〇(PC)Jonghyeon Jeong¹, Shinya Kumagai^1,³, Ichiro Yamashita^2,³, Yukiharu Uraoka^2,³, Minoru Sasaki^1,³ (1.Toyota Technological Institute, 2.Nara Institute of Science and Technology, 3.CREST JST)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [11p-A29-7] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討Ⅲ- 各種細菌の蛍光強度特性の時間依存性 -

〇西村祐典¹、林隆平¹、中澤寛一¹、石田誠¹、澤田和明¹、石井仁¹、町田克之^2,³、益一哉²、王常楽⁴、飯田健一郎⁴、齋藤光正⁴、吉田眞一⁴ (1.豊橋技科大, 2.東工大, 3.NTTｱﾄﾞﾊﾞﾝｽﾄﾃｸﾉﾛｼﾞ, 4.九州大学医学研究院)

16:00 〜 16:15

▲ [11p-A29-8] Two-Dimensional Redox Imaging Employing Integrated Square Wave Voltammetric Pulse Generator Circuit

〇(P)BYOUNGHYUN LIM¹, Sou Takahashi¹, Masato Futagawa², Fumihiro Dasai^1,³, Makoto Ishida¹, Kazuaki Sawada^1,³ (1.Toyohashi Univ. of Tech., 2.Shizuoka Univ., 3.CREST)

16:15 〜 16:30

[11p-A29-9] 容量計測型呼吸センサのための衣服組み込み電極

寺澤槙恵¹、熊谷慎也¹、〇佐々木実¹ (1.豊田工大)

16:30 〜 16:45

[11p-A29-10] 波長選択性熱放射による狭空間内における電子デバイス冷却技術

〇津田慎一郎¹、清水信¹、井口史匡¹、湯上浩雄¹ (1.東北大院工)

16:45 〜 17:00

[11p-A29-11] 水蒸気酸化によるポーラスシリコンの3次元構造形成

〇出野上真樹¹、石黒敬太¹、青木画奈¹、藤井稔¹ (1.神戸大院工)

17:00 〜 17:15

[11p-A29-12] 切削平坦化した金バンプを用いたウェハレベル真空封止接合

〇平野栄樹¹、引地広介¹、田中秀治¹ (1.東北大工)

17:15 〜 17:30

[11p-A29-13] 高精度薄化研削のための水膜チャックの開発

〇吉冨健一郎¹、宇根篤暢¹、餅田正秋¹、坂東翼²、山本栄一² (1.防大機械, 2.岡本工作機械)

一般セッション(口頭講演)

[12a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年3月12日(木) 09:00 〜 12:00 A29 (6A-204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[12a-A29-1] 青色半導体レーザアニール中のSi膜内光吸収量解析

〇岡田竜弥¹、神村盛太¹、野口隆¹ (1.琉球大工)

09:15 〜 09:30

[12a-A29-2] 脱水素無しのアモルファスSi薄膜に対するBLDA低抵抗化

〇若杉智英¹、安次富卓哉¹、岡田竜弥¹、野口隆¹、西方靖²、太田淳²、井上和久³、山田一雄³ (1.琉球大工, 2.（株）アルバック, 3.プロダクトサポート社)

09:30 〜 09:45

[12a-A29-3] マイクロ熱プラズマジェット照射によるSi結晶成長の初期膜依存性

〇林将平^1,²、森崎誠司¹、山本将悟¹、中谷太一¹、新良太¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研, 2.学振特別研究員PD)

09:45 〜 10:00

[12a-A29-4] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるa-Siパターン内結晶成長のその場観察

〇(D)森崎誠司¹、林将平¹、山本将悟¹、中谷太一¹、笠原拓也¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

10:00 〜 10:15

[12a-A29-5] 金誘起低温層交換法による高Ge組成(≧50%)SiGe/絶縁膜の大粒径・方位制御成長(≦300℃)

〇佐道泰造¹、パクジョンヒョク^1,²、青木陸太¹、宮尾正信¹ (1.九大システム情報, 2.学振)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[12a-A29-6] 非晶質C12A7 エレクトライド/結晶Si の接合とI-V 特性

〇渡邉俊成¹、小穴保久²、戸田喜丈³、宮川直通¹、古田薫²、雲見日出也³、細野秀雄³ (1.旭硝子, 2.LG Display, 3.東工大)

10:45 〜 11:00

[12a-A29-7] 非晶質C12A7エレクトライドのTFT電極への適用

〇小穴保久¹、渡邊俊成²、戸田喜丈³、宮川直通²、古田薫¹、雲見日出也³、細野秀雄³ (1.エルジーディスプレイ, 2.旭硝子, 3.東工大)

11:00 〜 11:15

[12a-A29-8] パネル上高感度フォトセンサ応用へのBLDAによる多層膜構造Si膜の結晶性向上

Nakao Kota¹、〇(M2)Koswaththage Charith Jayanada¹、Wakasugi Tomohide¹、Okada Tatsuya¹、Noguchi Takashi¹ (1.琉球大学)

11:15 〜 11:30

[12a-A29-9] フレキシブル基板上での単結晶シリコンCMOSトランジスタの作製

〇酒池耕平^1,²、中川明俊¹、赤澤宗樹¹、東清一郎^1,³ (1.広大院　先端研, 2.学振特別研究員PD, 3.広大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所)

11:30 〜 11:45

[12a-A29-10] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Ge膜を用いたTFTオフ電流の結晶化速度依存性

〇中谷太一¹、林将平¹、森崎誠司¹、山本将悟¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

11:45 〜 12:00

[12a-A29-11] 積層チャネル3D-IC向け極薄Body Poly-Ge p-&n-MISFETsを用いたCMOSインバーターとリング発振器の作製および動作実証

〇鎌田善己¹、小池正浩¹、黒澤悦男¹、黒澤昌志^2,³、太田裕之¹、中塚理²、財満鎭明²、手塚勉¹ (1.産総研GNC, 2.名大院工, 3.学振)

一般セッション(ポスター講演)

[13a-P14-1~14] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年3月13日(金) 09:30 〜 11:30 P14 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

△ [13a-P14-1] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化(Ⅱ)

〇杉山貴俊¹、神子公男²、弓野健太郎¹ (1.芝浦工業大学, 2.東大生研)

09:30 〜 11:30

[13a-P14-2] 二段階Pイオン注入によるメタル/n⁺Geコンタクト低抵抗化とGe nMOSFETの寄生抵抗低減

〇小池正浩¹、上牟田雄一¹、黒澤悦男¹、手塚勉¹ (1.産総研GNC)

09:30 〜 11:30

▲ [13a-P14-3] First Trial Fabrication of Poly-Si TFTs using Crystallization-Induction Layers of Yttria-Stabilized Zirconia and Pulsed Laser Annealing Crystallization Methods

〇Lien Mai¹, Masayuki Yamano², Tatsuaki Hirata², Shin-Ichiro Kuroki², Susumu Horita¹ (1.JAIST, 2.Hiroshima Univ.)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P14-4] ガラス基板上の自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT の制御性

〇大澤弘樹¹、佐々木駿¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

09:30 〜 11:30

[13a-P14-5] スパッタHfO₂を利用したCLC 低温poly-Si TFTのCMOS化

〇目黒達也¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P14-6] ガラス基板上の平面型メタルダブルゲート低温poly-Ge TFT

〇西村勇哉¹、目黒達也¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

09:30 〜 11:30

[13a-P14-7] AlSi/TiNバンプおよびACPを用いたChip on Chip構造の接合抵抗評価

〇秋山正弘¹、Dali Zhang²、Myung-Jae Lee²、Edoardo Charbon² (1.長野高専, 2.デルフト工科大学)

09:30 〜 11:30

▲ [13a-P14-8] Finite element method simulation of three-terminal graphene NEMS switches

〇(D)Jothiramalingam Kulothungan¹, Manoharan Muruganathan¹, Hiroshi Mizuta^1,² (1.JAIST, 2.Univ. of Southampton)

09:30 〜 11:30

[13a-P14-9] スペース赤外線望遠鏡のための極低温可変形鏡の開発

〇(M1)高橋葵¹、塩谷圭吾¹、Paul Bierden²、Steven Cornelissen²、Charlie Lam²、Michael Feinberg² (1.JAXA宇宙研, 2.BMC)

09:30 〜 11:30

[13a-P14-10] プラズモニック素子内包アルギン酸ゲルによるグルコースセンシング

〇齋藤泰登¹、西山宏昭¹ (1.山形大院理工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P14-11] SAB法によるSi/Si接合の界面特性の評価

〇(B)山條翔二¹、森本雅史¹、梁剣波¹、重川直輝¹ (1.大阪市大工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P14-12] Pb(Zr,Ti)O₃薄膜と感光性樹脂の積層構造体作製とその評価

〇大久保昂¹ (1.兵庫県立大工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P14-13] ポリイミドを構造体兼接着剤として用いたマイクロ流体デバイスの作製法

〇小宮山凌平¹、近藤正大¹、宮下英俊¹、李相錫¹ (1.鳥取大学)

09:30 〜 11:30

[13a-P14-14] レチクルフリー露光装置を用いた不均一伸縮基板対応アライメント方式の複数回路への対応

〇刀根輝徳¹、長野聖央²、久保田弘¹、吉岡昌雄²、小坂光二³ (1.熊大院自, 2.熊大工, 3.TCK)

一般セッション(口頭講演)

[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:00 A29 (6A-204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[14a-A29-1] 光エッチングによる均一層厚を有する極薄SOIの形成

〇宮田優希¹、中向保徳¹、カッシア　チエミアゼヴェド¹、押鐘寧¹、川合健太郎¹、有馬健太¹、森田瑞穂¹ (1.阪大院工)

09:15 〜 09:30

[14a-A29-2] IBEを用いたfinミリングによるFinFETの特性ばらつき改善

〇松川貴¹、遠藤和彦¹、赤坂洋²、神谷保志²、池田真義²、恒川孝二²、中川隆史²、柳永勛¹、昌原明植¹ (1.産総研, 2.キヤノンアネルバ)

09:30 〜 09:45

[14a-A29-3] プラズマ後処理によって高い仕事関数を有する微結晶窒化チタン膜

〇出貝求¹、中山雅則¹、原田和宏¹、芦原洋司¹、金山健司¹ (1.(株)日立国際電気)

09:45 〜 10:00

[14a-A29-4] リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果

〇高橋恒太¹、黒澤昌志^1,²、池上浩³、柴山茂久^1,⁴、坂下満男¹、竹内和歌奈¹、中塚理¹、財満鎭明^1,⁵ (1.名大院工, 2.学振特別研究員（PD）, 3.九大院シス情, 4.学振特別研究員（DC）, 5.名大エコトピア)

10:00 〜 10:15

[14a-A29-5] n-ウェルの形成のためのGe基板上へのSb拡散

〇米田亮太¹、山本圭介²、中島寛² (1.九大・総合理工学府, 2.九大・産学連携センター)

10:15 〜 10:30

△ [14a-A29-6] ゲート絶縁膜耐圧不良のラマン分光法による原因評価

〇横川凌¹、富田基裕^1,³、水越俊和²、平野雄大²、草野健一郎²、佐々木克弘²、小椋厚志¹ (1.明治大理工, 2.ラピスセミコンダクタ宮城, 3.学振特別研究員DC)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[14a-A29-7] レーザーアニールによる高性能パワー素子のプロセス検討

〇陳訳¹、野口隆¹、マッツァムトフルビオ²、ヒュエットカリム² (1.琉球大学工, 2.スクリーンセミコンダクタ(株))

11:00 〜 11:15

[14a-A29-8] Si/SiO₂界面準位密度と製造環境における絶対湿度の相関

〇浅野均¹、居村史人¹、古賀和博¹、クンプアンソマワン^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ, 2.産総研)

11:15 〜 11:30

[14a-A29-9] ミニマル装置群で作製したpMOSインバータ

〇居村史人¹、浦伸吾²、北山侑司¹、古賀和博¹、浅野均¹、中戸克彦¹、クンプアンソマワン^1,³、原史朗^1,³ (1.ミニマルファブ, 2.ロジック・リサーチ, 3.産総研)

11:30 〜 11:45

[14a-A29-10] ミニマル液体ドーパントプロセスによるnMOSFET試作検討

〇古賀和博¹、居村史人¹、浅野均¹、クンプアンソマワン^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研)

11:45 〜 12:00

[14a-A29-11] ミニマル研削・研磨装置を用いたウェハ再生とそれを用いたMOSFET作製

〇梅山規男¹、谷島孝¹、浅野均¹、居村史人¹、中戸克彦¹、クンプアンソマワン^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[14p-A29-1~8] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年3月14日(土) 13:00 〜 15:00 A29 (6A-204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:00 〜 13:15

[14p-A29-1] 集光加熱FZ法によるハーフインチ径シリコン結晶成長

〇池田伸一^1,²、西村健史³、小澤哲也⁴、長澤亨³、高須誠一³、原史朗^1,² (1.産業技術総合研究所, 2.ミニマルファブ技術研究組合, 3.キヤノンマシナリー, 4.リガク)

13:15 〜 13:30

[14p-A29-2] ミニマル集光加熱炉における温度均一性の改善(II)

〇三浦典子¹、相澤洸^1,²、山田武史^1,²、伊藤孝宏^1,³、遠江栄希¹、池田伸一^1,⁴、石田夕起^1,⁴、三ケ原孝則¹、大西康弘^1,²、クンプアンソマワン^1,⁴、原史朗^1,⁴ (1.ミニマルファブ, 2.米倉製作所, 3.オリエンタルモーター, 4.産総研)

13:30 〜 13:45

[14p-A29-3] ミニマル抵抗加熱炉で形成した熱酸化膜の電気的特性（Ⅲ）

〇中戸克彦¹、居村史人¹、浅野均¹、鈴木真之佑^1,³、松田祥吾^1,³、柳沼綾美^1,³、森川清彦^1,³、服部昌^1,³、池田伸一^1,²、クンプアンソマワン^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産業技術総合研究所, 3.光洋サーモシステム)

13:45 〜 14:00

[14p-A29-4] ミニマルレーザ加熱装置の高速昇降温特性の評価

〇佐藤和重¹、遠江栄希¹、千葉貴史^1,³、寺田昌男^1,³、中戸克彦¹、三浦典子¹、池田伸一^1,²、クンプアンソマワン^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研, 3.坂口電熱)

14:00 〜 14:15

[14p-A29-5] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(4)

〇李寧¹、羽深等¹、三ケ原孝則²、池田伸一^2,³、石田夕起^2,³、原史朗^2,³ (1.横国大院工, 2.ミニマルファブ技術研究組合, 3.産総研)

14:15 〜 14:30

[14p-A29-6] コーティングカップ内の局所温度制御によるミニマルコーティング特性

〇奧田修史¹、武内翔^1,²、扇子義久^1,²、伊藤孝宏^1,³、クンプアンソマワン^1,⁴、原史朗^1,⁴ (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.リソテックジャパン, 3.オリエンタルモーター, 4.産総研)

14:30 〜 14:45

[14p-A29-7] ミニマル装置を使用したリソグラフィ工程の変動要因の解析

〇北山侑司¹、奥田修史¹、東野泰英¹、寶池広由¹、クンプアンソマワン^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研)

14:45 〜 15:00

[14p-A29-8] 局所クリーン化ミニマルPLADエア循環システム（Ⅳ）

〇谷島孝¹、安井政治¹、クンプアンソマワン^1,²、前川仁^1,²、原史朗^1,² (1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研)

セッション一覧

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[11a-A29-1~13] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [11a-A29-4] ナノシリコン弾道電子源を用いたCu薄膜のプリンティング堆積

△ [11a-A29-8] TSV Siアイランドの集積化に向けたDeep-Trenchへの酸化物埋め込み

[11p-A29-1~13] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [11p-A29-1] 触覚、摩擦、温度センサ集積人工電子皮膚

△ [11p-A29-2] 触覚と曲げに対する高い選択性を有した電子皮膚デバイス

△ [11p-A29-7] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討Ⅲ- 各種細菌の蛍光強度特性の時間依存性 -

▲ [11p-A29-8] Two-Dimensional Redox Imaging Employing Integrated Square Wave Voltammetric Pulse Generator Circuit

[12a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13a-P14-1~14] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [13a-P14-1] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化(Ⅱ)

▲ [13a-P14-3] First Trial Fabrication of Poly-Si TFTs using Crystallization-Induction Layers of Yttria-Stabilized Zirconia and Pulsed Laser Annealing Crystallization Methods

△ [13a-P14-4] ガラス基板上の自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT の制御性

△ [13a-P14-6] ガラス基板上の平面型メタルダブルゲート低温poly-Ge TFT

▲ [13a-P14-8] Finite element method simulation of three-terminal graphene NEMS switches

△ [13a-P14-11] SAB法によるSi/Si接合の界面特性の評価

△ [13a-P14-12] Pb(Zr,Ti)O3薄膜と感光性樹脂の積層構造体作製とその評価

△ [13a-P14-13] ポリイミドを構造体兼接着剤として用いたマイクロ流体デバイスの作製法

[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-A29-6] ゲート絶縁膜耐圧不良のラマン分光法による原因評価

[14p-A29-1~8] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

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△ [13a-P14-12] Pb(Zr,Ti)O₃薄膜と感光性樹脂の積層構造体作製とその評価