一般セッション(口頭講演)
[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09:00 〜 09:15
〇長川 健太1、 白石 賢二2,1、 押山 淳1 (1.名大未来研、2.名大院工)
09:15 〜 09:30
〇古塲 治朗1,2、 矢作 政隆1,2、 小池 淳一1 (1.東北大学、2.JX金属)
09:30 〜 09:45
〇廣木 正伸1、 谷保 芳孝1、 熊倉 一英1 (1.NTT物性研)
09:45 〜 10:00
〇川角 優斗1、 安井 悠人1、 柏木 行康2、 玉井 聡行2、 塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.大阪産業技術研)
10:00 〜 10:15
冨ケ原 一樹1、 和田 悠平1、 〇溝端 秀聡1、 野崎 幹人1、 吉越 章隆2、 細井 卓治1、 志村 考功1、 渡部 平司1 (1.阪大院工、2.原子力機構)
10:15 〜 10:30
〇溝端 秀聡1、 和田 悠平1、 野崎 幹人1、 細井 卓治1、 志村 考功1、 渡部 平司1 (1.阪大院工)
10:45 〜 11:00
〇平井 悠久1、 三浦 喜直1、 中島 昭1、 原田 信介1、 山口 浩1 (1.産総研)
11:00 〜 11:15
〇(M2)NAM KyungPil1、 石田 崇1,2、 Matys Maciej2、 上杉 勉2、 加地 徹2、 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来材料システム研究所)
11:15 〜 11:30
〇成田 哲生1、 伊藤 健治1、 冨田 一義2、 堀田 昌宏2、 菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.名古屋大)
11:30 〜 11:45
〇上野 勝典1、 田中 亮1、 高島 信也1、 江戸 雅晴1 (1.富士電機)
11:45 〜 12:00
〇武田 大樹1、 喜多 浩之1 (1.東大工)