^○Jose Francisco Lopez-Barbera¹，E Menéndez²，H Modarresi²，M Haidar³，B.J. Kirby⁴，J Åkerman^3,5，J. A. Borchers⁴，A Vantomme²，K Temst²，Josep Nogués^1,6 (ICN2-Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia, Spain¹，KU Leuven, Instituut voor Kern- en Stralingsfysica,Belgium²，University of Gothenburg,Sweden³，National Institute of Standards and Technology,USA⁴，Royal Institute of Technology,Sweden⁵，ICREA -Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avançat,Spain⁶)

13:45 〜 14:00

▼ [18p-A11-2] Electronic conductivity of impurity-doped Zn₃N₂ thin films

^○（D）曹祥，渡会光貴，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大院工)

14:00 〜 14:15

▼ [18p-A11-3] Effect of oxidation process on MoS₂ thin film growth

^○Sinae Heo^1,2，Ryoma Hayakawa¹，Toyohiro Chikyow¹，Yutaka Wakayama^1,2 (NIMS¹，Kyusyu University²)

14:15 〜 14:30

▼ [18p-A11-4] Microfluidic control by temporally modulated thermoplasmonics

^○Kyoko Namura^1,2，Kaoru Nakajima¹，Kenji Kimura¹，Motofumi Suzuki¹ (Kyoto Univ.¹，JSPS Research Fellow²)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-A11-5] Impact of thermal expansion of substrates on phase transition temperature of VO₂ films

^○坂井穣¹，Mustapha Zaghrioui¹，松島正明²，舟窪浩²，沖村邦雄³ (GREMAN, Univ. Tours¹，Tokyo Tech.²，Tokai Univ.³)

14:45 〜 15:00

▲ [18p-A11-6] Influence of nitrogen oxide gas supply during ZnO film growth using high-temperature H₂O generated from a catalytic reaction

寺口祐介，大橋優樹，山口直也，玉山泰宏，^○安井寛治 (長岡技科大)

15:00 〜 15:15

▲ [18p-A11-7] Preparation of a single-phase TaO₂ thin film

^○Yuji Muraoka，Yuki Fujimoto，Takanori Wakita，Takayoshi Yokoya (Okayama Univ.)

休憩15:15～15:30 （15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[18p-A11-8] LiH薄膜の配向制御とイオン伝導測定

^○大口裕之¹，池庄司民夫^2,3，桑野博喜¹，白木将³，折茂慎一^2,3，一杉太郎³ (東北大院工¹，東北大金研²，東北大AIMR³)

15:45 〜 16:00

[18p-A11-9] YAlO₃(001)基板上へのr面配向Cr₂O₃薄膜の作製

林佑太郎，隅田貴士，中村拓未，橋本浩佑，山本寛，^○岩田展幸 (日大理工)

16:00 〜 16:15

[18p-A11-10] マンガン窒化物Mn₃(Cu_xAg_1-x)Nの薄膜作製

^○畑野敬史¹，松本利希¹，松本健介¹，竹中康司²，生田博志¹ (名大工結材¹，名大工応物²)

16:15 〜 16:30

[18p-A11-11] 水素ドープに伴うNdNiO₃薄膜の構造変化

^○小野塚智也¹，近松彰^1,2，片山司¹，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，JST-CREST²，KAST³)

16:30 〜 16:45

[18p-A11-12] PLD法によるSi基板上へのSrVO₃薄膜の作製

^○（M1）稲垣遼，堀田育志，佐藤真一 (兵庫県立大)

休憩16:45～17:00 （16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

[18p-A11-13] 大気開放型CVD法を用いたNb:TiO₂膜の合成と抵抗率

^○（M2）小林望，菊田剛史，小松啓志，大塩茂夫，戸田育民，齋藤秀俊 (長岡技科大)

17:15 〜 17:30

[18p-A11-14] 常温大気圧下でのコプラナー型沿面放電によるSnO₂薄膜の形成における前駆体の検討

^○金指翔大，増田優貴，花井利通，丹祐人，奥谷昌之 (静岡大院工)

17:30 〜 17:45

[18p-A11-15] 大気下における沿面放電を利用した二酸化チタン膜の作成

増田優貴，丹祐人，^○金指翔大，奥谷昌之 (静岡大)

17:45 〜 18:00

[18p-A11-16] マイクロ波照射下における金属酸化物の自己発熱作用を利用した酸化スズ薄膜の作製

大橋拓也，武藤栄，^○奥谷昌之 (静岡大院工)

18:00 〜 18:15

[18p-A11-17] 液相プロセスにおける酸化物ゲルへのUV照射によるパターン形成技術の開発

^○芳本祐樹¹，永原幸児¹，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ERATO²，グリーンデバイス研究センター³)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB2-1~11] 6.4 薄膜新材料

2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PB2 (第2体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PB2会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-1] チタンバッファーを用いたシリコン基板上に成長したダイアモンドライクカーボン

^○金子智^1,8，松永崇²，池永薫³，伊藤健⁶，安井学⁷，堀内崇弘¹，安原重雄⁴，三尋木勝洋⁴，熊谷正夫⁵，滝川浩史⁹，下平英二⁵，小林昌純⁶，須藤理枝子⁷，松田晃史⁸，吉本護⁸ (神奈川県産技センター¹，大阪産総研²，日本電子工業³，日本アドバンスケミカルズ⁴，不二WPC⁵，コバヤシ精工⁶，相模原表面技術研究所⁷，東工大総合理工⁸，豊橋科技大⁹)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-PB2-2] Development of nanosecond radiation thermometry for pulsed UV laser processing

^○Kentaro Shinoda，Tomohiko Nakajima，Tetsuo Tsuchiya (AIST)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-3] 真空蒸着法向け低スプラッシュ一酸化ケイ素材料の作製

^○上嶌聡一郎，渡会孝典，堀江晴彦，堀江幸弘 (キヤノンオプトロン)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-4] 光反応による高輝度フレキシブル蛍光体膜の作製と評価

鵜澤裕子，中島智彦，篠田健太郎，^○土屋哲男 (産総研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-5] 超臨界二酸化炭素流体を用いた酸化ジルコニウム薄膜の化学的堆積

^○塩川真里奈，井﨑克史，内田寛 (上智大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-6] MoSi₂-Si複合体薄膜の抵抗率の温度依存性

^○木谷僚介，佐藤祐喜，吉門進三 (同志社大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-7] 水素ガス雰囲気中におけるフタロシアニンマグネシウム薄膜の特性

^○清水英彦，新保一成，岩野春男，川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎 (新潟大工)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PB2-8] PLD法を用いたGa₂O₃薄膜結晶成長におけるバッファー層導入効果

^○福田大二¹，塩尻大士¹，山内涼輔¹，土嶺信男²，織田真也³，金子智^4,1，松田晃史¹，吉本護¹ (東工大¹，豊島製作所²，ROCA³，神奈川県産技センター⁴)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-9] 単一Ti_0.87O₂^0.52−ナノシートの絶縁・誘電特性

^○（PC）小川大輔^1,2,3，赤塚公章^1,3，福村知昭^2,3，長田実^1,3，佐々木高義^1,3，長谷川哲也^2,3,4 (物材機構¹，東大²，JST-CREST³，KAST⁴)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-10] 透明デバイスに向けたNiO 薄膜とBDD とのバンドアライメントの検討

^○川出大佑^1,2，谷島啓太¹，近藤剛史^1,2，相川達男^1,2，湯浅真^1,2，杉山睦^1,2 (東京理科大理工¹，東京理科大総研²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB2-11] 赤外線センサ検知部材料のためのTa,Wドープ酸化バナジウム膜の形成(Ⅲ)

齋藤和弘¹，渡部良一²，渡邊良祐²，^○齋藤洋司^1,2 (成蹊大院理工¹，成蹊大理工²)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-A11-1~17] 6.4 薄膜新材料

[18a-A11-1~10] 6.4 薄膜新材料

△ [18a-A11-3] イオン液体を介した真空蒸着による KBr(111) 結晶表面成長

△ [18a-A11-4] エピタキシャル歪みによるペロブスカイト型酸窒化物SrTaO2Nのアニオン配列制御

△ [18a-A11-5] 炭素添加したInSiOチャネル材料の特性

△ [18a-A11-6] Li挿入によるCu3Nの非金属－金属転移

△ [18a-A11-7] Srn+1RunO3n+1 薄膜へのポリフッ化ビニリデンによるトポタクティックフッ素ドープ

△ [18a-A11-8] イオン液体を用いた蒸着重合法による芳香族ポリ尿素薄膜の形成

△ [18a-A11-9] イオン液体を介した真空共蒸着法によるDBTTF-TCNQ錯体の作製

△ [18a-A11-10] SiCフラックス成長におけるSiC基板/フラックス界面の高温真空レーザー顕微鏡観察

[18p-A11-1~17] 6.4 薄膜新材料

▲ [18p-A11-1] 「Invited lecture of overseas researcher」（30min.）Tuning the magnetic properties of Co thin films by oxygen ion implantation

▼ [18p-A11-2] Electronic conductivity of impurity-doped Zn3N2 thin films

▼ [18p-A11-3] Effect of oxidation process on MoS2 thin film growth

▼ [18p-A11-4] Microfluidic control by temporally modulated thermoplasmonics

▲ [18p-A11-5] Impact of thermal expansion of substrates on phase transition temperature of VO2 films

▲ [18p-A11-6] Influence of nitrogen oxide gas supply during ZnO film growth using high-temperature H2O generated from a catalytic reaction

▲ [18p-A11-7] Preparation of a single-phase TaO2 thin film

[19a-PB2-1~11] 6.4 薄膜新材料

▲ [19a-PB2-2] Development of nanosecond radiation thermometry for pulsed UV laser processing

△ [19a-PB2-8] PLD法を用いたGa2O3薄膜結晶成長におけるバッファー層導入効果

△ [18a-A11-4] エピタキシャル歪みによるペロブスカイト型酸窒化物SrTaO₂Nのアニオン配列制御

△ [18a-A11-6] Li挿入によるCu₃Nの非金属－金属転移

△ [18a-A11-7] Sr_n+1Ru_nO_3n+1 薄膜へのポリフッ化ビニリデンによるトポタクティックフッ素ドープ

▲ [18p-A11-1] 「Invited lecture of overseas researcher」（30min.）
Tuning the magnetic properties of Co thin films by oxygen ion implantation

▼ [18p-A11-2] Electronic conductivity of impurity-doped Zn₃N₂ thin films

▼ [18p-A11-3] Effect of oxidation process on MoS₂ thin film growth

▲ [18p-A11-5] Impact of thermal expansion of substrates on phase transition temperature of VO₂ films

▲ [18p-A11-6] Influence of nitrogen oxide gas supply during ZnO film growth using high-temperature H₂O generated from a catalytic reaction

▲ [18p-A11-7] Preparation of a single-phase TaO₂ thin film

△ [19a-PB2-8] PLD法を用いたGa₂O₃薄膜結晶成長におけるバッファー層導入効果