The Japan Society of Applied Physics

587 results (421 - 430)

[P-1-15] Comparison of PECVD and RTCVD CESL Nitride Stressor in Reliability and Performance Improvement for High-k/Metal Gate CMOSFETs

K. T. Lee1, C. Y. Kang2, S. H. Hong1, H. S. Choi1, G. B. Choi1, J. C. Kim1, S. H. Song1, R. H. Baek1, M. S. Park1, H. C. Sagong1, S. H. Sakong3, S. W. Jung3, H. K. Park2, H. S. Hwang4, B. H. Lee2, Y. H. Jeong1 (1.Pohang Univ. of Sci. and Tech., Korea, 2.SEMATECH, USA, 3.NCNT, 4.GIST, Korea)

2008 International Conference on Solid State Devices and Materials |PDF Download

587 results (421 - 430)