一般セッション(ポスター講演)

[14a-PA1-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月14日(月) 09:30 〜 11:30 PA1 (イベントホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[14a-PA1-1] 強誘電体厚膜へのプロトン照射効果

〇山口正樹^1,2、西川宏之^1,2、増田陽一郎³ (1.芝浦工大工、2.芝浦工大RCGI、3.八戸工大工)

09:30 〜 11:30

[14a-PA1-2] (001)および(111)配向したBiFeO₃極薄膜の自発分極の保持特性

〇(D)一ノ瀬智浩¹、永沼博¹、大兼幹彦¹、安藤康夫¹ (1.東北大院工)

09:30 〜 11:30

[14a-PA1-3] ゾル‐ゲル法により作製した(Na,K)NbO₃薄膜のEPMA分析

〇田中清高¹、山崎陽子¹、玉岡悟司¹、柿本健一¹ (1.名工大)

09:30 〜 11:30

[14a-PA1-4] Li₂O-B₂O₃系酸化物を添加した(K,Na)NbO₃圧電体薄膜の作製と評価

〇岩田光範¹、林幸壱朗¹、坂本渉¹、飯島高志²、由比籐勇³、竹内輝明³、余語利信¹ (1.名大エコトピア研、2.産総研つくば、3.早大ナノ理工)

09:30 〜 11:30

[14a-PA1-5] PZT薄膜プロセスモニターPrとd_33,fの比較

〇牧本なつみ¹、伊藤寿浩^1,2、小林健¹ (1.産総研、2.東大)

09:30 〜 11:30

[14a-PA1-6] 電界の不均一性が強誘電性高分子の分極反転に与える影響

〇宝田隼¹、古川昭雄¹ (1.東理大理工)

一般セッション(口頭講演)

[15a-2L-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:15 2L (2Ｆラウンジ2)

座長:山田智明(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[15a-2L-1] SrTiO₃バイクリスタル基板上へのBiFeO₃薄膜の作製(II)

〇(M1)瀬戸翔太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、清水勝¹ (1.兵庫県大工)

09:15 〜 09:30

▲ [15a-2L-2] Electrical properties of 100-oriented (1-x)BiFeO₃-x(Bi_0.5,K_0.5)TiO₃ thin films on LaNiO₃ electrode

〇(D)JINHONG CHOI¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

09:30 〜 09:45

[15a-2L-3] RFマグネトロンスパッタリング法による{110}高配向Ba(Ce,Y)O₃ぺロブスカイト薄膜の作製

佐藤智也¹、一ノ瀬大地²、舟窪浩²、〇内山潔¹ (1.NIT鶴岡高専、2.東工大総理工)

09:45 〜 10:00

[15a-2L-4] ナノシート界面層を利用したBaTiO₃薄膜の選択配向成長

野口慶人¹、茂木翔太¹、舟窪浩²、〇内田寛¹ (1.上智大理工、2.東工大物創)

10:00 〜 10:15

[15a-2L-5] チタン酸バリウムナノキューブ集積体/PVDFコンポジット膜の電気特性

〇三村憲一¹、加藤一実¹ (1.産総研)

10:15 〜 10:30

[15a-2L-6] 異なるCoFe₂O₄添加量のCoFe₂O₄ナノピラー導入BaTiO₃薄膜の作製

〇曽田昇吾¹、一野祐亮¹、吉田隆¹ (1.名大工)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [15a-2L-7] Bi₅Ti₃FeO₁₅-CoFe₂O₄相分離薄膜におけるナノ構造の成長温度依存性

〇川平祐太¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

11:00 〜 11:15

△ [15a-2L-8] ニオブ酸リチウム系薄膜の可視光起電力特性評価

〇犬塚淳¹、高橋秀輔¹、井上亮太郎²、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東大院工、2.日本大医)

11:15 〜 11:30

△ [15a-2L-9] MnドープによるBiFeO₃強誘電体薄膜における光起電力特性の向上

〇(D)松尾拓紀¹、北中佑樹¹、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東大院工)

11:30 〜 11:45

[15a-2L-10] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果

〇(M1)高山幸太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、清水勝¹ (1.兵庫県大工)

11:45 〜 12:00

[15a-2L-11] 強相関系強誘電体YMnO₃薄膜の光誘起電流の起源

〇張楽駿¹、宇賀洋志¹、芦田淳¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府大院)

12:00 〜 12:15

[15a-2L-12] ドメインを導入したBaTiO₃単結晶の異方的電気伝導性と局所電子状態

〇大澤健男¹、廣瀬左京^1,2、上田茂典¹、大橋直樹^1,3 (1.物材機構、2.村田製作所、3.東工大・元素戦略)

一般セッション(口頭講演)

[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月15日(火) 13:45 〜 17:15 2L (2Ｆラウンジ2)

座長:藤沢浩訓(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

△ [15p-2L-1] 斜方晶Sc_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

〇浜嵜容丞¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東工大応セラ研)

14:00 〜 14:15

[15p-2L-2] 新規非鉛強誘電体Bi₂ZnTi_1-xMn_xO₆薄膜の育成

〇富永健¹、北條元¹、清水啓祐¹、松田奈瑠美¹、東正樹¹ (1.東工大応セラ)

14:15 〜 14:30

[15p-2L-3] {100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

〇山田智明^1,2、伊藤大介¹、坂田修身^3,4、黒石隼輝⁵、生津資大⁵、清水荘雄⁴、舟窪浩⁴、吉野正人¹、長崎正雅¹ (1.名古屋大、2.JSTさきがけ、3.物質・材料研究機構、4.東工大、5.兵庫県立大)

14:30 〜 14:45

[15p-2L-4] (100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO₃膜におけるドメイン構造に及ぼす温度と格子歪みの影響

〇舟窪浩¹、中島崇明¹、一ノ瀬大地¹、江原祥隆¹、中島光雅¹、清水荘雄¹、小林健²、飯島高志²、山田智明^3,4 (1.東工大、2.産総研、3.名大、4.PRESTO)

14:45 〜 15:00

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

〇一ノ瀬大地¹、中島祟明¹、江原祥隆¹、清水荘雄¹、坂田修身^2,3、山田智明^4,5、舟窪浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.SPring-8、4.名大、5.PRESTO)

15:00 〜 15:15

[15p-2L-6] Pb(Hf,Ti)O₃薄膜の作製と組成依存性評価

〇西尾正悟¹、黒川文弥¹、辻浦裕一¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神大院工)

15:15 〜 15:30

[15p-2L-7] XRD測定による (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

〇舟窪浩¹、大島直也¹、清水荘雄¹、中島光雅¹、江原祥隆¹、及川貴弘¹、内田寛² (1.東工大、2.上智大)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製

〇片山きりは¹、清水荘雄²、木口賢紀³、赤間章裕³、今野豊彦³、内田寛⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.東北大金研、4.上智大理工、5.物質・材料研究機構)

16:00 〜 16:15

[15p-2L-9] 斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜のドメイン構造

〇清水荘雄¹、片山きりは²、木口賢紀³、赤間章裕³、今野豊彦³、内田寛⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2 (1.東工大元素、2.東工大総理工、3.東北大金研、4.上智大理工、5.物材機構)

16:15 〜 16:30

[15p-2L-10] BiFe_1-XZn_X/2Ti_X/2O₃エピタキシャル膜のスパッタ成長と熱的安定性

〇(M2)小寺大喜¹、熊谷卓哉¹、京兼広和¹、横田壮司¹、五味學¹ (1.名工大)

16:30 〜 16:45

[15p-2L-11] PLD法を用いたYbFe₂O₄薄膜成長時の組成変動に関する研究

〇樫本涼¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

16:45 〜 17:00

[15p-2L-12] 電気磁気エピタキシャルCr₂O₃/LiNbO₃多層膜における磁気誘電特性

〇横田壮司¹、坪井泉名¹、平松和樹¹、五味学¹ (1.名工大)

17:00 〜 17:15

[15p-2L-13] UV/O₃加熱処理による溶液プロセスPb(Zr,Ti)O₃膜の低温作製

〇田頭裕己¹、ファンチョントゥエ^1,2、志村礼司郎¹、佐藤啓介^1,3、深田和宏^1,2、李金望¹、下田達也^1,2、高村禅^1,2 (1.北陸先端大、2.JST-CREST、3.JSR(株))

一般セッション(口頭講演)

[16a-2L-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 2L (2Ｆラウンジ2)

座長:飯島高志(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-2L-1] RFスパッタリング法並びにスピンコート法を用いたPZT膜の圧電特性

〇木島健¹、濱田泰彰¹、秦健次郎¹、本多祐二¹ (1.ユーテック中研)

09:15 〜 09:30

[16a-2L-2] (001)高配向PZT膜の圧電特性の非対称性

木島健¹、〇濱田泰彰¹、秦健次郎¹、本多祐二¹ (1.ユーテック中研)

09:30 〜 09:45

[16a-2L-3] RFスパッタリング法並びにスピンコート法を用いたPZT成膜装置

〇秦健次郎¹、木島健¹、濱田泰彰¹、本多祐二¹ (1.ユーテック中研)

09:45 〜 10:00

[16a-2L-4] (K,Na)NbO₃薄膜の絶縁耐圧および経時破壊（TDDB）特性

〇柴田憲治¹、渡辺和俊¹、堀切文正¹ (1.（株）サイオクス)

10:00 〜 10:15

[16a-2L-5] SNDMプローブによる線形誘電率分布の新規測定法を用いた誘電体薄膜の評価

〇平永良臣¹、茅根慎通¹、廣瀬光太郎¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

10:15 〜 10:30

△ [16a-2L-6] 正圧電効果による強誘電ドメインの観察

〇苅谷健人¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[16a-2L-7] 水素結合型有機強誘電体薄膜の作製と局所分極構造の評価

〇(PC)野田祐樹^1,2、山田寿一¹、賀川史敬^2,3、小林賢介⁴、熊井玲児^2,4、堀内佐智雄^1,2、長谷川達生^1,2,5 (1.産総研 FLEC、2.JST-CREST、3.理研CEMS、4.KEK物構研PF、5.東大工)

11:00 〜 11:15

[16a-2L-8] 圧電MEMS振動発電素子の高出力化の検討

〇(M2)荒牧正明¹、苅谷健人¹、吉村武¹、村上修一²、藤村紀文¹ (1.阪府院工、2.阪府産技研)

11:15 〜 11:30

[16a-2L-9] ステンレス基板上PZT薄膜の光誘起ひずみ効果

〇佐段田温朗¹、大地優平¹、黒川文弥¹、辻浦裕一¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神大院工)

11:30 〜 11:45

[16a-2L-10] 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討Ⅱ

〇松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

11:45 〜 12:00

[16a-2L-11] 転移温度付近における磁気／電気熱量効果の微視的理論

〇本美仁志¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史¹、岡村総一郎¹ (1.東理大理)

セッション一覧

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[14a-PA1-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[15a-2L-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

▲ [15a-2L-2] Electrical properties of 100-oriented (1-x)BiFeO3-x(Bi0.5,K0.5)TiO3 thin films on LaNiO3 electrode

△ [15a-2L-7] Bi5Ti3FeO15-CoFe2O4相分離薄膜におけるナノ構造の成長温度依存性

△ [15a-2L-8] ニオブ酸リチウム系薄膜の可視光起電力特性評価

△ [15a-2L-9] MnドープによるBiFeO3強誘電体薄膜における光起電力特性の向上

[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-2L-1] 斜方晶ScxFe2-xO3エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO2基薄膜の作製

[16a-2L-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [16a-2L-6] 正圧電効果による強誘電ドメインの観察

認証

▲ [15a-2L-2] Electrical properties of 100-oriented (1-x)BiFeO₃-x(Bi_0.5,K_0.5)TiO₃ thin films on LaNiO₃ electrode

△ [15a-2L-7] Bi₅Ti₃FeO₁₅-CoFe₂O₄相分離薄膜におけるナノ構造の成長温度依存性

△ [15a-2L-9] MnドープによるBiFeO₃強誘電体薄膜における光起電力特性の向上

△ [15p-2L-1] 斜方晶Sc_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

△ [15p-2L-5] 正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製