^○杉山一生¹，Yunseok Kim²，Stephen Jesse³，Evgheni Strelcov³，Amit Kumar⁴，Vivek Shenoy⁵，柴田直哉¹，山本剛久^6,7，Sergei Kalinin³，幾原雄一^1,7,8 (東大工¹，Sungkyunkwan大²，ORNL³，Queen's大⁴，Pennsylvania大⁵，名大量子⁶，JFCC⁷，東北大WPI⁸)

11:45 〜 12:00

[20a-A10-10] 導電性ブリッジメモリ(CB-RAM)におけるブリッジ形成機構の再考

^○（M2C）榎本雄太郎¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-A10-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月20日(土) 13:00 〜 15:00 A10 (E214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:00～13:00 （12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-A10-1] エピタキシャルCeO2膜/Pt電極を用いた抵抗スイッチング

^○吉武道子¹，ミハイロチューンダーク^1,2，ミカエルヴァーツラブ^1,2，ウラジミールマトリン²，知京豊裕¹ (物材機構¹，チェコカレル大²)

13:15 〜 13:30

▲ [20p-A10-2] Investigation of the NiGe bottom electrode in CeO₂ based ReRAM Devices

^○Jisong Jin¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

13:30 〜 13:45

[20p-A10-3] n⁺およびp⁺-Si上に形成したCeO_x/SiO₂膜の抵抗変化特性

^○（M1）杉浦みのり¹，Mokhammad Hadi¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

13:45 〜 14:00

[20p-A10-4] プラズマ還元処理がマンガン複合酸化物薄膜の抵抗スイッチング特性に及ぼす効果

^○中村敏浩¹，山田昌樹²，酒井道² (大阪電通大工¹，京大院工²)

14:00 〜 14:15

[20p-A10-5] Cu(Ag)/Ta₂O₅界面の酸化還元過程とフォーミングに対するTa₂O₅膜密度の影響

^○鶴岡徹^1,2，Ilia Valov^3,4，長谷川剛^1,2，Rainer Waser^3,4，青野正和¹ (物材機構¹，JST-CREST²，アーヘン工科大³，ユーリヒ研究機構⁴)

14:15 〜 14:30

[20p-A10-6] 酸化タンタル膜の抵抗スイッチ現象におけるSET時間分布に対するRESET電圧の影響

^○西義史^1,2，Stephan Menzel¹，Karsten Fleck¹，Ulrich Boettger¹，Rainer Waser¹ (アーヘン工科大¹，東芝研開セ²)

14:30 〜 14:45

[20p-A10-7] RFスパッタ法で作製したアルミナにおけるナノギャップ電極を用いた抵抗スイッチ現象

^○兼平達也，宮邉徹，小渕敦生，中岡俊裕 (上智大理工)

14:45 〜 15:00

[20p-A10-8] アルミ酸化物抵抗変化型メモリのリテンションタイム

^○加藤誠一，児子精祐，木戸義勇 (物材機構)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-A10-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [17a-A10-4] Impedance Study of Eptaixial Li3xLa2/3-xTiO3 Thin Films on Perovskite Substrates Deposited by Pulsed Laser Deposition

[17p-A10-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [17p-A10-1] TiOx薄膜の合成と物性

△ [17p-A10-2] ダブルペロブスカイト型La2TiFeO6の薄膜成長と物性

△ [17p-A10-3] ペロブスカイト構造を有するコバルト系ヒドリド酸化物薄膜の作製

△ [17p-A10-4] Bi2−正方格子を持つ層状酸化物Y2O2Biエピタキシャル薄膜の物性

△ [17p-A10-5] V2O5—P2O5 系ガラスを用いた半導体塗布膜の作製および電気的接合形成

▼ [17p-A10-6] Demonstration of Dynamic Reconfiguration in a Crystalline IGZO-based Multi-Context FPGA

△ [17p-A10-7] LaGaO3エピタキシャル薄膜の成長と深紫外カソードルミネッセンス特性評価

△ [17p-A10-8] 反応性スパッタ法によるn型、並びにp型SnOx薄膜の作製

△ [17p-A10-9] MoS2を用いたフォトトランジスタ構造の作製と評価

[18a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-A10-6] 配向を制御したα-Fe2O3薄膜の半導体光電極特性

△ [18a-A10-7] LaFeO3/SrTiO3ヘテロ構造の半導体光電極特性

△ [18a-A10-8] テクスチャ構造を有するZnO:Al薄膜上へのZnOナノロッドの成長

△ [18a-A10-9] ナノ粒子構造TiO2及びナノチューブ構造TiO2のフォトルミネッセンスと光電変換特性

△ [18a-A10-10] 酸窒化物半導体ZnInONを用いた量子井戸型太陽電池の作製

[18p-PA7-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [18p-PA7-5] Electron-beam-induced current study of dislocation related defects in SrTiO3 crystal

▲ [18p-PA7-16] High-k oxide/organic polymer hybrid gate structure for oxide field-effect transistors

[19a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-A10-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-A10-1] ペロブスカイトMn酸化物エピタキシャル薄膜触媒を用いた酸素還元反応の活性評価

△ [19p-A10-2] Li脱挿入によるLiTi2O4超伝導-絶縁状態間の可逆的スイッチング

△ [19p-A10-3] 無限層構造を持つ銅酸化物超伝導体薄膜への電場誘起キャリアドーピング

△ [19p-A10-4] Sr2IrO4薄膜へのキャリアドーピングによる金属絶縁体転移

△ [19p-A10-5] IrO2における結晶方位に依存したキャリアの符号変化

△ [19p-A10-7] パイロクロア型イリジウム酸化物ヘテロ接合における磁気ドメイン境界の制御と界面伝導の観測

△ [19p-A10-8] ZnFe2O4/ZnCr2O4 超格子薄膜の作製とフラストレート磁性の制御

△ [19p-A10-9] La0.7Ca0.3MnO3薄膜表面における構造・電子状態の原子スケール観察

△ [19p-A10-11] EuO薄膜におけるトポロジカルホール効果

△ [19p-A10-12] 酸化物ヘテロ構造中の酸素八面体傾斜の伝搬

△ [19p-A10-13] 外部応力印加によるVO2薄膜の相転移温度制御

△ [19p-A10-14] 金属-絶縁体相転移をまたぐVO2薄膜の熱伝導率の温度依存性

[20a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-A10-7] 超微細抵抗変化メモリにおけるリセット過程のパルススイッチング特性

△ [20a-A10-8] NiO薄膜を用いた抵抗変化型メモリにおける2つのモードを有するフォーミング

[20p-A10-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [20p-A10-2] Investigation of the NiGe bottom electrode in CeO2 based ReRAM Devices

▲ [17a-A10-4] Impedance Study of Eptaixial Li_3xLa_2/3-xTiO₃ Thin Films on Perovskite Substrates Deposited by Pulsed Laser Deposition

△ [17p-A10-1] TiO_x薄膜の合成と物性

△ [17p-A10-2] ダブルペロブスカイト型La₂TiFeO₆の薄膜成長と物性

△ [17p-A10-4] Bi²⁻正方格子を持つ層状酸化物Y₂O₂Biエピタキシャル薄膜の物性

△ [17p-A10-7] LaGaO₃エピタキシャル薄膜の成長と深紫外カソードルミネッセンス特性評価

△ [18a-A10-6] 配向を制御したα-Fe₂O₃薄膜の半導体光電極特性

△ [18a-A10-7] LaFeO₃/SrTiO₃ヘテロ構造の半導体光電極特性

△ [18a-A10-9] ナノ粒子構造TiO₂及びナノチューブ構造TiO₂のフォトルミネッセンスと光電変換特性

△ [19p-A10-2] Li脱挿入によるLiTi₂O₄超伝導-絶縁状態間の可逆的スイッチング

△ [19p-A10-4] Sr₂IrO₄薄膜へのキャリアドーピングによる金属絶縁体転移

△ [19p-A10-5] IrO₂における結晶方位に依存したキャリアの符号変化

△ [19p-A10-8] ZnFe₂O₄/ZnCr₂O₄ 超格子薄膜の作製とフラストレート磁性の制御

△ [19p-A10-9] La_0.7Ca_0.3MnO₃薄膜表面における構造・電子状態の原子スケール観察

△ [19p-A10-14] 金属-絶縁体相転移をまたぐVO₂薄膜の熱伝導率の温度依存性

▲ [20p-A10-2] Investigation of the NiGe bottom electrode in CeO₂ based ReRAM Devices