一般セッション(口頭講演)
[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
2021年3月17日(水) 09:00 〜 11:45 Z03 (Z03)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇久山 智弘1,2、 占部 継一郎1、 江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)
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09:15 〜 09:30
〇濱野 誉1,2、 占部 継一郎1、 江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)
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09:30 〜 09:45
〇布村 正太1、 坂田 功1、 堤 隆嘉2、 堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
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09:45 〜 10:00
〇菅野 量子1、 石井 洋平2、 三浦 真3、 桑原 謙一3 (1.日立研開、2.日立ハイテクアメリカ、3.日立ハイテク)
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10:00 〜 10:15
〇(M1)吉江 泰斗1、 三好 康史2、 堤 隆嘉1、 釘宮 克尚2、 石川 健治1、 堀 勝1 (1.名大、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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10:15 〜 10:30
〇伊藤 智子1、 唐橋 一浩1、 浜口 智志1 (1.阪大院工)
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10:30 〜 10:45
〇(M2)Jomar Unico Tercero1,2、 Akiko Hirata3、 Michiro Isobe2、 Masagana Fukasawa3、 Magdaleno Vasquez, Jr.1、 Satoshi Hamaguchi2 (1.UP Diliman、2.Osaka Univ.、3.Sony Semicon. Corp.)
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10:45 〜 11:00
〇(M2)Hojun Kang1、 Tomoko Ito1、 Junghwan Um2、 Hikaru Kokura2、 Taekyun Kang2、 Sung-Il Cho2、 Hyunjung Park2、 Kazuhiro Karahashi1、 Satoshi Hamaguchi1 (1.Osaka Univ.、2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)
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11:00 〜 11:15
〇平島 伊織1、 桑畑 周司1 (1.東海大工)
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11:15 〜 11:45
〇中村 守孝1 (1.MAMO)
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