一般セッション(ポスター講演)

[10a-PB3-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2019年3月10日(日) 09:30 〜 11:30 PB3 (武道場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[10a-PB3-1] III-V/Si多接合太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層

〇(M1)菱田貴史¹、梁剣波¹、重川直輝¹ (1.大阪市大院工)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-2] 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性（2）

〇(B)戸川匠¹、鈴木亮介¹、寺田圭佑¹、坂本克好¹、曽我部東馬¹、山口浩一¹ (1.電通大)

09:30 〜 11:30

△ [10a-PB3-3] Optical Properties of Cr doped CuGaS₂ Thin Films

〇(M1)Myeongok Kim¹、 Nazmul Ahsan²、 Hiroya Matsubayashi³、 Zacharie Li Kao Jehl²、 Kalainathan Sivaperuman⁴、 Yoshitaka Okada^2,3 (1.Grad. Arts and Sci. UTokyo、2.RCAST. UTokyo、3.Elec. Eng. UTokyo、4.VIT Univ.)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-4] 光電気化学エネルギー変換への応用を目的とするCuGaSe_２バルク結晶の合成

〇(B)藤田わかば¹、川口誉人¹、竹内麻奈人²、吉野賢二²、野瀬嘉太郎³、原田隆史⁴、池田茂¹ (1.甲南大理工、2.宮崎大工、3.京都大院工、4.大阪大太陽エネ研)

09:30 〜 11:30

▲ [10a-PB3-5] Investigation of performance limiting key parameters in CuIn_1-xGa_xSe₂ photocathodes

Vikas Nandal¹、〇Kazuhiko Seki¹、 Hiroyuki Kobayashi²、 Kazunari Domen² (1.AIST、2.Tokyo Univ.)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-6] CIGS薄膜太陽電池セルのKF-PDTがPIDに与える影響

〇(DC)山口世力¹、西永慈郎²、柴田肇²、大平圭介¹、増田淳² (1.北陸先端大、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-7] 溶液塗布法によるCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜の作製

〇山本恭平¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-8] 微粒子塗布法によるAg₈SnS₆光電極の作製と評価Ⅱ
硫化水素雰囲気下でのアニール効果

〇(M1)LENGUYEN GIAPHUC¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-9] 硫化法による(Cu,Ag)₂SnS₃薄膜太陽電池の作製条件の検討

〇中嶋崇喜¹、田中大地¹、山口利幸¹、荒木秀明²、片桐裕則²、笹野順司³、伊﨑昌伸³ (1.和歌山高専、2.長岡高専、3.豊橋技科大)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-10] 熱処理プロセスによるCu₂ZnSnSe₄薄膜作製におけるプリカーサ構造の影響

〇中嶋崇喜¹、浦山凌芽¹、山口利幸¹、笹野順司²、伊﨑昌伸² (1.和歌山高専、2.豊橋技科大)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-11] CZTS薄膜の鉄イオン添加硫酸水溶液での表面処理

〇宮崎尚¹、青野祐美²、岸村浩明¹、遠藤祐貴³、神保和夫³、片桐裕則³ (1.防大材料、2.鹿児島大電気電子、3.長岡高専)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-12] スピンコートCu-Zn-Snプリカーサ膜と硫化水素で作製したCu₂ZnSnS₄太陽電池の変換効率

〇田橋正浩¹、高橋誠¹、後藤英雄¹、中村重之²、神保和夫³、片桐裕則³、原田隆史⁴、池田茂⁵、吉野賢二⁶ (1.中部大、2.津山高専、3.長岡高専、4.大阪大、5.甲南大、6.宮崎大)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-13] テラヘルツ分光法によるCu-Zn-Sn-S(CZTS)およびCu-Sn-S(CTS)の特性調査

〇友野巧也¹、阿部天音¹、藤田俊樹²、佐々木哲郎³、森谷克彦¹、田中久仁彦²、安田新¹ (1.鶴岡高専、2.長岡技術大、3.静岡大電研)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-14] CuBr_1-xI_x/ ZnOナノロッド透明pn接合に微細構造が与える効果

〇手塚尚人¹、森涼太¹、今村俊貴¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

一般セッション(口頭講演)

[10p-W321-1~16] 13.9 化合物太陽電池

2019年3月10日(日) 13:15 〜 17:30 W321 (W321)

石塚尚吾(産総研)、宮崎尚(防衛大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▲ [10p-W321-1] Effect of annealing on CsF-treated CIGS thin film and solar cell

〇Ishwor Khatri¹、 Tzu-Ying Lin¹、 Mutsumi Sugiyma¹、 Tokio Nakada¹ (1.TUS)

13:30 〜 13:45

[10p-W321-2] Epitaxial Cu(In, Ga)Se₂結晶成長におけるCu/III族比依存性

〇西永慈郎¹、菅谷武芳¹、柴田肇¹、仁木栄¹ (1.産総研)

13:45 〜 14:00

[10p-W321-3] CdS/エピタキシャルCu(In,Ga)Se₂界面の電子構造評価

〇(M1)谷川昂平¹、岩本悠矢¹、髙木佑誠¹、西園由朗¹、西永慈郎²、永井武彦²、仁木栄²、寺田教男^1,2 (1.鹿児島大、2.産総研)

14:00 〜 14:15

[10p-W321-4] Se照射プロセスによるCu(In,Ga)Se₂表面Cu-Se相の変化

〇池承桓¹、 Suyama Naoki¹、 Nakada Kazuyoshi¹、 Yamada Akira¹ (1.Tokyo tech.)

14:15 〜 14:30

[10p-W321-5] Ga/(Ga+In)比が三段階法のCu過剰段階に与える影響

〇小林拓己¹、下山達大²、松尾拳²、中田和吉¹、山田明¹ (1.東工大工学院、2.東工大工)

14:30 〜 14:45

▲ [10p-W321-6] Effect of Annealing Temperature in H₂S-free Sulfurization Method for CIS Fabrication

〇(M1)Dwinanri Egyna¹、 Kazuyoshi Nakada¹、 Akira Yamada¹ (1.Tokyo Tech)

14:45 〜 15:00

[10p-W321-7] ２端子薄膜タンデム太陽電池応用に向けたp型CuIによる貼り合わせ手法の開発

千脇那菜¹、〇雷宇晨¹、中田和吉¹、山田明¹ (1.東工大)

15:00 〜 15:15

[10p-W321-8] CIGS薄膜太陽電池における暗状態でのPIDおよび光照射による回復現象

〇櫻井啓一郎¹、冨田仁²、シュミッツダーシャン²、徳田修二²、小川錦一¹、柴田肇¹、増田淳¹ (1.産総研、2.ソーラーフロンティア)

15:30 〜 15:45

[10p-W321-9] サブストレート型CdTe太陽電池におけるCdS成膜後の熱処理の効果

〇岡本保¹、林優輔¹、渡辺大智¹ (1.木更津高専)

15:45 〜 16:00

[10p-W321-10] CZTSe太陽電池への各種アルカリ添加効果

〇反保衆志¹、金信浩¹、永井武彦¹、柴田肇¹、仁木栄¹ (1.産総研)

16:00 〜 16:15

[10p-W321-11] Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄表面およびCdS/Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄ヘテロ界面の電子状態評価

〇永井武彦¹、岩本悠矢²、谷川昂平²、濱田博也²、太田信義²、反保衆志¹、 Kim Shinho¹、柴田肇¹、松原浩司¹、仁木栄¹、寺田教男² (1.産総研、2.鹿児島大)

16:15 〜 16:30

[10p-W321-12] SnS薄膜の組成比がSnS太陽電池の変換効率に与える影響

〇高江洲貴斗¹、船津岳伸¹、任介太一¹、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

16:30 〜 16:45

[10p-W321-13] SnS薄膜のSnS雰囲気熱処理が太陽電池特性に与える影響

〇船津岳伸¹、高江洲貴斗¹、任介太一¹、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

16:45 〜 17:00

[10p-W321-14] ミストCVD法によるCu₂SnS₃薄膜の作製

〇木幡真緒¹、吉久史貴¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

17:00 〜 17:15

[10p-W321-15] フォトルミネッセンス法を用いた(Na_xCu_1-x)_ySnS₃の特性評価 Ⅱ

〇前田隆宏¹、荒木秀明²、田中久仁彦¹ (1.長岡技大、2.長岡高専)

17:15 〜 17:30

[10p-W321-16] SPS法で作製したFeS2の電気伝導特性

〇(B)金子駿也¹、山口博之¹、長南安紀¹、小谷光司¹、小宮山崇夫¹、杉山重彰²、菅原靖²、関根崇² (1.秋田県立大学システム、2.秋田県産業技術センター)

一般セッション(口頭講演)

[11a-W321-1~9] 13.9 化合物太陽電池

2019年3月11日(月) 09:30 〜 12:00 W321 (W321)

渡辺健太郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[11a-W321-1] 量子ドット導入による赤外太陽電池の吸収波長領域拡大

〇(M2)定免良太¹、寺本英央¹、本田真也¹、赤羽浩一²、松本敦²、内田史朗¹ (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)

09:45 〜 10:00

[11a-W321-2] 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における輻射再結合と光電流の相反性

〇絹川典志¹、朝日重雄¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

10:00 〜 10:15

[11a-W321-3] 正孔のアップコンバージョンを利用したフォトンアップコンバージョン太陽電池の基礎検討

〇朝日重雄¹、柴村和樹¹、草木和輝¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

10:15 〜 10:30

[11a-W321-4] 高倍集光下におけるGaSb/GaAs量子ナノ構造太陽電池の特性

〇樗木悠亮^1,2、庄司靖³、宮下直也²、何軼倫^1,2、岡田至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研、3.産総研)

10:30 〜 10:45

[11a-W321-5] 熱電変換素子を用いた熱回収型太陽電池の設計と検証実験

〇上出健仁¹、望月敏光¹、秋山英文^2,3、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.東大物性研、3.OPERANDO-OIL)

11:00 〜 11:15

[11a-W321-6] InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池における開放電圧の向上

〇原田幸弘¹、岩田尚之¹、朝日重雄¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

11:15 〜 11:30

[11a-W321-7] ホットキャリア太陽電池における中間バンド効果

〇竹田康彦¹ (1.豊田中研)

11:30 〜 11:45

[11a-W321-8] 液相法で作製したPbS量子ドット/ペロブスカイト中間バンド型太陽電池－（１）設計と作製

〇細川浩司¹、玉置亮²、澤田拓也¹、小此木明徳¹、佐藤治之¹、尾込裕平^1,3、早瀬修二³、岡田至崇²、矢野聡宏¹ (1.花王、2.東大先端研、3.九工大生命体工)

11:45 〜 12:00

[11a-W321-9] 液相法で作製したPbS量子ドット/ペロブスカイト中間バンド型太陽電池－(2)特性評価

〇玉置亮¹、細川浩司²、澤田拓也²、小此木明徳²、佐藤治之²、尾込裕平^2,3、早瀬修二³、岡田至崇¹、矢野聡宏² (1.東大先端研、2.花王、3.九工大生命体工)

一般セッション(口頭講演)

[11p-W321-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2019年3月11日(月) 13:45 〜 17:30 W321 (W321)

渡辺健太郎(東大)、庄司靖(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[11p-W321-1] [講演奨励賞受賞記念講演] HVPE法におけるInGaP結晶の成長速度の高速化

〇庄司靖¹、大島隆治¹、牧田紀久夫¹、生方映徳²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

14:00 〜 14:15

[11p-W321-2] HVPE法によるトンネル接合に向けた高濃度ドーピングの検討

〇大島隆治¹、庄司靖¹、牧田紀久夫¹、生方映徳²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

14:15 〜 14:30

▲ [11p-W321-3] High growth rate MOVPE: InGaP growth for low-cost PV application

〇Hassanet Sodabanlu¹、 Akinori Ubukata²、 Kentaroh Watanabe¹、 Takeyoshi Sugaya³、 Yoshiaki Nakano⁴、 Masakazu Sugiyama^1,4 (1.RCAST, U. of Tokyo、2.Taiyo Nippon Sanso、3.AIST、4.School of Engineering, U. of Tokyo)