〇Taichi Uruma¹、 Tetsuo Tabei¹、 Yoshiteru Amemiya¹、 Tadashi Sato¹、 Shinji Yamada¹、 Kazushi Okada¹、 Shin Yokoyama¹ (1.Res. Int. for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima Univ)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-11] 酸化ガリウム/結晶セレンフォトダイオードの電気特性

〇峰尾圭忠¹、為村成亨¹、宮川和典¹、難波正和¹、大竹浩¹、久保田節¹ (1.NHK技研)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-12] 低電圧化を目的としたNiO:Li LEDの作製に関する研究

〇白石圭汰¹、依田健作¹、小室修二²、趙新為¹ (1.東理大、2.東洋大)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-13] イメージングエリプソメトリーによるポーラスシリコンの光学定数測定

〇秋山泰輝¹、飯塚祐基¹、金蓮花¹、近藤英一¹、ジェローズベルナール² (1.山梨大学、2.名古屋大学)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-14] ジアリールエテン光応答のシミュレーションと実験の比較

〇谷本桂理¹、河村智¹、雨宮嘉照¹、横山新¹ (1.広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-15] 蛍光層の構造変化による分散型無機ELの特性評価

〇福成由基¹、藤井滉貴¹、中内宏輔¹、和迩浩一¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-16] 分散型無機ELの蛍光体層の構造変化による輝度特性評価

〇藤井滉貴¹、福成由基¹、中内宏輔¹、和迩浩一¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-17] BaTiO3:Yb/Er蛍光体を複合した分散型無機ELの発光特性評価

〇中内宏輔¹、福成由基¹、藤井滉貴¹、和迩浩一¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-18] グラファイト状窒化炭素の発光特性評価

〇阪口康介¹、今井和樹¹、島田康平¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-19] RF電力変化によるCN薄膜の発光特性評価に関する研究

〇今井和樹¹、島田康平¹、伊藤國雄¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-20] ZnOを下地層に用いたCN薄膜の特性評価

〇島田康平¹、今井和樹¹、伊藤國雄¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-21] Ce³⁺を用いたアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

〇野々口達成¹、池田樹弥¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-22] TiO₂の組成変化によるアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

〇池田樹弥¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[10p-PB4-23] 焼成雰囲気の変化における蓄光体SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺の特性評価

〇大音諒弥¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

一般セッション(口頭講演)

[11p-W611-1~12] 3.13 半導体光デバイス

2019年3月11日(月) 13:45 〜 17:00 W611 (W611)

荒川太郎(横国大)、内田史朗(千葉工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

△ [11p-W611-1] 光無線給電高効率化に向けたフライアイレンズ照射面特性の設計と評価

〇勝田優輝¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

14:00 〜 14:15

△ [11p-W611-2] 光無線給電の光ビーム方向制御における光照射特性解析（3）

〇(M2)松永一仁¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

14:15 〜 14:30

△ [11p-W611-3] 光無線給電に向けた Depth カメラによる太陽電池位置認識手法の検討

〇高橋健太¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

14:30 〜 14:45

△ [11p-W611-4] 低温下光無線給電に向けた半導体レーザの抵抗値・効率の温度特性解析

〇(B)小原日向¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

14:45 〜 15:00

▼ [11p-W611-5] LED-based above 200mW Optical Wireless Power Transmission for Compact IoT

〇(D)Yuhuan Zhou¹、 Miyamoto Tomoyuki¹ (1.FIRST, IIR, Tokyo Institute of Technology)

15:00 〜 15:15

△ [11p-W611-6] Light Receiving Efficiency of Solar Cell considering influence of waves from Air to Underwater Optical Wireless Power Transmission

〇(M1)Jiaying Li¹、 Tomoyuki Miyamoto¹ (1.FIRST, IIR, Tokyo Institute of Technology)

15:30 〜 15:45

▼ [11p-W611-7] Investigation of cover configuration of solar cells that enhances appearance of OWPT

〇Liu Yu¹、 Miyamoto Tomoyuki¹ (1.Tokyo Tech)

15:45 〜 16:00

[11p-W611-8] 光無線給電高効率化のためのIII-V族化合物太陽電池の応用（6）

〇(B)伊藤真樹¹、小室有輝¹、高橋直大¹、田中文明¹、赤羽浩一²、松本敦²、陆书龙³、内田史朗¹ (1.千葉工大、2.情報通信研究機構、3.蘇州ナノテク研)

16:00 〜 16:15

▼ [11p-W611-9] Carrier Transport Modeling in Multiple Quantum Well Based InGaP Solar Cells

〇(D)HsiangHung Huang¹、 Kasidit Toprasertpong¹、 Kentaroh Watanabe²、 Delamarre Amaury¹、 Masakazu Sugiyama^1,2、 Yoshiaki Nakano¹ (1.Univ. Tokyo、2.RCAST)

16:15 〜 16:30

[11p-W611-10] フォトニック結晶構造を用いた半導体薄膜光検出器におけるテーパ構造の検討

〇齋藤孝一¹、雨宮智宏^1,2、鄭叙¹、中村なぎさ¹、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大、2.科学技術創成研究院)

16:30 〜 16:45

[11p-W611-11] ナノ受光器の高インピーダンス終端と熱雑音抑制

〇野崎謙悟^1,2、松尾慎治^1,3、藤井拓郎^1,3、武田浩司^1,3、新家昭彦^1,2、納富雅也^1,2 (1.NTTナノフォトニクスセンタ、2.NTT物性基礎研、3.NTT先端集積デバイス研)

16:45 〜 17:00

▲ [11p-W611-12] Mid-infrared GeSn Resonant-cavity-enhanced GeSn Photodetectors

〇(M1)CHENG-HSUN TSAI¹、 Bo-Jun Huang¹、 Guo-En Chang¹ (1.Nat. Chung Cheng Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[12a-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2019年3月12日(火) 09:00 〜 12:00 W611 (W611)

沼居貴陽(立命館大)、浜本貴一(九大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[12a-W611-1] 複合デューティ比をもつ横方向回折格子を有するリッジ型半導体レーザー

〇(M1)篁哲太¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大院理工)

09:15 〜 09:30

[12a-W611-2] サンプルドグレーティングを有する共振点シフトDFB-LD における前方／後方端面光出力比の向上

〇(M1)尾方大高¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大院理工)

09:30 〜 09:45

[12a-W611-3] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけるメサと横方向回折格子との間の領域の高さ/深さの効果

〇(M1)長澤大地¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大理工)

09:45 〜 10:00

[12a-W611-4] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける回折格子形成領域の検討

〇谷口巧樹¹、沼居貴陽¹ (1.立命館大理工)

10:00 〜 10:15

[12a-W611-5] 共振点シフトDFB-LDにおけるレーザー特性の回折格子形状依存性

〇二河一太郎¹、沼居貴陽¹ (1.立命大理工)

10:30 〜 10:45

[12a-W611-6] スタジアム形微小共振器のモード損失

〇福嶋丈浩¹、中原蕗¹ (1.岡山県立大情報工)

10:45 〜 11:00

[12a-W611-7] スリット構造導入によるアクティブMMIレーザ型モード選択光源の
モード間クロストーク抑制

〇(M2)森智隆¹、洪秉宙¹、村上槙梧¹、姜海松¹、浜本貴一¹ (1.九大総理工)

11:00 〜 11:15

[12a-W611-8] 半導体マイクロリングレーザを用いた切り替え可能な全光インバータおよびフリップフロップ動作の理論解析

〇青木椋祐¹、荒川太郎¹、國分泰雄² (1.横国大院工、2.中部大)

11:15 〜 11:30

[12a-W611-9] GaInAsP/InPリッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布反射型レーザの微分抵抗

〇高橋直樹^1,2、中村なぎさ^1,2、吉田崇将^1,2、方偉成^1,2、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大、2.科学技術創成研究院)

11:30 〜 11:45

△ [12a-W611-10] SiC基板上1.3 µm帯横注入メンブレンレーザの作製と発振特性

〇山岡優¹、中尾亮¹、藤井拓郎¹、武田浩司¹、開達郎¹、西英隆¹、硴塚孝明¹、土澤泰¹、松尾慎治¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

11:45 〜 12:00

[12a-W611-11] 発光波長制御InAs量子ドットを用いた1.1um帯外部共振器型波長可変レーザー

〇尾崎信彦^1,2、 Childs David²、 Boldin Aleksandr²、生野大吾¹、尾上克也¹、大里啓孝³、渡辺英一郎³、池田直樹³、杉本喜正³、 Hogg Richard² (1.和歌山大シス工、2.グラスゴー大、3.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[12p-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2019年3月12日(火) 13:45 〜 16:45 W611 (W611)

雨宮智宏(東工大)、松本敦(情通機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

[12p-W611-1] 塩化ナトリウム(NaCl)結晶を用いたI-VII族ダイオードの実現

〇(M1)姚昌平¹、寺田利樹¹、川添忠¹、田所貴志¹ (1.電機大)

14:00 〜 14:15

[12p-W611-2] カットオフ構造を用いたVCSELとVCSEL増幅器の横方向集積

〇鷹箸雅司¹、志村京亮¹、顧暁冬¹、中濱正統¹、松谷晃宏²、坂口孝浩¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

14:15 〜 14:30

[12p-W611-3] 高出力面発光レーザ増幅器のビーム品質改善の検討

〇許在旭¹、志村京亮¹、顧暁冬¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

14:30 〜 14:45

[12p-W611-4] 【注目講演】3DセンシングのためのVCSEL増幅器によるドットパターン生成

〇森長瑞¹、顧暁冬¹、志村京亮¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

14:45 〜 15:00

[12p-W611-5] カットオフ波長離調構造によるビームスキャナ集積単一モード面発光レーザ

〇志村京亮¹、許在旭¹、顧暁冬¹、中濵正統¹、坂口孝浩¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部マイクロプロセス部門)

15:15 〜 15:30

[12p-W611-6] VCSELビーム掃引デバイスを用いたLiDARシステムの検討

〇藤岡威吹¹、森長瑞¹、 Li Ruixiao¹、顧暁冬¹、小山二三夫¹ (1.東工大工)

15:30 〜 15:45

[12p-W611-7] MEMS VCSEL集積DBR導波路偏向素子のビーム偏向特性

〇旭利紘¹、顧暁冬¹、坂口孝弘¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研)

15:45 〜 16:00

[12p-W611-8] Cバンドにおける損失補償特性を持つInP系VCSEL分波器

〇(M2)冨樫良介¹、顧暁冬¹、松谷晃宏²、坂口孝浩¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

16:00 〜 16:15

[12p-W611-9] 1550nm 帯光集積回路に向けたイオン注入による量子ドット組成混晶化の実験的・数値解析的検討

〇松本敦¹、赤石陽太²、伊澤昌平²、松島裕一²、宇高勝之² (1.情通機構、2.早大理工)

16:15 〜 16:30

[12p-W611-10] SiスロットEr_xY_2-xSiO₅導波路に形成したグレーティングカプラの検討

〇小澤正行¹、ガブリエルデルガド¹、中村絃人¹、田中康仁²、一色秀夫¹ (1.電通大、2.シンクロン)

16:30 〜 16:45

[12p-W611-11] 強結合光導波路構造による高次モード励起抑制効果に関する基礎検討

〇(M2)藤本勘太郎¹、姜海松¹、浜本貴一¹ (1.九州大学総合理工学府量子プロセス理工学専攻)

セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[10p-PB4-1~23] 3.13 半導体光デバイス

▲ [10p-PB4-8] Electro-thermally Wavelength Tunable VCSELs for 3D Imaging

[11p-W611-1~12] 3.13 半導体光デバイス

△ [11p-W611-1] 光無線給電高効率化に向けたフライアイレンズ照射面特性の設計と評価

△ [11p-W611-2] 光無線給電の光ビーム方向制御における光照射特性解析（3）

△ [11p-W611-3] 光無線給電に向けた Depth カメラによる太陽電池位置認識手法の検討

△ [11p-W611-4] 低温下光無線給電に向けた半導体レーザの抵抗値・効率の温度特性解析

▼ [11p-W611-5] LED-based above 200mW Optical Wireless Power Transmission for Compact IoT

△ [11p-W611-6] Light Receiving Efficiency of Solar Cell considering influence of waves from Air to Underwater Optical Wireless Power Transmission

▼ [11p-W611-7] Investigation of cover configuration of solar cells that enhances appearance of OWPT

▼ [11p-W611-9] Carrier Transport Modeling in Multiple Quantum Well Based InGaP Solar Cells

▲ [11p-W611-12] Mid-infrared GeSn Resonant-cavity-enhanced GeSn Photodetectors

[12a-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

△ [12a-W611-10] SiC基板上1.3 µm帯横注入メンブレンレーザの作製と発振特性

[12p-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

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