[M-2-03] Gate-controlled Spin-orbit Interaction in an InAs Nanowire MOSFET

^○K. Takase¹, Y. Ashikawa^1,2, G. Zhang¹, K. Tateno¹, S. Sasaki^1,2 (1.NTT BRL(Japan), 2.Tohoku Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 16:25 〜 16:40 |PDF ダウンロード

[M-2-04(Invited)] Device and Circuit considerations towards Spin-Based Logic

^○I. P. Radu¹, O. Zografos¹, C. Wilson¹, A. Vaysset¹, F. Ciubotaru¹, M. Manfrini¹, P. Raghavan¹, S. Sayan¹, C. Adelmann¹, A. Thean¹ (1.IMEC(Belgium))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 16:40 〜 17:10 |PDF ダウンロード

[M-2-05(Late News)] Single Hole Transport and Magnetic Field Dependence of Pauli Spin Blockade in P-channel Silicon Double Quantum Dots

^○Y. Yamaoka¹, K. Iwasaki¹, S. Oda¹, T. Kodera¹ (1.Tokyo Tech(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 17:10 〜 17:25 |PDF ダウンロード

[M-3-01] Time Response of Gate-Controlled Metal-Insulator Transitions in Ultrathin VO₂ Channel

^○T. Yajima¹, T. Nishimura¹, A. Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 09:30 〜 09:45 |PDF ダウンロード

[M-3-02] An Innovative BEOL 3D IGZO-TFTs Logic Gate with Vertically Stacked Load and Drive Transistors and Tunable V_th

R. Lyu¹,^○H. Lin¹, P. Li¹, T. Huang¹ (1.NCTU(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 09:45 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[M-3-03] All-Solid-State Magnetic Properties Tuning Device Achieved by Redox Reaction of Fe₃O₄ Thin Film

^○T. Tsuchiya¹, K. Terabe¹, M. Ochi², T. Higuchi², M. Osada¹, Y. Yamashita¹, S. Ueda¹, M. Aono¹ (1.NIMS(Japan), 2.Tokyo Univ. of Science(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 10:00 〜 10:15 |PDF ダウンロード

[M-3-04] Superconducting (111) Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced (001) Step Edge Structure

^○M. Hideko¹, T. Kageura¹, M. Shibata¹, Y. Kitabayashi¹, Y. Sasama², T. Yamaguchi², Y. Takano², H. Kawarada¹ (1.Waseda Univ.(Japan), 2.NIMS(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 10:15 〜 10:30 |PDF ダウンロード

[M-3-05(Late News)] Active Artificial Synapse Based on 2DEG

^○P. Stoliar^1,2, A. Schulman¹, A. Kitoh¹, I. H. Inoue¹ (1.AIST(Japan), 2.CIC nanoGUNE(Spain))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 10:30 〜 10:45 |PDF ダウンロード

[M-4-01] Coherence Properties and Charge Stability of Shallow Implanted Nitrogen Vacancy Centers in ¹²C enrichied Diamond

^○H. Yamano¹, K. Kato¹, T. Kageura¹, M. Inaba¹, T. Okada¹, I. Higashimata¹, M. Haruyama^2,3, T. Tanii¹, S. Onoda², W. Kada³, O. Hanaizumi³, T. Teraji⁴, J. Isoya⁵, H. Kawarada^1,6 (1.Waseda Univ.(Japan), 2.National Inst. fot Quantum and Radiological Sci. and Tech.(Japan), 3.Gunma Univ.(Japan), 4.NIMS(Japan), 5.Univ. of Tsukuba(Japan), 6.Kagami Memorial Res. Inst. For Materials Sci. and Tech.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 13:30 〜 13:45 |PDF ダウンロード

[M-4-02] Design of Bull's Eye Structures on Gate-defined Lateral Quantum Dots

^○R. Fukai¹, T. Nakagawa¹, H. Kiyama¹, A. Oiwa¹ (1.Osaka Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 13:45 〜 14:00 |PDF ダウンロード