^○山田浩之^1,2，Philippe Altuntas²，Arnaud Crassous²，Stéphane Fusil²，Eric Jacquet²，Javier Villegas²，Karim Bouzehouane²，Manuel Bibes²，Agn?s Barth?l?my² (産総研¹，CNRS-Thales²)

[27p-F2-8] (La,Pr,Ca)MnO3ナノウォール細線における超巨大磁気抵抗効果と電子相の挙動解明 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○藤原康司，服部梓，藤原宏平，田中秀和 (阪大産研)

[27p-F2-8.1] 休憩(15分)

[27p-F2-9] Sr₃Al₂O₆バッファ層を用いたNd_0.5Sr_0.5MnO₃薄膜の格子歪み制御 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○疋田育之¹，呂頔²，佐藤弘樹^1,3，ボンジュキム²，矢嶋赳彬⁴，クリストファーベル¹，ハロルドファン^1,2 (SLAC国立加速器研究所¹，スタンフォード大²，東大新領域³，東大院工⁴)

[27p-F2-10] 分光エリプソメトリーを用いたPr_1-xCa_xMnO₃薄膜の光学的解析 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○山田昌樹，中村敏浩 (京都大工)

[27p-F2-11] VO₂における電界誘起金属相の結晶構造評価 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○中野匡規^1,2，奥山大輔¹，竹下聡史³，大隅寛幸³，Samuel Tardif³，渋谷圭介^1,4，畑野敬史¹，小野新平^1,5，湯本博勝⁶，小山貴久⁶，大橋治彦⁶，高田昌樹³，川崎雅司^1,7，田口康二郎¹，有馬孝尚^2,3，岩佐義宏^1,7，十倉好紀^1,7 (理研CERG/CMRG¹，東大新領域²，理研SPring-8³，産総研⁴，電中研⁵，JASRI⁶，東大工⁷)

[27p-F2-12] Pt/NiO/Pt積層構造におけるフォーミング特性分布 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○西佑介，岩田達哉，木本恒暢 (京大院工)

[27p-F2-13] HfO₂-CB-RAM のフィラメント形成における水の役割 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○長谷川祥¹，木下健太郎^1,2，鶴田茂之¹，岸田悟^1,2，榎本優太郎¹ (鳥取大工¹，TEDREC²)

[27p-F2-14] ReRAM用Ta₂O₅/TaO_x積層膜のスパッタ量産技術の開発 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○福田夏樹，福寿和紀，西岡浩，鄒弘綱 (アルバック半電研)

[27p-F2-15] Ti 電極MIMダイオードにおけるSiO_x/TiO₂多重積層の抵抗変化特性評価 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○（M2）福嶋太紀¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大工¹，広大先端研²)

一般セッション(口頭講演)

[28a-F2-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:00 F2 (E3号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28a-F2-1] △Fe₃O₄薄膜のVerwey転移に対するバッファー層挿入効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○高橋哲大¹，中野匡規²，川崎雅司¹，塚崎敦^2,3 (東大院工¹，東大新領域²，JST さきがけ³)

[28a-F2-2] △ブラウンミレライトSrFeO_2.5エピタキシャル薄膜の異方的な格子緩和 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○平井慧¹，麻生亮太郎¹，菅大介¹，市川能也¹，倉田博基^1,2，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

[28a-F2-3] △3DナノテンプレートPLD法による金属酸化物ナノ狭窄構造の創製 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○櫛崎貴吉，藤原宏平，藤原康司，服部梓，田中秀和 (阪大産研)

[28a-F2-4] HfO₂ゲート酸化膜を用いた強相関酸化物(Nd,Sm)NiO₃の電子相制御 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○浅沼周太郎^1,2，島久^1,2，山田浩之¹，井上公^1,2，赤穗博司^1,2，秋永広幸^1,2，澤彰仁^1,2 (産総研¹，JST-CREST²)

[28a-F2-5] △基板応力によるPrNiO3 薄膜における金属絶縁体転移の抑制 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（PC）坂井延寿¹，玉光雅智²，吉松公平^1,3，堀場弘司¹，藤森淳³，尾嶋正治²，組頭広志^1,4 (KEK-PF&CMRC¹，東大院工²，東大院理³，JSTさきがけ⁴)

[28a-F2-6] △NdNiO₂エピタキシャル薄膜の作製と物性評価 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○小野塚智也¹，近松彰^1,2，片山司¹，重松圭¹，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2,3 (東大理¹，JST-CREST²，KAST³)

[28a-F2-6.1] 休憩(15分)

[28a-F2-7] △ダブルペロブスカイト型Sr₂TiRuO₆の薄膜成長と物性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○野上顕悟¹，増子尚徳¹，坂井延寿²，組頭広志^2,3，大島孝仁¹，大友明^1,3,4 (東工大院理工¹，高エネ研²，元素戦略³，JST-ALCA⁴)

[28a-F2-8] ストレイン効果によって安定化された正方晶SrRuO₃薄膜の構造-特性相関 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○菅大介¹，麻生亮太郎¹，倉田博基^1,2，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

[28a-F2-9] △SrRuO₃エピタキシャル薄膜の走査型透過電子顕微鏡による局所構造・歪み解析 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○麻生亮太郎¹，菅大介¹，島川祐一^1,2，倉田博基^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

[28a-F2-10] △マンガン酸化物薄膜の膜厚依存成長過程の原子スケール観察 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○清水亮太¹，大澤健男¹，岩谷克也¹，白木将¹，一杉太郎^1,2 (東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ²)

[28a-F2-11] △Sr₂MgMoO_6-δ単結晶薄膜の電気特性・電子状態評価 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○重松圭¹，近松彰^1,2，福村知昭^1,2，豊田智史³，池永英司⁴，長谷川哲也^1,2,5 (東大院理¹，JST-CREST²，KEK-IMSS³，JASRI/SPring-8⁴，KAST⁵)

一般セッション(口頭講演)

[28p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月28日(木) 14:00 〜 19:00 F2 (E3号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28p-F2-0] 昼食(60分)

[28p-F2-1] 同一基板上でa軸とc軸に配向性制御された高抵抗多結晶ZnO薄膜の作製 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○羽賀浩一¹，大島直到¹，滝澤義浩¹，湯蓋邦夫²，宍戸統悦² (仙台高専¹，東北大金研²)

[28p-F2-2] イオン化不純物散乱が支配的な半導体多結晶の導電率に対する粒界ポテンシャル障壁高さとそのゆらぎの影響 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○梶川靖友 (島根大総合理工)

[28p-F2-3] 熱処理温度によるZnO薄膜の物性の変化 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○（PC）李寧，金敬鎬，阿部良夫，川村みどり (北見工大)

[28p-F2-4] Air-Gapゲート構造を用いた酸化物界面のキャリア濃度変調 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○反保智貴¹，小塚裕介¹，Joseph Falson²，塚﨑敦^2,3，川﨑雅司¹ (東大院工¹，東大新領域²，JSTさきがけ³)

[28p-F2-5] MgZnO/ZnO二次元電子系を用いた量子ポイントコンタクトの作製と評価 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○（B）田中一成¹，ジョセフフォルソン²，小塚裕介¹，叶劍挺¹，吉田将郎¹，岩佐義宏¹，塚﨑敦^2,3，川﨑雅司¹ (東大院工¹，東大新領域²，JST-さきがけ³)

[28p-F2-6] AZO基板を用いたZnOナノロッドの作製と太陽電池への応用 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○盛由貴¹，Chunyan Luan²，Zapien Juan²，尾込裕平³，早瀬修二^3,4，奥野剛史¹，豊田太郎^1,4，沈青^1,4,5 (電気通信大¹，Hong Kong City Univ.²，九工大院生命体工³，JST CREST⁴，JST さきがけ⁵)

[28p-F2-7] 金属/酸化物多層膜の形成と評価 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○後藤佑太，羽場洋輔，一戸隆久 (東京工業高等専門学校)

[28p-F2-8] 水蒸気雰囲気アニールによるSnO₂膜の形成 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○小田信彦¹，野瀬健二²，神子公男²，光田好孝² (東大院工¹，東大生研²)

[28p-F2-9] MgO薄膜堆積による仕事関数変調 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○（M1）紫垣延洋¹，細野秀雄^1,2，浜名康全³，中村公嗣³，須崎友文¹ (東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，浜松ホトニクス³)

[28p-F2-10] 低密度に堆積させたMgO微粒子上のMgO薄膜の評価 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○大橋義信¹，櫻川康志¹，吉岡秀樹²，清川敏夫³，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²，タテホ化学工業³)

[28p-F2-10.1] 休憩(15分)

[28p-F2-11] CドープTiO₂の作製 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○真野昌平，江森万里，草野大悟，崎野亜紀子，岩崎達也，坂間弘 (上智大理工)

[28p-F2-12] CuとFeを担持したTiO₂薄膜の光触媒特性の評価 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○山田良隆¹，以西雅章¹，渥美剛¹，白木遼¹，安田洋司²，星陽一² (静岡大¹，東京工芸大²)

[28p-F2-13] Ir:SrTiO₃の表面ナノドットの自発的成長とその光電気化学特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○川崎聖治¹，高橋竜太¹，ミックリップマー¹，工藤昭彦² (東大物性研¹，東理大理²)

[28p-F2-14] LiTi₂O₄薄膜における超伝導特性の膜厚依存性 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○横山耕祐¹，大島孝仁¹，大友明^1,2,3 (東工大院理工¹，元素戦略²，JST-ALCA³)

[28p-F2-15] Na_xCoO₂薄膜の充放電特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○柴田恭幸¹，小林航^1,2，守友浩^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

[28p-F2-16] 固体電解質Li₃PO_4-xN_x(LiPON)薄膜作製条件の検討 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○熊谷明哉，清水亮太，大澤健男，鈴木竜，白木将，一杉太郎 (東北大　WPI-AIMR)

[28p-F2-17] MnO 単結晶基板からの LiMn₂O₄ 結晶膜の作成 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○橘田晃宜，秋田知樹，香山正憲 (産総研)

[28p-F2-18] PLD法を用いたリチウムイオン電池正極・負極材料のエピタキシャル薄膜作製に関する考察 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○白木将¹，熊谷明哉¹，高木由貴¹，大木栄幹^2,3，清水亮太¹，鈴木竜¹，大澤健男¹，一杉太郎¹ (東北大WPI-AIMR¹，東大新領域²，トヨタ自動車³)

[28p-F2-19] 金属単結晶再構成表面上へのLiCoO₂薄膜の作製とその構造評価 (6:45 PM ～ 7:00 PM)

^○白木将¹，高木由貴¹，大木栄幹^2,3，熊谷明哉¹，清水亮太¹，鈴木竜¹，大澤健男¹，一杉太郎¹ (東北大WPI-AIMR¹，東大新領域²，トヨタ自動車³)

一般セッション(口頭講演)

[29a-F2-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月29日(金) 10:00 〜 13:00 F2 (E3号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-F2-1] △TiO₂/LaO-LaAlO₃ (001) 構造における電気輸送特性の膜厚依存性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○（P）簑原誠人^1,2，疋田育之^1,2，クリストファーベル^1,2，ハロルドファン^1,2 (スタンフォード大¹，SLAC国立加速器研究所²)

[29a-F2-2] アナターゼ結晶相の微細構造制御によるTiO₂チャネルTFTの高移動度化 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○矢嶋赳彬，小池豪，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

[29a-F2-3] △酸素雰囲気熱処理によるTiO₂チャネルTFT閾値電圧の大幅減少 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○小池豪，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

[29a-F2-4] △高品質LaAlO₃/TiO₂/LaAlO₃ (001) ヘテロ構造の作製 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○（DC）立川卓^1,2，簑原誠人^2,3，疋田育之²，Christopher Bell²，Harold Hwang^2,3 (東大新領域¹，SLAC²，スタンフォード大³)

[29a-F2-5] △LaAlO₃/SrTiO₃ヘテロ接合界面における光キャリア局在化ダイナミクス (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○山田泰裕¹，佐藤弘樹^2,3，疋田育之³，ハロルドファン^3,4，金光義彦¹ (京大化研¹，東大²，SLAC³，スタンフォード大⁴)

[29a-F2-5.1] 休憩(15分)

[29a-F2-6] △LaドープによるBaTiO₃薄膜の金属絶縁体転移 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○松原雄也^1,2，高橋圭²，塚崎敦³，川﨑雅司^2,4，十倉好紀^2,4 (東北大金研¹，理研基幹研CMRG＆CERG²，東大新領域³，東大工院⁴)

[29a-F2-7] △MBEで作製したBaTiO₃薄膜の電気二重層トランジスタ動作特性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○伊藤正人^1,2，松原雄也^1,2，高橋圭²，小塚裕介³，Jian Ting Ye³，岩佐義宏^2,3，川﨑雅司^2,3，十倉好紀^2,3 (東北大金研¹，理研CMRG, CERG²，東大院工³)

[29a-F2-8] △軟X線照射によるTiO₂薄膜のエッチングダメージの回復Ⅰ (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○佐野桂治¹，新部正人¹，小高拓也¹，川上烈生²，富永喜久雄²，中野由崇³ (兵庫県立大高度研¹，徳島大工²，中部大総工研³)

[29a-F2-9] 軟Ｘ線照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復II (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○新部正人¹，佐野桂治¹，小高拓也¹，川上烈生²，富永喜久雄²，中野由崇³ (兵庫県大高度研¹，徳島大院工²，中部大総工研³)

[29a-F2-10] 放射光硬X線光電子分光法によるPtO_x/Nb:SrTiO₃接合の電子状態評価 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○廣瀬左京¹，吉川英樹²，上田茂典²，古田朋大²，安藤陽¹，大橋直樹² (村田製作所¹，物質・材料研究機構²)

[29a-F2-11] 放射光硬X線光電子分光法によるPt/Nb:SrTiO3接合の電子状態評価 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○大橋直樹¹，廣瀬左京^1,2，吉川英樹¹，上田茂典¹，古田朋大¹，渡邊賢¹，李建永¹，坂口勲¹ (物・材研¹，村田製作所²)

一般セッション(口頭講演)

[29p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月29日(金) 14:00 〜 19:00 F2 (E3号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29p-F2-0] 昼食(60分)

[29p-F2-1] △酸窒化インジウム(InO_xN_y)エピタキシャル薄膜の物性 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○岡崎壮平^1,2，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^1,2，楊長^1,2,3，鈴木温^1,2,3，岡大地^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (KAST¹，JST-CREST²，東大院理³)

[29p-F2-2] ハイブリッド対向スパッタを用いたITO透明導電膜の作製 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○諸橋信一，碓井圭太，高木史博，原田直幸，村田卓也 (山口大工)

[29p-F2-3] ハイブリッド対向スパッタによるSi-Ti傾斜型組成薄膜作製の検討 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○諸橋信一，葛尾寛之，岡田智之，岸本堅剛，原田直幸 (山口大工)

[29p-F2-4] TiO₂ ナノワイヤ結晶成長方位のサイズ依存性 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○柳田剛，Zhuge Fuwei，長島一樹，金井真樹，川合知二 (阪大産研)

[29p-F2-5] △VLS法を用いた単結晶NiOナノワイヤの創成および抵抗変化メモリ特性 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○長島一樹¹，柳田剛¹，金井真樹¹，Baeho Park²，川合知二^1,2 (阪大産研¹，建国大²)

[29p-F2-6] LaAlO₃/SrTiO₃(001)-(√13 ×√13) 極薄ヘテロ構造の電子伝導特性 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○大澤健男¹，清水亮太¹，岩谷克也¹，白木將¹，一杉太郎^1,2 (東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ²)

[29p-F2-7] LaAlO₃/SrTiO₃ヘテロ界面電子物性の膜組成による制御 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（D）佐藤弘樹^1,2，Christopher Bell¹，疋田育之¹，Harold Hwang^1,3 (ＳＬＡＣ¹，東大新領域²，スタンフォード大³)

[29p-F2-8] LaAlO₃原子層の極性を用いたバンドオフセット制御 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○矢嶋赳彬^1,2，簑原誠人²，疋田育之²，クリストファーベル²，組頭広志³，尾嶋正治¹，ハロルドファン^2,4 (東大院工¹，SLAC国立加速器研究所²，KEK-PF³，スタンフォード大⁴)

[29p-F2-9] LiTi₂O₄ 透明超伝導エピタキシャル薄膜の電子状態評価 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○大澤健男，熊谷明哉，清水亮太，高木由貴，鈴木竜，白木將，一杉太郎 (東北大WPI-AIMR)

[29p-F2-9.1] 休憩(15分)

[29p-F2-10] LaAlO₃キャップ層を用いたCaFeO_2.5還元過程における酸素イオン拡散経路の制御 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○村上永晃¹，菅大介¹，市川能也¹，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

[29p-F2-11] ダブルブラウンミレライト酸化物薄膜の合成と構造評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○市川能也¹，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

[29p-F2-12] 白色ポンプ・プローブ法によるBiFeO₃薄膜の過渡吸収ダイナミクス (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（M1）中村透¹，山田泰裕¹，安井伸太郎²，舟窪浩²，金光義彦¹ (京大化研¹，東工大院²)

[29p-F2-13] (Fe,Zn)₃O₄エピタキシャル薄膜を用いた電界効果トランジスタの輸送特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○市村昂士，堀竜也，藤原宏平，田中秀和 (阪大産研)

[29p-F2-14] Pulsed Laser Deposition法による[BiMO₃/ABO_x](M=Fe, Fe_0.8Mn_0.2 A=La, Ca B=Fe, Mn)人工超格子の作製と評価 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（M1）渡部雄太¹，土屋善人¹，及川貴大¹，岩田展幸¹，橋本拓也²，山本寛¹ (日大理工¹，日大文理²)

[29p-F2-15] Fe₃O₄/Nb:SrTiO₃の界面キャパシタンス (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○高橋竜太，ミックリップマー (東大物性研)

[29p-F2-16] VO₂フリースタンディング構造体の作製と電気伝導特性評価 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○山崎翔太¹，神吉輝夫¹，Luca Pellegrino²，Nicola Manca^2,3，Antonio Siri^2,3，Daniele Marre^2,3，田中秀和¹ (阪大産研¹，CNR-SPIN²，Genova Univ.³)

[29p-F2-17] VO₂マイクロワイヤーにおける局所的金属-絶縁体電子相界面形成とその電気特性 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○（DC）高見英史，神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

[29p-F2-18] ガラス基板上M2相VO₂薄膜の結晶構造変態と金属-絶縁体転移特性 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○沖村邦雄¹，渡部智¹，坂井穣² (東海大工¹，トｳール大²)

[29p-F2-19] ICP支援スパッタ法による Ti/Si(100)上へのVO₂薄膜の低温成長と積層方向スイッチング (6:45 PM ～ 7:00 PM)

^○シュルズモハメッド，沖村邦雄 (東海大院工)

一般セッション(口頭講演)

[30a-F2-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月30日(土) 09:00 〜 11:45 F2 (E3号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[30a-F2-1] CAAC-IGZO TFT技術を応用したNOSRAMのMultilevel Cell実現の可能性 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○井上広樹，石津貴彦，松嵜隆徳，大貫達也，熱海知昭，塩野入豊，加藤清，小山潤，山﨑舜平 (半導体エネルギー研究所)

[30a-F2-2] C-Axis Aligned Crystalline In-Ga-Zn-Oxide Flip Flopを実装した低消費電力8bitプロセッサ (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○前田修平，小林英智，大嶋和晃，米田誠一，西島辰司，王丸拓郎，戸松浩之，古谷一馬，石山貴久，附田一起，熱海知昭，塩野入豊，加藤清，前橋幸男，小山潤，山﨑舜平 (半導体エネルギー研究所)

[30a-F2-3] MoOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性とTEM内同時観察 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○工藤昌輝，大野裕輝，高見澤圭佑，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

[30a-F2-4] プラズマアシスト蒸着法を用いたモリブデン酸化物薄膜の形成 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○多田昂介，斉藤由希恵，一戸隆久 (東京高専)

[30a-F2-5] AFM電界酸化法を用いた超微細横型抵抗変化メモリの作製と動作特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○木下健太郎^1,2，福原貴博¹，岸田悟^1,2 (鳥取大工¹，鳥取大工ディスプレイセンター²)

[30a-F2-5.1] 休憩(15分)

[30a-F2-6] △α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜の半導体光電極評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（M2）増子尚徳¹，宋浚太¹，岩崎孝之¹，波多野睦子¹，大島孝仁¹，大友明^1,2,3 (東工大院理工¹，JST-ALCA²，元素戦略³)

[30a-F2-7] 太陽電池応用に向けた超音波噴霧ミストCVD法によるp型Cu₂O薄膜の作製と評価 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○池之上卓己，山口大翔，坂本眞一，乾義尚 (滋賀県大工)

[30a-F2-8] 電気化学成長Cu₂O薄膜の結晶性における電解液pH依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

[30a-F2-9] 多元系酸化物薄膜をn形半導体層に用いたCu₂O系ヘテロ接合太陽電池 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○西祐希，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

[30a-F2-10] 熱酸化Cu₂Oシートを用いるAZO/Ga₂O₃/Cu₂Oヘテロ接合太陽電池の高効率化 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○西祐希，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

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06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27a-PB2-1~24] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27p-F2-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[28a-F2-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

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[29a-F2-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

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[30a-F2-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス