一般セッション(ポスター講演)

[10a-PA3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2019年3月10日(日) 09:30 〜 11:30 PA3 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[10a-PA3-1] スパッタ法を用いたSi基板上へのPZTエピタキシャル薄膜の作製

〇村瀬幹生¹、和泉享兵¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府大工)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-2] 正圧電応答顕微鏡によるP(VDF-TrFE)膜の圧電評価

〇金川いづる¹、松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-3] ショットキー障壁の高さ変化を利用したガスセンシング

〇(B)柏原浩大¹、 Julien Schneider²、押目典宏⁴、狩野旬³ (1.岡山大工、2.Institut National Polytechnique, Toulouse、3.岡山大自然、4.産総研)

09:30 〜 11:30

▼ [10a-PA3-4] Improvement of BaTa₂O₆ Thin Films for TFT Gate Insulator Applications

〇Son Tien Bui¹、 Kenshin Narisawa²、 Cuong Duc Pham¹、 Kiyoshi Uchiyama² (1.Hanoi University of Industry、2.National Institute of Technology, Tsuruoka College)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-5] 反応性スパッタリング法を用いたBaTiO3膜の作製

〇牧野碧¹、西出正道²、西田謙¹ (1.防衛大、2.先導技術研究所)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-6] Lattice mismatch effect on biaxial strain exerted on epitaxially-grown BiFeO₃

〇永沼博⁵、 In-Tae Bae^1,2、安井伸太郎³、伊藤満³、白石貴久⁴、木口賢紀⁴、一ノ瀬智浩⁵ (1.ニューヨーク州立大学S3IP、2.ニューヨーク州立大学、3.東工大フロンティア、4.東北大金研、5.東北大工)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-7] 圧電高分子膜(P(VDF-TrFE))一体型ZnO-FETの熱処理前後の評価

〇岡山琢哉¹、松本周作¹、古川昭雄¹ (1.東理大理工)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-8] Strain Engineeringのツールとしてのナノ細孔誘起歪み

〇鈴木孝宗¹ (1.東理大総研機構)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-9] 蛍光X線ホログラフィを用いたMnドープBiFeO₃薄膜の局所構造解析

〇渕脇八雲¹、中嶋誠二¹、藤澤浩訓¹、黒川悠太¹、八方直久²、林好一³、木村耕治³、山本裕太³、松本亮平³ (1.兵庫県立大工、2.広島市立大情報、3.名工大構造物性)

09:30 〜 11:30

[10a-PA3-10] 強誘電体膜作成基板における残留プロトンの検討

〇山口正樹^1,2、増田陽一郎³、山﨑美沙¹、平出惇¹ (1.芝浦工大工、2.芝浦工大RCGI、3.八戸工大工)

一般セッション(口頭講演)

[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2019年3月11日(月) 09:00 〜 12:00 W351 (W351)

藤沢浩訓(兵庫県立大)、山田智明(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[11a-W351-1] スパッタリング法により配向制御したHfO₂基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価

〇(P)志村礼司郎¹、三村和仙¹、清水荘雄¹、舟窪浩¹ (1.東工大物院)

09:15 〜 09:30

[11a-W351-2] ミストCVD法によるn⁺-Si(100)基板上への強誘電体HfO₂薄膜の作製とその電気特性評価

〇(D)田原大祐¹、西中浩之¹、野田実¹、佐藤翔太²、川原村敏幸²、吉本昌広¹ (1.京工繊大、2.高知工科大)

09:30 〜 09:45

△ [11a-W351-3] 強誘電体(Hf,Ce)O₂薄膜の作製とその結晶構造評価

〇白石貴久¹、 Choi Sujin¹、清水荘雄²、木口賢紀¹、舟窪浩²、今野豊彦¹ (1.東北大、2.東工大)

09:45 〜 10:00

△ [11a-W351-4] PLD法を用いたY, ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

〇(M1C)田代裕貴¹、三村和仙¹、清水荘雄¹、舟窪浩¹ (1.東工大)

10:00 〜 10:15

[11a-W351-5] (K, Na)NbO₃薄膜へのドーピング効果

〇譚ゴオン¹、藤田卓也¹、西岡慎太郎¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

10:15 〜 10:30

▼ [11a-W351-6] 【Highlight】Theoretical analysis of the influence of aspect ratio and density of nanorod arrays for piezoelectric energy harvesting

〇(D)Jundong Song¹、 Tomoaki Yamada^1,2、 Masahito Yoshino¹、 Takanori Nagasaki¹ (1.Nagoya Univ.、2.PRESTO)

10:45 〜 11:00

△ [11a-W351-7] 極性磁性体h-ScFeO₃薄膜の強誘電性と界面構造

〇浜嵜容丞¹、安井伸太郎²、白石貴久³、赤間章裕³、木口賢紀³、谷山智康²、伊藤満² (1.防衛大、2.東工大、3.東北大)

11:00 〜 11:15

△ [11a-W351-8] 電気二重層構造で測定したPbTiO₃極薄膜の強誘電特性

〇西野隆太郎¹、藤田貴啓¹、賀川史敬^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS)

11:15 〜 11:30

[11a-W351-9] 二重バイアス変調静電引力顕微鏡を用いたポリフッ化ビニリデンの誘電緩和測定

〇平永良臣¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

11:30 〜 11:45

[11a-W351-10] 極細導電性探針を用いた高分解能強誘電ドメイン観察

〇石田知嵩¹、平永良臣¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

11:45 〜 12:00

[11a-W351-11] [講演奨励賞受賞記念講演] スパッタBiFeO₃薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の高効率・高出力化

〇荒牧正明¹、吉村武¹、村上修一²、佐藤和郎²、藤村紀文¹ (1.大阪府大工、2.大阪技術研)

一般セッション(口頭講演)

[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

2019年3月11日(月) 13:00 〜 17:00 W351 (W351)

平永良臣(東北大)、恵下隆(和歌山大)、木口賢紀(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[11p-W351-1] 組成相境界近傍のPZTエピタキシャル薄膜における微細構造

〇木口賢紀¹、清水匠¹、白石貴久¹、今野豊彦¹ (1.東北大金研)

13:15 〜 13:30

△ [11p-W351-2] 組成相境界近傍組成を有するPZT膜の電界下X線回折測定

〇(M1)井上英久¹、一ノ瀬大地¹、清水荘雄¹、舟窪浩¹ (1.東工大)

13:30 〜 13:45

△ [11p-W351-3] RFスパッタ法により作製したPZT系エピタキシャル薄膜のMPB特性

〇(M1C)野田隆太^1,2、清水貴博^1,2、和佐清孝⁴、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早稲田大学、2.材研、3.JSTさきがけ、4.横浜市立大)

13:45 〜 14:00

△ [11p-W351-4] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の圧電定数,e_31,f, の評価

〇(M2)舘山明紀¹、伊東良晴¹、中村美子¹、清水荘雄¹、折野裕一郎¹、黒澤実¹、内田寛²、白石貴久³、木口賢紀³、今野豊彦³、熊田伸弘⁴、吉村武⁵、舟窪浩¹ (1.東工大、2.上智大、3.東北大、4.山梨大、5.大阪府立大)

14:00 〜 14:15

[11p-W351-5] 強誘電体キャパシタにおける酸素空孔分布の制御

〇野口祐二¹、松尾拓紀²、宮山勝¹ (1.東大院工、2.東大新領域)

14:30 〜 14:45

▼ [11p-W351-6] Large Electrocaloric Effect in Al_xFe_2-xO₃ Epitaxial Thin Films

〇(P)BadariNarayana Aroor Rao¹、 Shintaro Yasui¹、 Tsukasa Katayama²、 Mitsuru Itoh¹ (1.Tokyo Inst. of Tech.、2.Univ. of Tokyo)

14:45 〜 15:00

[11p-W351-7] Nd添加BFO強誘電体膜の抵抗スイッチングにおける上部電極の影響

〇江波卓弥¹、金子真之介¹、高馬勇¹、森本章治² (1.金沢大院自然、2.金沢大理工)

15:00 〜 15:15

[11p-W351-8] プラズマプロセスを用いたBiFeO₃薄膜の酸素欠損と電気的特性

〇今泉文伸¹、仲田陸人¹ (1.小山高専)

15:15 〜 15:30

[11p-W351-9] スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO3薄膜のエピタキシャル成長

〇岡本直樹¹、和泉享兵¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府院工)

15:30 〜 15:45

[11p-W351-10] ドットパターンを形成したSrTiO₃(001)基板上へのBiFeO₃薄膜の製作

〇木村伶志¹、黒川悠太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹ (1.兵庫県立大学工学部)

16:00 〜 16:15

△ [11p-W351-11] SrTiO₃/TiO₂エピタキシャルバッファー層の導入がMgO基板上(Ba, Sr)TiO₃薄膜の電気・光学特性に与える影響

〇(DC)近藤真矢¹、山田智明¹、吉野正人¹、長崎正雅¹ (1.名大工)

16:15 〜 16:30

△ [11p-W351-12] LiNbO₃の極性と焦電効果がグラフェンの電気特性に及ぼす影響

〇安原雄大^1,2、知京豊裕²、小椋厚志¹、長田貴弘² (1.明大理工、2.物材機構)

16:30 〜 16:45

[11p-W351-13] P(VDF-TrFE)薄膜の固体ヒートポンプ応用の検討

〇松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府大工)

16:45 〜 17:00

△ [11p-W351-14] 強誘電体/半導体ヘテロ接合における負性容量の発現機構とその時間発展シミュレーション

〇高田賢志¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

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[10a-PA3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

▼ [10a-PA3-4] Improvement of BaTa2O6 Thin Films for TFT Gate Insulator Applications

[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11a-W351-3] 強誘電体(Hf,Ce)O2薄膜の作製とその結晶構造評価

△ [11a-W351-4] PLD法を用いたY, ZrドープHfO2薄膜の作製と評価

▼ [11a-W351-6] 【Highlight】Theoretical analysis of the influence of aspect ratio and density of nanorod arrays for piezoelectric energy harvesting

△ [11a-W351-7] 極性磁性体h-ScFeO3薄膜の強誘電性と界面構造

△ [11a-W351-8] 電気二重層構造で測定したPbTiO3極薄膜の強誘電特性

[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11p-W351-2] 組成相境界近傍組成を有するPZT膜の電界下X線回折測定

△ [11p-W351-3] RFスパッタ法により作製したPZT系エピタキシャル薄膜のMPB特性

△ [11p-W351-4] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO３配向膜の圧電定数,e31,f, の評価

▼ [11p-W351-6] Large Electrocaloric Effect in AlxFe2-xO3 Epitaxial Thin Films

△ [11p-W351-11] SrTiO3/TiO2エピタキシャルバッファー層の導入がMgO基板上(Ba, Sr)TiO3薄膜の電気・光学特性に与える影響

△ [11p-W351-12] LiNbO3の極性と焦電効果がグラフェンの電気特性に及ぼす影響

△ [11p-W351-14] 強誘電体/半導体ヘテロ接合における負性容量の発現機構とその時間発展シミュレーション

認証

▼ [10a-PA3-4] Improvement of BaTa₂O₆ Thin Films for TFT Gate Insulator Applications

△ [11a-W351-3] 強誘電体(Hf,Ce)O₂薄膜の作製とその結晶構造評価

△ [11a-W351-4] PLD法を用いたY, ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

△ [11a-W351-7] 極性磁性体h-ScFeO₃薄膜の強誘電性と界面構造

△ [11a-W351-8] 電気二重層構造で測定したPbTiO₃極薄膜の強誘電特性

△ [11p-W351-4] 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の圧電定数,e_31,f, の評価

▼ [11p-W351-6] Large Electrocaloric Effect in Al_xFe_2-xO₃ Epitaxial Thin Films

△ [11p-W351-11] SrTiO₃/TiO₂エピタキシャルバッファー層の導入がMgO基板上(Ba, Sr)TiO₃薄膜の電気・光学特性に与える影響

△ [11p-W351-12] LiNbO₃の極性と焦電効果がグラフェンの電気特性に及ぼす影響