおけるAlGaN/AlN中間層による貫通転位の低減 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○吉田学史，彦坂年輝，杉山直治，布上真也 (東芝研究開発センター)

[27p-G21-8] コーン型加工基板上に成長したc面GaNの転位密度の三角格子回転角度依存性 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○弘田雄太郎，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[27p-G21-9] Eu添加による選択成長GaNのファセット制御 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○長谷川亮介，若松龍太，玉岡武泰，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

[27p-G21-10] △半極性{11-22}GaNホモエピタキシにおけるV/III比の影響 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（DC）西中淳一，船戸充，川上養一 (京大院工)

[27p-G21-11] アニール後の低温AlNバッファ層の結晶島密度とGaN成長層の結晶品質 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○奥野浩司^1,2，小塩高英²，柴田直樹²，本田善央¹，山口雅史¹，田中成泰¹，天野浩¹ (名大院工¹，豊田合成²)

[27p-G21-12] △GaN低温成長におけるSb添加の効果 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○鈴木智行¹，笹島浩希¹，松原由布子¹，加賀充¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

[27p-G21-12.1] 休憩(15分)

[27p-G21-13] △Inサーファクタントによる(0001)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○（B）逢坂崇¹，谷川智之^1,2，正直花奈子¹，木村健司^1,2，岩渕拓也¹，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²)

[27p-G21-14] 高抵抗ＦｅドープＧａＮ系層における歪によるＦｅの表面偏析抑制 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○石黒哲郎，山田敦史，苫米地秀一，小谷淳二，中村哲一，吉川俊英，渡部慶二，今西健治 (富士通研究所)

[27p-G21-15] △LED構造上GaNトンネル接合の低抵抗化 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（B）南川大智¹，加賀充¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大¹，赤﨑記念研究センター²)

[27p-G21-16] ▲螺旋成長したN極性GaN (000-1)のらせん転位近傍のTEM観察 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○林家弘，赤坂哲也，山本秀樹 (NTT物性科学基礎研)

[27p-G21-17] ▲InGaN下地層による(000-1)InGaN多層量子井戸発光効率の改善 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○林家弘，赤坂哲也，山本秀樹 (NTT物性科学基礎研)

[27p-G21-18] GaN薄膜成長におけるN原子取り込み過程の分子動力学シミュレーション (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○河村貴宏¹，三木貴文¹，林寛哉¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

一般セッション(口頭講演)

[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G21-1] △Naフラックス法によるポイントシード上バルクGaN単結晶成長 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○今出完，村上航介，松尾大輔，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，北本啓，丸山美帆子，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

[28a-G21-2] 放射光X線によるNaフラックス法GaN単結晶基板の結晶性評価 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○下田麻由¹，澤田沙希¹，尾上貴洋¹，硲和輝¹，津坂佳幸¹，高野秀和¹，篭島靖¹，野瀬惣市²，竹田晋吾²，今出完³，横山和司²，松井純爾²，丸山美帆子³，吉村政志³，森勇介³ (兵庫県立大院物質理¹，兵庫県放射光ナノテク研²，大阪大院工³)

[28a-G21-3] △Naフラックス法結合成長を用いた2インチGaNウエハの作製 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○今西正幸，染野辰也，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

[28a-G21-4] △流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性の改善 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[28a-G21-5] ストライプ状SiO2マスクを用いた大口径半極性面GaNの高品質化 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

古家大士，^○橋本健宏，上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大理工学研究科)

[28a-G21-5.1] 休憩(15分)

[28a-G21-6] サファイア加工基板上半極性面GaNのTEMによる評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[28a-G21-7] ナノチャンネルFIELO法により作製した GaNテンプレートの光学特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○南部優賢¹，真鍋仁志¹，内田健太¹，山口敦史¹，後藤裕輝²，砂川晴夫²，松枝敏晴²，岡田愛姫子³，篠原秀敏⁴，西原浩巳⁴，後藤博史⁴，水野潤³，碓井彰² (金沢工大¹，古河機械金属²，早大³，東芝機械⁴)

[28a-G21-8] △6H-SiC基板上へのAlNのHVPE成長における核形成制御 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○北川慎，三宅秀人，平松和政 (三重大工)

[28a-G21-9] △X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAlN厚膜の結晶性評価 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○中村邦彦¹，ディンカン¹，荒内琢士¹，竹内正太郎¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，今井康彦⁴，木村滋⁴，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³，JASRI/SPring-8⁴)

[28a-G21-10] △Ga-Al液相法により成長したAlN膜の極性反転構造 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○安達正芳¹，津田健治¹，渡邊郁磨¹，杉山正史²，飯田潤二²，田中明和²，福山博之¹ (東北大多元研¹，住友金属鉱山²)

[28a-G21-11] Al₂O₃熱窒化法によるAlN結晶成長に及ぼすZrO₂添加の効果 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○尤玉，加藤三香子，大塚誠，福山博之 (東北大多元研)

一般セッション(ポスター講演)

[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月28日(木) 13:30 〜 15:30 PA1 (第一体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-PA1-1] RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○鈴木潤一郎，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

[28p-PA1-2] 電界効果MOCVDによるSi(100)基板上へのInNの成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○太田優一，犬島喬 (東海大　総合理工)

[28p-PA1-3] ラマン散乱によるHVPE成長InN膜の結晶性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金廷坤¹，小池隆¹，中西晋一¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹，王娟³，李元在³ (京工繊大¹，和大²，東義大³)

[28p-PA1-4] 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの表面-バルク電子状態評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井村将隆¹，長田貴弘¹，荒木努⁴，名西やすし^4,5，小出康夫¹，A.L. Yang²，山下良之²，吉川英樹²，小林啓介²，山口智広³，武田寛之²，津田俊輔²，金子昌充⁴，上松尚⁴ (物材機構¹，SPring-8物材機構²，工学院大³，立命館大⁴，ソウル大⁵)

[28p-PA1-5] InGaNナノワイヤ中の積層欠陥の原子構造と生成メカニズム (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井村将隆¹，小出康夫¹，中山佳子¹，竹口雅樹¹，水谷駿介²，田畑拓也²，中川慎太²，山口雅史²，天野浩^2,3 (物材機構¹，名大院工²，赤﨑記念研究センター³)

[28p-PA1-6] RF-MBE成長InGaN混晶のB₁(high)モードによる成長温度最適化の検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

坂川祐輝，^○兒玉賢治，廣長大造，橋本明弘 (福大工)

[28p-PA1-7] MOVPE成長In_xGa_1-xN (x~0.3)膜のSiドーピング効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

三原章宏¹，鄭仰東^1,2，重川直輝³，^○山本高^1,2 (福井大工¹，JST-CREST²，大阪市大工³)

[28p-PA1-8] ▲Temperature dependence of photovoltaic properties in InGaN solar cells (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（P）Liwen Sang，廖梅勇，池田直樹，小出康夫，角谷正友 (物質材料研究機構)

[28p-PA1-9] InGaN厚膜を有するpin接合の電気的評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中野由崇¹，新部正人²，Michael Lozac'h³，Liwen Sang³，角谷正友³ (中部大総工研¹，兵庫県立大高度研²，物材機構³)

[28p-PA1-10] InGaN薄膜の表面ピット近傍の発光空間分布の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○倉井聡¹，若松歩¹，工藤広光²，岡川広明²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三菱化学²)

[28p-PA1-11] LP-MOVPE法で成長したSi添加AlGaN薄膜のカソードルミネッセンスマッピング評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○倉井聡¹，牛島史貴¹，穴井恒二¹，若松歩¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

[28p-PA1-12] 青色発光InGaN量子井戸構造上のナノパターンを用いた超解像イメージング (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐藤綾耶^1,2，小澤祐市^2,3，草間裕太¹，佐藤俊一^2,3，横山弘之^1,2 (東北大未来研（NICHe）¹，JST CREST²，東北大多元研³)

[28p-PA1-13] InGaNナノワイヤにおけるPLスペクトルの温度依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○室谷英彰¹，安藤浩哉¹，塚本武彦¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，田畑拓也³，本田善央³，山口雅史³，天野浩³ (豊田高専¹，山口大院・理工²，名大院・工³)

[28p-PA1-14] ラマン散乱によるMBE成長In_xGa_1-xN混晶フォノンの評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中西晋一¹，金廷坤¹，小池隆¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹，兒玉賢治³，橋本明弘³，山本暠勇³ (京工繊大¹，和大²，福井大³)

[28p-PA1-15] RF-MBE法による各種基板上GaN系ナノワイヤ成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○水谷駿介¹，田畑拓也¹，中川慎太¹，山口雅史¹，天野浩^1,2，井村将隆³，中山佳子³，竹口雅樹³ (名大院工¹，赤崎記念研究センター²，物材機構³)

[28p-PA1-16] 電流制御型液相成長を用いたGaNの選択成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○神林大介，高倉宏幸，冨田将史，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

[28p-PA1-17] △(111)Si基板上スパッタAlN細線上GaN成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○光成正¹，名和健吾¹，山田貴也¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑研究センター²)

[28p-PA1-18] 加工(110)Si基板を用いたGaNの転位密度低減 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○名和健吾^1,2，光成正^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

[28p-PA1-19] TiO₂薄膜堆積によるGaN光触媒のバンド端電位シフト (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐野双美¹，脇一太郎¹，岡部伸宏¹，藤井克司²，杉山正和² (昭和シェル中研¹，東大先端研²)

[28p-PA1-20] 六方晶窒化ホウ素薄膜のサファイア基板上への高温化学気相成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○李惠映，光野徹也，小南裕子，中西洋一郎，原和彦 (静大電子研)

[28p-PA1-21] 原料及び結晶を考慮したアモノサーマル法によるGaNバルク単結晶育成時の熱流体解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○増田善雄¹，鈴木明¹，横山千昭² (産総研¹，東北大多元研²)

[28p-PA1-22] Naフラックス法における溶液攪拌速度がGaNの成長モルフォロジーに与える影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○伊賀仁志，中村亘志，原田陽司，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

[28p-PA1-23] サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）吉野川伸雄¹，岩渕拓也¹，正直花奈子¹，木村健司^1,2，谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²)

[28p-PA1-24] MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセス(II) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○藤田陽平¹，高野泰²，井上翼²，中野貴之² (静大院工¹，静大工²)

[28p-PA1-25] X線異常分散を用いたm面GaNの面内極性判定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○花田貴^1,2，島田貴章¹，田尻寛男³，坂田修身³，劉玉懐¹，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，ＣＲＥＳＴ²，ＪＡＳＲ³)

[28p-PA1-26] 中性子転換注入GaN中の¹⁴Cによる⁷²Geドナーの補償 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中村司¹，伊田孝寛¹，尾賀孝宏¹，栗山一男¹，串田一雅²，徐　　虬³，福谷哲³，長谷川雅考⁴ (法政大¹，大阪教育大²，京大原子炉³，産総研⁴)

[28p-PA1-27] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○角田雅弘¹，森川生¹，窪谷茂幸¹，片山竜二²，矢口裕之³，尾鍋研太郎¹ (東大新領域¹，東北大金研²，埼玉大理工³)

[28p-PA1-28] 炭化Si基板上へのAlGaN/GaN結晶成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○坂本達哉^1,2，若林成彰^1,2，高橋言緒²，井手利英²，清水三聡²，高梨良文¹ (東理大院基礎工¹，産総研先進パワエレ²)

[28p-PA1-29] 炭素（C）ドープAlGaNのP型化のメカニズム (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金度亨¹，李熙燮²，山住和也¹，西野克志^1,3，酒井士郎^1,3 (徳島大院　ATS¹，ソウルオプトデバイス²，徳島大院　STS³)

[28p-PA1-30] AlGaNへのSi・Cの同時ドーピングに関する研究 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○若杉侑矢，本田善央，山口雅史，天野浩 (名大院工)

[28p-PA1-31] 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○西野克志¹，日和佐悠一¹，岩元翔太¹，林浩太郎¹，月原政志² (徳島大工¹，ウシオ電機²)

[28p-PA1-32] 表面プラズモンカップリングを利用したGaInN/GaN量子井戸の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（PC）飯田大輔^1,2，Yuntian Chen²，Yiyu Ou²，Ahmed Fadil²，Oleksii Kopylov²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,3，Haiyan Ou² (名城大・理工¹，デンマーク工科大²，赤崎記念研究センター³)

[28p-PA1-33] UV-LED上サブ波長回折格子の偏光特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○高島祐介¹，清水亮¹，直井美貴^1,2 (徳島大ATS¹，徳島大STS²)

[28p-PA1-34] p-AlGaN透明コンタクト層を用いた280nm帯深紫外LEDの高効率化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○前田哲利^1,2，藤川紗千恵^1,2，平山秀樹^1,2 (理研¹，JST CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月28日(木) 15:45 〜 19:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G21-1] 安定化ジルコニア基板上へのN極性InN薄膜の成長 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○大関正彬¹，大久保佳奈¹，小林篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治²，藤岡洋^1,3 (東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³)

[28p-G21-2] 絶縁膜/極薄InN/YSZ構造の作製と評価 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○大久保佳奈¹，小林篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治²，藤岡洋^1,3 (東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³)

[28p-G21-3] 非晶質基板上へ成長したInNの特性評価 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○伊藤剛輝¹，小林篤²，太田実雄²，藤岡洋^2,4，尾嶋正治³ (東大工¹，東大生研²，東大院工³，JST-CREST⁴)

[28p-G21-4] InNの局所的格子温度上昇による非輻射再結合活性化過程 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○今井大地¹，石谷善博¹，王新強³，草部一秀²，吉川明彦² (千葉大院工¹，千葉大SMART²，北京大物理³)

[28p-G21-5] ECR-MBE法で作製したSi基板上GaN薄膜(t<200nm)の高品質化への試み ―作製プロセスの見直しとその検討― (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○淀徳男¹，井上直哉²，塩尻大士²，譚ゴオン²，熊谷典子²，松田晃史²，吉本護² (大工大工¹，東工大総理工²)

[28p-G21-6] RF-MBE法によるグラフェン/Si(100)基板上GaN成長 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○荒木努¹，阪口順一¹，内村智¹，名西やす之^2,3，Tatsuya Fujishima⁴，Tomás Palacios⁴，Amaia Zurutuza⁵ (立命館大理工¹，立命館大R-GIRO²，ソウル国立大³，マサチューセッツ工科大⁴，Graphenea⁵)

[28p-G21-6.1] 休憩(15分)

[28p-G21-7] GaN/Si (111) 基板上規則配列GaNナノコラムの評価 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（PC）石沢峻介¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²)

[28p-G21-8] トップダウン法ナノコラムテンプレート上へのGaNナノコラム成長 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○山野晃司¹，岸野克巳^1,2，関口寛人³，若原昭浩³ (上智大理工¹，上智ナノテク研究センター²，豊橋技大工³)

[28p-G21-9] 微小領域三原色ナノコラムLEDの実現に向けた研究 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○高橋敦¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク²)

[28p-G21-10] Si(111)基板上に成長されたGaN歪みに薄いAlN/GaN超格子中間層の効果 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○沈旭強，高橋言緒，植竹哲平，坂村裕一，井手利英，清水三聡 (産総研)

[28p-G21-11] In-situ RF-MBE法によるAlO_x/AlN/GaN構造のヘテロ成長 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○杉浦洋平^1,2，山口智広¹，本田徹¹，東脇正高^2,3 (工学院大工¹，情通機構²，JSTさきがけ³)

[28p-G21-12] NH₃-CIBを用いてMBE成長したAlN, GaN/Al₂O₃薄膜の格子定数 (6:45 PM ～ 7:00 PM)

^○斉藤博¹，今井和明²，鈴木和彦² (岡山理大理¹，道工大工²)

一般セッション(口頭講演)

[29a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月29日(金) 09:00 〜 12:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-G21-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
窒化物半導体HFET型光センサー構造の最適化 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○石黒真未¹，池田和弥¹，水野正隆¹，岩谷素顕¹，上山智¹，竹内哲也¹，赤崎勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤崎記念研究センター　²)

[29a-G21-2] AlN/BN/AlNダブルヘテロ構造上のGaN薄膜のMOVPE成長 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○小林康之，熊倉一英，赤坂哲也，山本秀樹，牧本俊樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

[29a-G21-3] CH4によるAlGaNへのp型ドーピング (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○Heesub Lee¹，金度亨²，山住和也²，酒井士郎² (ソウルオプトデバイス¹，徳島大院²)

[29a-G21-4] AlGaN/GaN HEMT構造におけるマイクロクラックの発生と引張り歪みの相関 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○小谷淳二，苫米地秀一，宮島豊生，中村哲一，吉川俊英，渡部慶二，今西健治 (富士通研)

[29a-G21-5] 低温におけるGaN/AlGaNヘテロ界面の2次元正孔ガスの伝導機構 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○劉璞誠¹，中島昭²，角嶋邦之³，牧野俊晴²，小倉政彦²，西澤伸一²，岩井洋³，大橋弘通² (東工大フロンティア研¹，産総研²，東工大総理工³)

[29a-G21-5.1] 休憩(15分)

[29a-G21-6] △(1102)基板上へのAlNホモエピタキシーにおける成長圧力の最適化 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○市川修平¹，船戸充¹，永田俊郎²，川上養一¹ (京大院工¹，JFEミネラル²)

[29a-G21-7] △SiドープAlNのMOVPE成長における転位密度の影響 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○西尾剛，三宅秀人，平松和政 (三重大)

[29a-G21-8] △量子分子動力学法を用いたGaNエッチング過程における反応メカニズムの解析 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（M1）柳谷一行，伊藤寿，桑原卓哉，石川岳志，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

[29a-G21-9] 機能水によるサファイア基板表面の微粒子除去 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○正岡融，森田博志 (栗田工業)

[29a-G21-10] △ＧａＮエピタキシャル膜中の転位とメカニカルダイシングプロセスの相関性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○田口秀幸^1,2，北原周¹，三宅修吾¹，中上明光¹，藤原康文² (コベルコ科研¹，阪大院工²)

[29a-G21-11] GaNの水素雰囲気異方性熱エッチング特性の評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○蜂屋大樹，菊池昭彦 (上智大)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月29日(金) 13:00 〜 19:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G21-0] 昼食(60分)

[29p-G21-1] 「第3回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演」（30分）
III-V族半導体における規則性、不規則性の究明とその応用に関する研究 (1:00 PM ～ 1:30 PM)

^○佐々木昭夫^1,2 (京大¹，大阪電気通信大²)

[29p-G21-2] Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解カソードルミネッセンス評価 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○羽豆耕治¹，石川陽一¹，田代公則¹，古澤健太郎¹，三宅秀人²，平松和政²，上殿明良³，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三重大院工²，筑波大院数物³)

[29p-G21-3] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○（DC）大音隆男，ライアンバナル，船戸充，川上養一 (京大院工)

[29p-G21-4] △共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○岩田佳也¹，金田昭男¹，ライアンバナル²，船戸充¹，川上養一¹ (京大院工¹，NTT研²)

[29p-G21-5] ▼Improved Emission Properties of AlGaN Quantum Wells by Non-polar Plane (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○Ryan Banal，谷保芳孝，山本秀樹 (ＮＴＴ　物性研)

[29p-G21-6] AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○石井良太，船戸充，川上養一 (京大院・工)

[29p-G21-7] MBE成長In-rich In_xAl_1-xN混晶フォノンのラマン散乱評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（M1）小池隆¹，金廷坤¹，中西晋一¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹，兒玉賢治³，橋本明弘³，山本暠勇³ (京工繊大¹，和大²，福井大³)

[29p-G21-7.1] 休憩(15分)

[29p-G21-8] 深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○豊田史朗^1,2，富田優志^1,2，藤川紗千恵²，鎌田憲彦^1,2，平山秀樹^1,2 (理研¹，埼玉大²)

[29p-G21-9] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○富田優志^1,2，豊田史朗^1,2，藤川紗千恵²，鎌田憲彦¹，平山秀樹^1,2 (埼玉大¹，理研²)

[29p-G21-10] △350nm紫外LEDの光取り出し効率の向上 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（M1）中嶋翼¹，竹田健一郎¹，新里紘史¹，岩谷素顕¹，上山智¹，竹内哲也¹，赤﨑勇^1,3，天野浩^2,3 (名城大理工¹，名大院工²，名大赤﨑記念研究センター³)

[29p-G21-11] △モスアイ加工サファイア基板によるLEDの光取り出し効率の改善 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○（M1）土屋貴義¹，梅田慎也¹，曽和美保子¹，河合俊介¹，近藤俊行²，北野司²，森みどり²，鈴木敦志²，赤﨑勇^1,4，関根均³，難波江宏一²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹ (名城大・理工¹，エルシード²，DIC³，名古屋大・赤﨑記念研⁴)

[29p-G21-12] △電子ブロック層上活性層による電子オーバーフローの直接観測 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（B）林健人¹，松井健城¹，森田隆敏¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

[29p-G21-13] △横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○（M1）桑野侑香¹，加賀充¹，森田隆敏¹，山下浩司¹，南川大智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大,赤﨑記念研究センター²)

[29p-G21-14] InGaN系発光ダイオードの効率改善 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○Haziq Muhammad，弘田雄太郎，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[29p-G21-15] △半極性面 {11-22} InGaN下地層を用いたLEDにおける下地層膜厚依存性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○中尾洸太，三好清太，内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[29p-G21-15.1] 休憩(15分)

[29p-G21-16] △窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○松井健城¹，山下浩司¹，加賀充¹，森田隆敏¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

[29p-G21-17] Mg共添加GaN:Euを活性層としたLEDの発光出力向上 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○松村亮太¹，大谷龍輝¹，関口寛人¹，高木康文²，岡田浩¹，若原昭浩¹ (豊橋技科大¹，浜松ホトニクス²)

[29p-G21-18] c面サファイア上に成長した黄緑色ＬＥＤの高効率化 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○黄鐘日，橋本玲，齋藤真司，布上真也 (東芝　研究開発センター)

[29p-G21-19] MeTRe 法剥離による極薄 GaN 系素子の作製 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○廣木正伸，熊倉一英，小林康之，赤坂哲也，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

[29p-G21-20] High-optical-confinement LDs using AlInN/GaN lattice-matched heterostructures (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○谷保芳孝^{1, 2}，Jean-François Carlin²，Antonino Castiglia²，Raphaël Butté²，Nicolas Grandjean² (NTT物性研¹，EPFL²)

[29p-G21-21] 窒化物半導体ライトエミッティングトランジスタの光出力特性 (6:45 PM ～ 7:00 PM)

^○熊倉一英，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

一般セッション(口頭講演)

[30a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月30日(土) 09:00 〜 12:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[30a-G21-1] △水分解GaN系光電気化学電極における新規構造の提案 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○中村亮裕¹，藤井克司²，杉山正和¹，中野義昭³ (東大工¹，GS+I²，東大先端研³)

[30a-G21-2] △GaInN超格子構造最適化による窒化物半導体太陽電池の高性能化 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○黒川泰視¹，近藤真一郎¹，山本翔太¹，森美貴子¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^2,3，天野浩^1,3 (名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター³)

[30a-G21-3] △MOVPE-InGaN/Sapphire太陽電池の作製・評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○山本智博¹，林秀樹¹，塩濱健一¹，柳澤祐介¹，新間理夏¹，草部一秀^2,4，吉川明彦^2,3,4，大川和宏^1,4 (東京理科大・理¹，千葉大²，工学院大³，JST-ALCA⁴)

[30a-G21-4] N極性InGaN/GaN 量子井戸構造の作製および評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○岸川英司¹，上野耕平²，井上茂¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,3 (東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³)

[30a-G21-5] Si(110)基板上へのGaN薄膜成長と中間層の効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○近藤尭之¹，上野耕平¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

[30a-G21-5.1] 休憩(15分)

[30a-G21-6] △PSD法によるパターンサファイア基板上GaN薄膜成長 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（P）上野耕平¹，井上茂²，太田実雄²，藤岡洋^2,3，尾嶋正治¹ (東大院工¹，東大生研²，JST-CRESST³)

[30a-G21-7] PSD法によるCドープGaN薄膜の成長 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○渡辺拓人¹，丹所昂平¹，井上茂¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

[30a-G21-8] ▲GaN growth on graphene by pulsed sputtering deposition (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○Jeongwoo Shon¹，太田実雄¹，上野耕平¹，藤岡洋^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

[30a-G21-9] ポリマーを出発材料に用いたグラファイトシート上への窒化物薄膜結晶成長と発光素子への応用 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○太田実雄¹，金子俊郎¹，平崎哲郎²，植仁志²，児玉昌也³，藤岡洋^1,4 (東大¹，東海カーボン²，産総研³，JST-CREST⁴)

[30a-G21-10] △窒化物LED低温製造プロセスの開発 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○中村英司¹，上野耕平¹，井上茂²，太田実雄²，藤岡洋^2,3，尾嶋正治¹ (東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³)

[30a-G21-11] UHVスパッタエピタキシーによるAlN単結晶層の成長 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○比留間翔太，笹原駿介，増田貴則，飯島成規，二階堂真也，羽鳥貴善，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

一般セッション(口頭講演)

[30p-G21-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月30日(土) 13:15 〜 15:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[30p-G21-0] 昼食(75分)

[30p-G21-1] 発光色の異なるナノコラムLEDの一体集積化 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○柳原藍¹，池田恭一¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク研²)

[30p-G21-2] InGaN-LEDの光出力におけるナノ構造サファイア加工基板のコラム高さ依存性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○江上卓也¹，三好清太¹，井本良¹，岡田成仁¹，只友一行¹，西宮智靖²，平本道広²，本山慎一² (山口大院理工¹，サムコ²)

[30p-G21-3] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○石川陽一¹，古澤健太郎¹，田代公則¹，羽豆耕治¹，長尾哲²，池田宏隆²，藤戸健史²，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²)

[30p-G21-4] △InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（M1）西川恭平，金田昭男，船戸充，川上養一 (京大院工)

[30p-G21-5] △脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○田中優也，金田昭男，船戸充，川上養一 (京大院工)

[30p-G21-6] △InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○井上航平¹，金田昭男¹，船戸充¹，川上養一¹，岡本晃一² (京大工¹，九大化²)

[30p-G21-7] △半極性(1122)InGaN/GaN量子井戸における励起子ダイナミクスの井戸幅依存性 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○尾崎拓也，西中淳一，船戸充，川上養一 (京大工)

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15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[27a-G21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

[27p-G21-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-G21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30p-G21-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶