一般セッション(ポスター講演)

[27a-PB4-1~25] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:30 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[27a-PB4-1] 酸化物半導体の電気的、光学的特性評価(III)-IGZO 薄膜におけるアニール条件と光伝導性の相関- (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○岸智弥，日野綾，森田晋也，小坂修司，林和志，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

[27a-PB4-2] IGZO薄膜を用いたトラップ準位の研究（2） (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○小坂修司¹，田尾博昭¹，森田晋也¹，日野綾¹，安野聡²，岸智弥¹，林和志¹，釘宮敏洋¹ (神戸製鋼所¹，コベルコ科研²)

[27a-PB4-3] IGZO結晶粉末中にプラズマによって生成される格子欠陥の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○松田時宜^1,2，西本大樹¹，高橋宏太¹，植野大貴¹，木村睦^1,2 (龍大理工¹，龍大科技研センター²)

[27a-PB4-4] アモルファスIGZOデバイス試作のためのドライエッチングプロセス (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○清水貴思 (産総研ナノエレ)

[27a-PB4-5] ZnO-SnO₂薄膜を用いたTFTの低温形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐藤和郎，山田義春，村上修一，筧芳治，櫻井芳昭 (大阪府立産技研)

[27a-PB4-6] 電界下結晶化ゾル―ゲルZnO膜を活性層に用いた薄膜トランジスタ (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○柏谷将樹 (秋田大システム科学)

[27a-PB4-7] マグネトロンスパッタ装置により形成されたＺｎＯ透明導電膜の表面形態と結晶構造 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山本直樹，森澤桐彦 (高知工科大)

[27a-PB4-8] 水溶液プロセスによる Ga 添加 ZnO エピタキシャル膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○三宅正男，福井宏史，土井俊哉，平藤哲司 (京大エネ科)

[27a-PB4-9] 金属薄膜上に成膜したZnO系薄膜の特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）平野貴大¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

[27a-PB4-10] ITO薄膜にAg層を導入したITO/Ag/ITO多層膜の特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）桂田善央¹，下村宏貴¹，景山豪¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，兵庫技工セ²)

[27a-PB4-11] 反応性DCスパッタリング法によるPETフィルム上へのZnO薄膜の室温成膜 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○木村亮太¹，西垣宏¹，蓮池紀幸¹，金廷坤¹，山本拓志¹，出原康平¹，一色俊之¹，木曽田賢治²，播磨弘¹ (京都工芸繊維大¹，和歌山大²)

[27a-PB4-12] ポリマーフィルム上に作製されたZnO薄膜の構造解析 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山本拓志，出原康平，西垣宏，木村亮太，蓮池紀幸，播磨弘，一色俊之 (京都工芸繊維大)

[27a-PB4-13] 分子プレカーサー法を用いたGa-In-O薄膜の製作 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○安野泰平，小田拓人，永井裕己，原広樹，佐藤光史，本田徹 (工学院大)

[27a-PB4-14] MgZnO/ZnOヘテロ構造の作製と自発分極によるMg濃度分布の再構成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○今坂光太郎¹，ジョセフフォルソン¹，塚崎敦^2,3，小塚裕介¹，川崎雅司¹ (東大院工¹，東大新領域²，JSTさきがけ³)

[27a-PB4-15] 溶液成長法によるCu-O及びZnO薄膜の低温成長とpnヘテロ接合形成の試み (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）北峯誠之¹，村上聡宏²，篠原悠彰¹，寺迫智昭²，宮田晃¹，白方祥² (愛媛大工¹，愛媛大院理工²)

[27a-PB4-16] △基板高速回転型MOCVDによる高品質ZnO薄膜の成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○平儀野雄斗¹，古林寛²，森山恭多¹，藤田恭久¹ (島根大院総理¹，島根大プロジェクト研究推進機構²)

[27a-PB4-17] MeCp2Mgを用いたMgZnO薄膜のRPE-MOCVD成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）大村信亮¹，Sanjay Mohanta²，中村篤志²，天明二郎^1,2 (静岡大工¹，静岡大電研²)

[27a-PB4-18] 電着法を用いたn 型GaN 表面上への酸化亜鉛の厚膜作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

妻神光輝，池上潤平，^○宇野和行，田中一郎 (和大システム工)

[27a-PB4-19] △酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオードにおけるn型ZnO薄膜と基板 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○森山恭多¹，Wan Mohd Hafizuddin Bin Wan Mansor¹，上代宏樹¹，古林寛²，橋本英樹²，藤田恭久¹ (島根大院総理¹，島根大プロジェクト研究推進機構²)

[27a-PB4-20] 大気圧CVD法及びイオンプレーティング法により作製したGa添加ZnO薄膜のフォトルミネッセンス及びフォトルミネッセンス励起スペクトル (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○寺迫智昭¹，藤本翔平¹，小倉佳典¹，宋華平²，牧野久雄²，矢木正和³，白方祥¹，山本哲也² (愛媛大院理工¹，高知工科大総研²，香川高専³)

[27a-PB4-21] 放射光X線吸収によるZnMgO薄膜の局所構造 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○尾形健一¹，Michał Kozub²，小池一歩¹，佐々誠彦¹，井上正崇¹，矢野満明¹，為則雄祐³ (大阪工大ナノ材研¹，ブロツワフ工大物理研²，高輝度光科学研究セ³)

[27a-PB4-22] 極低温ナノプローブCL法によるZnOナノワイヤの光学・電気特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（P）渡辺健太郎^1,2，ヤノシュフォルク³，呉承俊¹，長田貴弘¹，若山裕¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，ハンガリー科学アカデミー³)

[27a-PB4-23] ゼータ電位測定法による ZnO 薄膜の極性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（PC）古林寛¹，平儀野雄斗²，橋本英樹¹，藤田恭久² (島根大プロジェクト¹，島根大院総理²)

[27a-PB4-24] RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInONの作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）松島宏一¹，桑原和成¹，廣瀬忠史¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九大¹，JSTさきがけ²)

[27a-PB4-25] NbドープTiO₂薄膜における結晶粒成長の基板依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○井上創太，一柳成治，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

一般セッション(口頭講演)

[28a-G19-1~11] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:00 G19 (B5号館 4F-2403)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28a-G19-1] 分子線エピタキシャル成長β型三酸化モリブデン薄膜の熱処理効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○（M1）和田涼太，八木信治，小池一歩，原田義之，佐々誠彦，矢野満明 (大阪工大ナノ材研センタ)

[28a-G19-2] 超音波噴霧水蒸気を用いたCu₂O単相薄膜の作製 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○Than Htay Myo，岡村雅彦，吉澤竜，橋本佳男，伊東謙太郎 (信州大工)

[28a-G19-3] 遷移金属をドープしたβｰGa₂O₃の光学特性Ⅱ:Cuドープ効果 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○中澤央，安川大，若井宏文，小田久哉，山中明生 (千年科学技術大)

[28a-G19-4] △β-Ga₂O₃ (201)基板上のAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の成長制御 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○向井章¹，大島孝仁¹，佐々木公平²，増井建和³，倉又朗人²，山腰茂伸²，大友明^1,4 (東工大院理工¹，タムラ製作所²，光波³，元素戦略⁴)

[28a-G19-5] 熱酸化によるβ-Ga₂O₃単結晶表面の半絶縁層形成 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○大島孝仁¹，神永健一¹，向井章¹，佐々木公平²，増井建和³，倉又朗人²，山腰茂伸²，藤田静雄⁴，大友明^1,5 (東工大¹，タムラ製作所²，光波³，京大⁴，TIES&MCES⁵)

[28a-G19-6] β-Ga₂O₃結晶の偏光ラマンスペクトル (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○尾沼猛儀^1-3，藤岡秀平²，山口智広²，東脇正高^3,4，佐々木公平^3,5，増井建和⁶，本田徹² (東京高専¹，工学院大²，情通機構³，JST さきがけ⁴，タムラ製作所⁵，光波⁶)

[28a-G19-6.1] 休憩(15分)

[28a-G19-7] 大気圧非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の電気特性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○野瀬幸則¹，寺川卓摩¹，中村立¹，吉村武¹，芦田淳¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，積水化学²)

[28a-G19-8] RFマグネトロンスパッタ法によるVドープZnO薄膜の成長と評価 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○奥田修平，松尾拓哉，千葉博，森達哉，鷲尾勝由 (東北大工)

[28a-G19-9] VドープZnO薄膜の結晶構造に関する検討 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○松尾拓哉¹，奥田修平¹，千葉博²，森達哉²，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

[28a-G19-10] VドープZnO薄膜のN₂/O₂アニールによる膜質変化に関する検討 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○千葉博¹，松尾拓哉²，奥田修平²，森達哉¹，鷲尾勝由^1,2 (東北大工¹，東北大院工²)

[28a-G19-11] VドープZnO薄膜の成膜温度とアニールによる膜質変化に関する検討 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○森達哉，松尾拓哉，奥田修平，千葉博，鷲尾勝由 (東北大工)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G19 (B5号館 4F-2403)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28p-G19-0] 昼食(60分)

[28p-G19-1] 触媒反応で生成した水分子とジメチル亜鉛からのＺｎＯ薄膜形成機構 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○梅本宏信¹，石川卓末¹，西原裕心¹，安井寛治²，西山洋²，井上泰宣²，牛島満³ (静岡大工¹，長岡技科大²，東京エレクトロン³)

[28p-G19-2] H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてホモエピタキシャル成長したZnO膜の特性 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○竹内智彦，永冨瑛智，山口直也，加藤孝弘，安井寛治 (長岡技科大工)

[28p-G19-3] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いて堆積したガラス基板上ZnO薄膜へのCVD低温バッファ層挿入効果 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○竹澤和樹¹，小柳貴寛¹，加藤孝弘¹，片桐裕則²，神保和夫²，大石耕一郎²，安井寛治¹ (長岡技科大¹，長岡高専²)

[28p-G19-4] H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いて堆積したZnO薄膜の窒素ドープによる影響 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○山口直也，永冨瑛智，竹内智彦，加藤孝弘，安井寛治 (長岡技科大工)

[28p-G19-5] スパッタ法によりa面Al₂O₃基板上に成長したZnO単結晶層のアニーリング効果 (II) (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○濱田夕慎，高橋昌幸，重野宏豊，田沼秀隆，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

[28p-G19-6] スパッタ法によるC面サファイア基板上への原子平坦ZnO薄膜の作製 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○板垣奈穂^1,2，桑原和成¹，山下大輔¹，徐鉉雄¹，鎌滝晋礼³，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，JSTさきがけ²，九大基幹教育院³)

[28p-G19-7] Zn極性ZnO基板上ZnMnO薄膜の成長モード制御 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文 (阪府大院工)

[28p-G19-8] 極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○中村立¹，長田貴弘²，早川竜馬²，呉承俊³，廣芝伸哉²，藤村紀文¹，知京豊裕²，若山裕^2,3 (阪府大院工¹，物材機構²，九大院工³)

[28p-G19-8.1] 休憩(15分)

[28p-G19-9] 酸化物ナノ粒子とバルク結晶の励起子発光の温度依存性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○雨倉宏¹，Tarjei Bondevik^1,2 (物材機構¹，ノルウェー科技大²)

[28p-G19-10] ZnOマイクロ球によるWGMレーザー発振のサイズ依存性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○房崎晃士，岡崎功太，東畠三洋，中村大輔，岡田龍雄 (九大)

[28p-G19-11] Mg_xZn_1-xO:N薄膜の光学的特性評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○阿部貴美¹，中川玲¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，大坊真洋¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，藤原民也¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

[28p-G19-12] 表面処理が与えるAu/ZnOショットキーダイオードのI-V特性への影響 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（M1）神取祐治，安部功二 (名古屋工業大院)

[28p-G19-13] バイアス電圧印加PLD法と貼り合わせ法により形成したn-ZnO/p-ZnTeヘテロ接合特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○赤尾卓哉，小松和也，瀬野祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大システム科学技術)

[28p-G19-14] ▲Schottky characteristics dependency on the polarity of PEDOT:PSS/MgZnO interface (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○Sanjay Kumar Mohanta，Nobuaki Ohmura，Atsushi Nakamura，Jiro Temmyo (Shizuoka University)

[28p-G19-15] 新対向ターゲット式スパッタ法によるTa₂O₅/ZnO:Inヘテロ構造膜の作製と高感度pHセンサーへの応用 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（M1）向井和哉¹，大仲崇之¹，小池一歩¹，前元利彦¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，門倉貞夫²，中光豊² (大阪工大ナノ材研センタ¹，FTS²)

[28p-G19-16] Pt/ZnOショットキーフォトダイオードのI-V特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○遠藤治之¹，大橋律男²，阿部貴志¹，高橋強¹，柏葉安兵衛³ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，岩手大³)

[28p-G19-17] バイアス電圧印加PLD法により作製したn-ZnO/p-Siヘテロ接合の発光特性 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○瀬野祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大)

一般セッション(口頭講演)

[29a-G19-1~10] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月29日(金) 10:00 〜 12:45 G19 (B5号館 4F-2403)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29a-G19-1] ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法による不純物添加酸化亜鉛薄膜のアニール効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○井手亜貴子¹，長野文子¹，小嶋稔¹，吉野賢二^1,3，竹元裕仁²，豊田浩司²，稲葉孝一郎²，羽賀健一²，中俊雄²，徳留功一² (宮崎大工¹，東ソー・ファインケム²，JST-CREST³)

[29a-G19-2] 静電スプレー法を用いたZnO:Ag透明導電膜の作製 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○下村宏貴¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

[29a-G19-3] PEN基板上ZnO系透明導電膜の特性 -ガラス基板との比較- (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○赤沢方省 (NTT MI研)

[29a-G19-4] 水溶液からの酸化亜鉛膜の作製－クエン酸三ナトリウム添加の影響－ (10:45 AM ～ 11:00 AM)

松本拓也，^○安部功二 (名古屋工業大)

[29a-G19-5] H₂導入RFスパッタにおける低抵抗AZO薄膜物性への影響 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○田中真樹^1,2，吉野賢二^2,3 (宇部マテリアルズ¹，宮崎大工²，JST-CREST³)

[29a-G19-5.1] 休憩(15分)

[29a-G19-6] GaドープZnO薄膜の表面近傍の化学状態評価 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○牧野久雄，宋華平，山本哲也，小畠雅明，小林啓介 (高知工科大総研)

[29a-G19-7] Ga 添加酸化亜鉛透明導電膜の耐湿熱特性制御 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○山本哲也¹，宋華平¹，牧野久雄¹，長田実²，岸本誠一^1,3 (高知工科大総研¹，物材機構MANA²，高知高専³)

[29a-G19-8] 有機金属塗布熱分解法によるSb添加SnO₂薄膜の導電性評価 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○（M1）景山豪¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

[29a-G19-9] Fe添加省In組成ITOスパッタ薄膜の高赤外線透過性 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○大塚誠^1,2，中村崇^1,2 (東北大　多元研¹，東北大　NICHe²)

[29a-G19-10] 新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○柳博¹，佐藤千友紀¹，高木暢人¹，鈴木一誠²，小俣孝久²，神谷利夫³，細野秀雄^3,4 (山梨大工¹，大阪大工²，東工大応セラ研³，東工大フロンティア研⁴)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月29日(金) 14:00 〜 18:30 G19 (B5号館 4F-2403)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29p-G19-0] 昼食(90分)

[29p-G19-1] アモルファスIGZO薄膜の電子局在と電子間相互作用 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

篠崎文重¹，日高和也¹，^○牧瀬圭正²，浅野貴行¹，苫井重和³，矢野公規³，中村浩昭³ (九大院理¹，情通機構²，出光先進研³)

[29p-G19-2] △IGZO TFTにおける光照射による劣化メカニズムの解析 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（DC）上岡義弘¹，石河泰明¹，Um Jae Gwang²，Bermundo Juan Paolo¹，山﨑はるか¹，浦川哲¹，堀田昌宏¹，Jang Jin²，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，Kyung Hee Univ.²)

[29p-G19-3] 極微電子線回折による結晶性評価 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○大力浩二，高橋正弘，廣橋拓也，津吹将志，太田将志，山﨑舜平 (半エネ研)

[29p-G19-4] IGZO膜のナノ結晶の存在について (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○高橋正弘，廣橋拓也，津吹将志，太田将志，山﨑舜平 (半エネ研)

[29p-G19-5] IGZOの結晶化に対する水素の効果 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○廣橋拓也，中島基，高橋正弘，津吹将志，山﨑舜平 (半エネ研)

[29p-G19-6] IGZOの深い欠陥準位と膜質の評価 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○太田将志，渡邊了介，石原典隆，黒澤陽一，津吹将志，山﨑舜平 (半エネ研)

[29p-G19-7] △ミストCVD法によるIGZO薄膜の作製とその特性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，古田守²，眞田克¹ (高知工大シス工¹，高知工大ナノ研²)

[29p-G19-8] 大気圧ミストCVDを用いて作製したIGZO TFTの高移動度化 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（PC）川原村敏幸¹，内田貴之²，王大鵬¹，眞田克²，古田守¹ (高知工大ナノ研¹，高知工大シス工²)

[29p-G19-8.1] 休憩(15分)

[29p-G19-9] a-InGaZnO₄薄膜の残留応力制御とTFT活性層への応用 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，ＮＬＴテクノロジー²)

[29p-G19-10] アルミニウム陽極酸化膜付基板上に形成したa-InGaZnO4-TFT (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○中山昌哉，望月文彦，祐谷重徳，垣内良蔵，田中淳，鈴木真之 (富士フイルム)

[29p-G19-11] IGZO-TFTのオフリーク特性の評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○井鷺洋介，山内祥光，鎌倉良成，松岡俊匡 (阪大)

[29p-G19-12] 水素不純物を低減したアモルファス酸化物a-In-Ga-Zn-Oの電気特性とTFT特性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○神谷利夫，宮瀬貴也，堂免恵，野村研二，細野秀雄 (東工大)

[29p-G19-13] 高温熱処理によるIn-Ga-Zn-O TFTの特性変化と水素の影響 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

羽入雄一郎，安部勝美，堂免恵，野村研二，^○神谷利夫，細野秀雄 (東工大)

[29p-G19-14] △アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○山﨑はるか¹，石河泰明¹，上岡義弘¹，藤原将喜²，高橋英治²，安東靖典²，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，日新電機²)

[29p-G19-15] 溶液プロセスで作製したInZnO薄膜トランジスタにおけるチャネル層膜厚依存性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○長田至弘，石河泰明，呂莉，浦岡行治 (奈良先端大)

[29p-G19-16] バイアス電圧印加PLD法によるZnO薄膜を用いて作製した薄膜トランジスタ (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○虻川雄矢，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県大システム科学)

[29p-G19-17] ボトムゲート型セルフアライン酸化物ＴＦＴの作製 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○中田充，辻博史，藤崎好英，佐藤弘人，中嶋宜樹，武井達哉，山本敏裕 (NHK技研)

セッション一覧

21．合同セッションK » 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[27a-PB4-1~25] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28a-G19-1~11] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29a-G19-1~10] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」