一般セッション(ポスター講演)

[18p-PA11-1~8] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月18日(火) 16:00 〜 18:00 PA11 (アリーナ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[18p-PA11-1] 銀表面に展開されたシリコン二次元ハニカム同素体の構造と物性

^○荒船竜一¹，林俊良²，川原一晃²，長尾遼²，白澤徹郎³，南谷英美⁴，高橋敏夫³，金有洙⁵，川合眞紀²，高木紀明² (物質機構・ＭＡＮＡ¹，東大新領域²，東大物性研³，東大工⁴，理研⁵)

16:00 〜 18:00

[18p-PA11-2] Si(100)表面での水素吸着kinetics

^○成田克¹，稲永征司²，並木章² (山形大工¹，九州工大工²)

16:00 〜 18:00

△ [18p-PA11-3] 化学的転写法で形成した極低反射率Si表面の微細構造解析

^○謝ブン^1,2，入鹿大地^1,2，野中啓章^1,2，高橋昌男^1,2，今村健太郎^1,2，小林光^1,2 (阪大産研¹，科学技術振興機構戦略的創造研究²)

16:00 〜 18:00

[18p-PA11-4] Mnナノドットを埋め込んだSiOx MIM構造の局所電気伝導解析

^○荒井崇¹，劉冲¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大 VBL²)

16:00 〜 18:00

[18p-PA11-5] ナノ結晶シリコンの光起電力特性に対する雪崩増倍効果

^○森伸也^1,2，越田信義³ (阪大工¹，JST CREST²，農工大工³)

16:00 〜 18:00

[18p-PA11-6] 原子論的アプローチに基づくGeナノワイヤの電子移動度解析

下井田健太¹，森規泰¹，^○土屋英昭^1,4，鎌倉良成^2,4，森伸也^2,4，宇野重康^3,4，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，立命館大理工³，JST CREST⁴)

16:00 〜 18:00

[18p-PA11-7] 極微細FETにおける自己発熱効果の過渡応答シミュレーション

^○鎌倉良成^1,3，久木田健太郎¹，IndraNurAdisusilo¹，脇村豪¹，木場隼介²，土屋英昭^2,3，森伸也^1,3 (阪大工¹，神戸大工²，JST CREST³)

16:00 〜 18:00

[18p-PA11-8] ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードのゲート酸化膜厚依存性シミュレーション

^○山田大輔¹，工藤嗣友¹，菅原文彦² (神奈川工大¹，東北学院工大²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-D9-1~13] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 D9 (D315)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[19a-D9-1] 貴金属触媒を用いた洗浄水からの酸化性物質除去による銅腐食の抑制

^○矢野大作¹，村山雅美¹，高橋昌男²，小林光²，山中弘次¹ (オルガノ¹，阪大産研²)

09:15 〜 09:30

[19a-D9-2] SiO₂の固体壁面近傍における水の挙動の分子動力学解析

^○中岡聡¹，山口康隆¹，川上雅之²，矢野大作²，山中弘次² (阪大院工¹，オルガノ²)

09:30 〜 09:45

[19a-D9-3] 微細孔液浸入評価手法の開発

^○菓子未映子¹，神林琢也¹，大川真樹²，浜野恵¹，陳岡敏典¹，高橋広毅¹，太田勝啓¹，佐伯智則¹ (日立製作所横浜研究所¹，国際電気ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｻｰﾋﾞｽ²)

09:45 〜 10:00

[19a-D9-4] シリコン酸化膜エッチング中のフッ酸濃度モニタリング

^○高木想，斧田拓也，森良弘 (堀場製作所)

10:00 〜 10:15

[19a-D9-5] in situ XPSを用いた湿度制御時のGeO₂/GeとSiO₂/Siの濡れ性比較

^○有馬健太¹，河合佳枝¹，箕浦佑也¹，齋藤雄介¹，森大地¹，川合健太郎¹，細井卓治¹，渡部平司¹，森田瑞穂¹，ZhiLiu² (阪大院工¹，バークレー国立研²)

10:15 〜 10:30

[19a-D9-6] 犠牲酸化を用いたSi(100)表面平坦化プロセスのデバイス特性への影響に関する検討

^○工藤聡也，大見俊一郎，韓大熙，NithiAtthi (東工大)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-D9-7] Si基板のBMDによるゲッタリングの深さ方向分布解析

^○大野力一，嵯峨幸一郎 (ソニー)

11:00 〜 11:15

[19a-D9-8] 金属/半導体界面における拡散過程の理論検討

^○平松智記，中山隆史 (千葉大)

11:15 〜 11:30

[19a-D9-9] MEMS片持ち梁の表面エネルギー評価方法について

^○加藤一郎 (宇宙航空研究開発機構)

11:30 〜 11:45

[19a-D9-10] EXAFS法によるSi結晶中のBiδドーピング層形成過程の研究3:埋め込みBi原子細線構造

^○村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，矢代航⁴，日塔光一¹，坂田修身¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³，東北大多元研⁴)

11:45 〜 12:00

[19a-D9-11] AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価

^○恒川直輝¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名古屋大院工¹，広大院先端研²)

12:00 〜 12:15

[19a-D9-12] レーザー補助3次元アトムプローブによるSi中の不純物Cの分析検討

^○金野晃之¹，佐々木智一²，大久保忠勝³，富田充裕¹，宝野和博³ (東芝研究開発センター¹，東芝ナノアナリシス²，物材機構³)

12:15 〜 12:30

[19a-D9-13] Siナノワイヤ及び極薄SOIにおけるUVラマンスペクトルのサイズ効果

^○多田哲也¹，ポボロッチウラジミール¹，森田行則²，ゲシェフパベル³ (産総研-NeRI¹，GNC-産総研²，ロシア熱物理学研究所³)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 D9 (D315)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

△ [19p-D9-1] β-Si3N4/Si界面構造のモデル化と金属原子の安定性に関する第一原理解析

^○（M1）柴田大生¹，小林駿介¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系¹，ソニー²)

14:15 〜 14:30

△ [19p-D9-2] Si窒化膜表面近傍における不純物金属原子の安定性に関する第一原理解析

^○（M2）小林駿介¹，柴田大生¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系¹，ソニー²)

14:30 〜 14:45

△ [19p-D9-3] 化学的転写法によるシリコンナノクリスタル層とシリコンマイクロホールの作製

^○今村健太郎，入鹿大地，赤井智喜，小林光 (阪大産研)

14:45 〜 15:00

△ [19p-D9-4] チップ増強ラマン分光法による歪Si評価

^○小瀬村大亮¹，富田基裕¹，シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ¹，後藤千絵²，川口哲成²，三澤真弓²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，ブルカーAXS²)

15:00 〜 15:15

△ [19p-D9-5] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起

^○山本章太郎¹，小瀬村大亮¹，シティノルヒダヤーモハマドユソフ¹，木嶋隆浩¹，今井亮佑¹，臼田宏治²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，産総研GNC²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-D9-6] 超解像ラマン分光法による微細加工歪SiGe層に生じる応力緩和の高空間分解能2次元分布評価

^○富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，臼田宏治³，小椋厚志¹ (明大理工¹，学振特別研究員DC²，産総研GNC³)

15:30 〜 15:45

△ [19p-D9-7] ソース・ドレインの不純物位置ばらつきによる電流ばらつきの解析

^○鈴木晃人¹，阿久津梨花¹，今井裕也¹，神岡武文²，鎌倉良成³，渡邉孝信¹ (早大理工¹，豊田工大²，阪大院工³)

15:45 〜 16:00

△ [19p-D9-8] Si切粉から作製したSiナノ粒子の水素発生

^○（M2）喜村勝矢^1,3，髙橋昌男^1,3，金谷弥生^2,3，肥後徹^2,3，小林光^1,3 (阪大産研¹，日新化成²，CREST-JST³)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

▲ [19p-D9-9] Spatial Variation in Carrier Concentration in Nanocrystal Ni-Si Films Measured by Multimode Scanning Probe Microscopy

^○LeonidBolotov^1,2，内田紀行²，多田哲也²，金山敏彦² (筑波大¹，産総研²)

16:30 〜 16:45

[19p-D9-10] リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成

^○温映輝¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

16:45 〜 17:00

[19p-D9-11] P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価

^○（B）近藤圭悟¹，鈴木善久¹，牧原克典¹，池田弥央²，小山剛史¹，岸田英夫¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

17:00 〜 17:15

[19p-D9-12] P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

^○（M1）山田敬久¹，牧原克典¹，鈴木善久¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

17:15 〜 17:30

[19p-D9-13] 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価 (II)

^○竹内大智¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

休憩 17:30〜17:45 （17:30 〜 17:45）

17:45 〜 18:00

[19p-D9-14] パルスレーザーメルティング法を用いて硫黄を過飽和ドープしたＳｉ単結晶の光吸収と電気伝導特性のフルーエンス依存性

^○（M1）長尾克紀¹，稲田貢²，内藤宗幸¹，則村憲吾¹，中井達也¹，青木珠緒¹，杉村陽¹，梅津郁朗¹ (甲南大理工¹，関西大システム理工²)

18:00 〜 18:15

[19p-D9-15] 金属Germanideの相図とGe界面におけるショットキーバリア

^○（DC）飯塚将太，中山隆史 (千葉大理)

18:15 〜 18:30

[19p-D9-16] 第一原理計算によるSn/Ge界面の構造とSBH変調の関係

^○小日向恭祐，中山隆史 (千葉大理)

18:30 〜 18:45

[19p-D9-17] 遷移金属炭化物・窒化物の仕事関数のユニバーサルな推定

^○吉武道子 (物材機構)

18:45 〜 19:00

▲ [19p-D9-18] Effects of Nitrogen Concentration on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

^oElham Heidari，Sohya Koudoh，Nithi Atthi，Dae-Hee Han，Shun-ichiro Ohmi (Tokyo Institute of Technology)

一般セッション(口頭講演)

[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 D9 (D315)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-D9-1] Impact of Surface Roughness on Thermoelectric Properties of Silicon Nanotubes

^○図師知文^1,3，CrestiAlessandro²，PalaMarco²，山田啓作⁴，渡邉孝信¹ (早大理工¹，IMEP-LAHC²，学術振興会特別研究員DC2³，筑波大⁴)

09:15 〜 09:30

[20a-D9-2] Mg₂Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性

^○呉研¹，長谷川明紀¹，角嶋邦之²，渡辺孝信³，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一夫¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，早大理工³)

09:30 〜 09:45

[20a-D9-3] Junction Barrier Schottkyダイオードのデバイス・シミュレーション

^○松澤一也，阿部真利，小田嘉則，小町潤，伊藤浩之，石川清志 (半導体理工学研究センター)

09:45 〜 10:00

[20a-D9-4] ＩＧＢＴの大規模並列デバイス・シミュレーション

^○石川清志¹，松澤一也¹，小田嘉則¹，越本裕央²，池上努²，福田浩一² (ＳＴＡＲＣ¹，産総研²)

休憩 10:00〜10:15 （10:00 〜 10:15）

10:15 〜 10:30

[20a-D9-5] 次世代TCAD(i) 金属/4H-SiC(0001)界面のショットキーバリア高さの第一原理計算

^○加藤信彦，森一樹，西原慧径，岡崎一行，小池秀耀 (アドバンスソフト)

10:30 〜 10:45

[20a-D9-6] SiCデバイスシミュレータ開発と応用

^○山口憲，桑原匠史，小池秀耀 (アドバンスソフト)

10:45 〜 11:00

[20a-D9-7] 次世代TCAD(3) 3次元プロセスシミュレーションのための幾何学的形状追跡

^○玉城哲平，池澤健夫，小池秀耀 (アドバンスソフト)

11:00 〜 11:15

[20a-D9-8] 3次元プロセスシミュレータの開発

^○小林慎一郎，玉城哲平，池澤健夫，小池秀耀 (アドバンスソフト)

11:15 〜 11:30

[20a-D9-9] 3次元TCADによるMOSFETの狭チャネル効果の解析

^○小林慎一郎，玉城哲平，浜野明千宏，桑原匠史，池澤健夫，小池秀耀 (アドバンスソフト)

11:30 〜 11:45

[20a-D9-10] 次世代TCAD(6) 3次元プロセスデバイスシミュレータによるIGBTの解析

^○大倉康幸，玉城哲平，池澤健夫，浜野明千宏，徳屋純一，桑原匠史，原田昌紀，山口憲，小池秀耀 (アドバンスソフト)

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13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[18p-PA11-1~8] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

△ [18p-PA11-3] 化学的転写法で形成した極低反射率Si表面の微細構造解析

[19a-D9-1~13] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

△ [19p-D9-1] β-Si3N4/Si界面構造のモデル化と金属原子の安定性に関する第一原理解析

△ [19p-D9-2] Si窒化膜表面近傍における不純物金属原子の安定性に関する第一原理解析

△ [19p-D9-3] 化学的転写法によるシリコンナノクリスタル層とシリコンマイクロホールの作製

△ [19p-D9-4] チップ増強ラマン分光法による歪Si評価

△ [19p-D9-5] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起

△ [19p-D9-6] 超解像ラマン分光法による微細加工歪SiGe層に生じる応力緩和の高空間分解能2次元分布評価

△ [19p-D9-7] ソース・ドレインの不純物位置ばらつきによる電流ばらつきの解析

△ [19p-D9-8] Si切粉から作製したSiナノ粒子の水素発生

▲ [19p-D9-9] Spatial Variation in Carrier Concentration in Nanocrystal Ni-Si Films Measured by Multimode Scanning Probe Microscopy

▲ [19p-D9-18] Effects of Nitrogen Concentration on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション