^○田村崇人¹，小松原彰¹，寺地徳之²，小野田忍³，大島武³，Christoph Müller⁴，Boris Naydenov⁴，Liam Mcguinness⁴，品田賢宏⁵，磯谷順一⁶，Fedor Jelezko⁴，谷井孝至¹ (早大理工¹，物材機構²，原子力機構³，ウルム大⁴，産総研⁵，筑波大⁶)

[27p-A6-5] 同位体濃縮ダイヤモンド合成のためのメタンガス高効率利用 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○寺地徳之¹，谷口尚¹，小泉聡¹，小出康夫¹，磯谷順一² (物材機構¹，筑波大²)

[27p-A6-6] △高濃度ボロンドープナノダイヤモンドを用いたＰ型透明伝導膜の作製 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○古閑三靖¹，栗原槙一郎¹，鹿又龍介¹，Xianfen Wang¹，Khalil Ishak Khairul¹，高野義彦²，山口尚秀²，長谷川雅考³，平岩篤¹，川原田洋¹ (早大理工¹，物材機構²，産総研³)

[27p-A6-6.1] 休憩(15分)

[27p-A6-7] DCプラズマ成長p型ホモ・エピ・ダイヤモンド(001)のショットキー障壁高さの電子分光研究 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○河野省三，市川公善，吉川太朗，児玉英之，澤邊厚仁 (青山学院大理工)

[27p-A6-8] Al₂O₃パッシベーションにより熱的安定化したNO₂吸着・水素終端ダイヤモンドFETの動作機構 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○平間一行¹，佐藤寿志¹，原田裕一¹，山本秀樹¹，嘉数誠^1,2 (NTT 物性研¹，佐賀大²)

[27p-A6-9] △絶縁性と耐環境性に優れた原子層堆積(ALD)Al₂O₃膜による水素終端ダイヤモンド表面の保護 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○齊藤達也，大長央，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

[27p-A6-10] △Al₂O₃ パッシベーションを施した水素終端ダイヤモンドMOSFET の400℃動作特性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○坪井秀俊，成尾智也，大長央，斉藤達也，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

[27p-A6-11] ダイアモンド横型接合デバイスの耐圧評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○佐藤一樹¹，岩崎孝之¹，星野雄斗¹，加藤宙光²，牧野俊晴²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎聡²，波多野睦子¹ (東工大¹，産総研²)

[27p-A6-11.1] 休憩(15分)

[27p-A6-12] ダイヤモンド半導体/ハーフメタルCo2MnSiショットキー接合の作製 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

宗宮崇，^○植田研二，西脇雅人，河本圭太，宮脇哲也，浅野秀文 (名大院工)

[27p-A6-13] ダイヤモンドショットキー接合の高温安定性評価 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○河本圭太，植田研二，宗宮嵩，西脇雅人，宮脇哲也，浅野秀文 (名大院工)

[27p-A6-14] △金属とp型ダイヤモンドの接触抵抗の(111)面と(100)面の比較 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○白田和也^1,3,4，松本翼^1,2,4，小倉政彦^1,4，加藤宙光^1,4，牧野俊晴^1,4，竹内大輔^1,4，大串秀世^1,4，山崎聡^1,2,4 (産総研¹，筑波大²，明大³，CREST⁴)

[27p-A6-15] △カーボン中間層挿入による金属/n型ダイヤモンド界面の接触抵抗低減 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（D）松本翼^1,2,3，白田和也^2,3，加藤宙光^2,3，徳田規夫^2,3,4，竹内大輔^2,3，牧野俊晴^2,3，小倉政彦^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^1,2,3 (筑波大¹，産総研²，CREST³，金沢大⁴)

[27p-A6-16] △ダイヤモンド横型接合FETの温度特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○星野雄斗¹，岩崎孝之¹，都築康平¹，加藤宙光²，牧野俊晴²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎聡²，波多野睦子¹ (東工大¹，産総研²)

一般セッション(口頭講演)

[28a-A6-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2013年3月28日(木) 09:00 〜 11:45 A6 (K1号館 3F-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28a-A6-1] △軟X線照射による水素化DLC膜の改質過程 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○今井亮，新部正人，神田一浩 (兵庫県立大高度研)

[28a-A6-2] 軟X線を照射したアモルファス水素化炭素膜の屈折率と消光係数 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○吉岡久志¹，今井亮²，神田一浩²，大塩茂夫¹，小松啓志¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技大(院)¹，兵庫県大²)

[28a-A6-3] DLC膜の種類と抵抗率 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○吉岡久志，大塩茂夫，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技大(院))

[28a-A6-4] ベンゼン由来アモルファス炭素膜の合成過程における混入水の膜構造への影響 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○周小龍，戸田育民，大塩茂夫，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技大)

[28a-A6-5] ドライ雰囲気下における振動摩擦摩耗試験機によるDLC膜のはく離 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○大花継頼¹，間野大樹¹，市村大貴²，中村挙子¹ (産総研¹，東京電機大²)

[28a-A6-5.1] 休憩(15分)

[28a-A6-6] △細孔底面への水素フリーDLC膜の成膜速度の向上 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○森田悠介¹，田上英人¹，須田善行¹，滝川浩史¹，神谷雅男²，瀧真³，長谷川祐史³，辻信広³，サーレアブスアイリキ⁴ (豊橋技科大¹，伊藤光学工業²，オンワード技研³，日立ツール⁴)

[28a-A6-7] △Siウエハ上への水素フリーDLC膜の均一形成と微細パターン加工 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○細尾倫成¹，田上英人¹，須田善行¹，滝川浩史¹，川島貴弘¹，柴田隆行¹，神谷雅男²，瀧真³，長谷川祐史³，サーレアブスアイリキ⁴，辻信弘³ (豊橋技科大¹，伊藤光学工業²，オンワード技研³，日立ツール⁴)

[28a-A6-8] 水素含有DLC(ta-C:Hおよびa-C:H)膜のTDS分析 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○田上英人¹，角口公章¹，須田善行¹，滝川浩史¹，神谷雅男²，瀧真³，長谷川祐史³，辻信広³，サーレアブスアイリキ⁴ (豊橋技科大¹，伊藤光学工業²，オンワード技研³，日立ツール⁴)

[28a-A6-9] 細胞親和性の異なるDLC膜への酸素プラズマ処理を利用した表面改質 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）多田晴菜¹，木村洋裕¹，日比野麻衣¹，平塚傑工²，中森秀樹²，Alanazi Ali⁴，森山匠³，桜井正行³，斎藤秀俊⁵，深田直樹⁶，大越康晴¹，Nataliya Nabatova-Gabain³，平栗健二¹，福井康裕¹ (東京電機大¹，ナノテック²，堀場製作所³，キング・サウド大⁴，長岡技術科学大⁵，物質・材料研究機構⁶)