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一般セッション(口頭講演)

[20p-S011-9~20] 17.2 グラフェン

2016年3月20日(日) 16:00 〜 19:00 S011 (南講義棟)

有江隆之(大阪府立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 16:15

[20p-S011-9] SiC劈開面の熱分解による異方性グラフェン成長

高崎友也¹、塩路淳¹、〇梶原隆司¹、 Visikovskiy Anton¹、田中悟¹ (1.九大院工)

16:15 〜 16:30

[20p-S011-10] SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関する第一原理分子動力学シミュレーション – 炭素鎖から二次元的構造の形成過程

〇小野裕己^1,4、山崎隆浩^2,4、奈良純^2,4、大野隆央^2,3,4 (1.高度情報、2.物材機構、3.東大生研、4.高効率電デバ)

16:30 〜 16:45

[20p-S011-11] Ir(111)/α-Al₂O₃(0001)基板上グラフェンのエピタキシャル成長および電気化学的転写

〇齋藤祐太¹、籾山佳貴¹、児玉英之¹、澤邊厚仁¹、黄晋二¹ (1.青学大理工)

16:45 〜 17:00

[20p-S011-12] 固相反応を用いた絶縁基板上への窒素ドープグラフェンの直接合成

〇杉浦孝俊¹、若松裕司¹、 Kalita Golap¹、種村眞幸¹ (1.名工大院工)

17:00 〜 17:15

△ [20p-S011-13] h-BN上へのグラフェン直接合成

〇(B)岡崎凌¹、生田昂¹、金井康¹、小野尭生¹、井上恒一¹、渡邊賢司²、谷口尚²、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

17:15 〜 17:30

[20p-S011-14] 高エネルギーイオン照射によるグラフェンへのヘテロ原子ドーピング

〇圓谷志郎¹、水口将輝²、渡邉英雄³、楢本洋¹、境誠司¹ (1.原子力機構先端基礎、2.東北大金研、3.九州大応力研)

17:30 〜 17:45

[20p-S011-15] グラフェンCVD成長における核発生と基板形状のin-situ観察

〇平良隆信¹、寺澤知潮²、小幡誠司³、斉木幸一朗^1,3 (1.東大理、2.筑波大数理、3.東大新領域)

17:45 〜 18:00

[20p-S011-16] 金属上の多層グラフェンのその場光学観察

〇加藤幹大¹、高橋惇郎¹、本間芳和¹、趙新為¹ (1.東理大理)

18:00 〜 18:15

[20p-S011-17] 銅触媒とCH₄プラズマを用いた酸化グラフェンからのグラフェン生成

〇小幡誠司¹、赤田圭史¹、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域)

18:15 〜 18:30

△ [20p-S011-18] Wキャップ層を用いた析出法により直接成長した多層グラフェンの結晶性向上に関する検討

〇山田純平¹、上田悠貴¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

18:30 〜 18:45

▲ [20p-S011-19] Optimization of CVD parameters for graphene synthesis through designs of experiments

〇(D)PAPON Remi¹、 PIERLOT Christel²、 SHARMA Subash¹、 SHINDE Sachin M.¹、 KALITA Golap¹、 TANEMURA Masaki¹ (1.Nagoya Instit. of Technol.、2.ENSCL)

18:45 〜 19:00

△ [20p-S011-20] プラズマCVDのグラフェン合成におけるガス残渣の影響

〇沖川侑揮^1,2、加藤隆一²、山田貴壽^1,2、石原正統^1,2、長谷川雅考^1,2 (1.産総研、2.TASC)

一般セッション(口頭講演)

[21a-S011-1~12] 17.2 グラフェン

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S011 (南講義棟)

影島愽之(島根大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-S011-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】高移動度グラフェンを用いたバリスティックかつコヒーレントな量子輸送現象の観測とその制御

〇森川生¹、増渕覚¹、守谷頼¹、渡邊賢司²、谷口尚²、 Dou Ziwei³、 Wang Shu-Wei³、 Smith Charles³、 Connolly Malcolm³、町田友樹^1,4,5 (1.東大生研、2.物材機構、3.Cambridge大Cavendish研、4.東大ナノ量子、5.CREST-JST)

09:15 〜 09:30

[21a-S011-2] 六方晶窒化ホウ素(hBN)/グラフェン/hBN構造におけるゼロ磁場中非局所抵抗

〇(PC)小松克伊^1,2、渡辺英一郎¹、津谷大樹¹、渡邊賢司¹、谷口尚¹、森山悟士¹ (1.物材機構、2.東工大)

09:30 〜 09:45

[21a-S011-3] 解離性イオン散乱を用いたグラフェンの弾性プローブ

〇持地広造¹、乾徳夫¹、盛谷浩右¹ (1.兵庫県立大院工)

09:45 〜 10:00

[21a-S011-4] グラフェン-分割リング共振器

〇鈴木哲¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

10:00 〜 10:15

[21a-S011-5] ゼーベック係数の欠陥状態・キャリア散乱依存性

〇安野裕貴¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大院工)

10:15 〜 10:30

[21a-S011-6] トポロジカル欠陥のある hBN 基板のグラフェンの伝導

〇金子智昭^1,2、大野隆央^1,2,3 (1.物質・材料研究機構、2.高効率電デバコンソ、3.東大生産研)

10:45 〜 11:00

[21a-S011-7] 電気化学的手法による単層グラフェン/Au(111)の物性評価

〇保田諭¹、熊谷諒太¹、中島浩司¹、村越敬¹ (1.北大理院)

11:00 〜 11:15

[21a-S011-8] グラフェン触媒を援用した水中でのGe表面エッチングの基礎検討

〇(M2)森大地¹、中出和希¹、佐藤慎祐¹、川合健太郎¹、森田瑞穂¹、有馬健太¹ (1.阪大院工)

11:15 〜 11:30

▲ [21a-S011-9] Facile preparation and thermoelectric properties of reduced graphene oxide

〇(DC)Veluswamy Pandiyarasan¹、 Masaya Wanami¹、 Selvaraj Shanthi¹、 Faiz Salleh²、 Jeyaram Archana¹、 Mani Navaneethan¹、 Yasuhiro Hayakawa¹、 Ikeda Hiroya¹ (1.Shizuoka Univ、2.Univ. of Malaya)

11:30 〜 11:45

[21a-S011-10] 酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導の起源

〇根岸良太¹、伊藤孝寛²、仲武昌史³、赤堀誠志⁴、渡辺義夫³、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.名大院工、3.あいちSRセンター、4.北陸先端大)

11:45 〜 12:00

[21a-S011-11] 水素終端処理したグラフェン／SiC(0001)におけるグラフェンの劣化
−電流通電が誘起した非常に遅い界面酸化−

〇前田文彦^1,2、高村真琴²、日比野浩樹^3,2 (1.福岡工大工、2.ＮＴＴ物性基礎研、3.関西学院大学理工)

12:00 〜 12:15

[21a-S011-12] グラフェン上金属微粒子の熱的挙動のその場観察

〇高橋惇郎¹、加藤大樹¹、籾内雄太¹、本間芳和¹ (1.東理大理)

一般セッション(口頭講演)

[21p-S011-1~20] 17.2 グラフェン

2016年3月21日(月) 13:45 〜 19:00 S011 (南講義棟)

神田晶申(筑波大)、佐藤信太郎(富士通研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[21p-S011-1] 歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンFETの制御における電子-フォノン散乱の影響

〇相馬聡文¹、笹岡健二¹、小川真人¹ (1.神戸大院工)

14:00 〜 14:15

[21p-S011-2] グラフェン共鳴トンネル電界効果トランジスタの素子性能解析

〇(M2)鈴木俊英¹、ムルガナタンマノハラン¹、水田博^1,2 (1.北陸先端大、2.サザンプトン大学)

14:15 〜 14:30

▲ [21p-S011-3] Triple Gate Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (TG-GNRFET)

〇(D)Hammam Ahmed Mohammed^1,3、 E. Schmidt Marek¹、 Muruganathan Manoharan¹、 Mizuta Hiroshi^1,2 (1.JAIST、2.Southampton Univ、3.Menia Univ)

14:30 〜 14:45

△ [21p-S011-4] h-BN/2層グラフェン/h-BNゲートスタック構造でのI_on/I_off向上

〇ウワンノーティーラユット¹、谷口尚²、渡邊賢司²、長汐晃輔^1,3 (1.東大、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

14:45 〜 15:00

△ [21p-S011-5] グラフェンFETにおける真性トランジスタパラメータ抽出用モデルの評価

〇(M1)満塩純希¹、玉虫元¹、菅原健太¹、佐藤昭¹、吹留博一¹、末光眞希¹、尾辻泰一¹ (1.東北大通研)

15:00 〜 15:15

△ [21p-S011-6] グラフェン光検出器の高感度化検討

〇嶋谷政彰¹、小川新平¹、藤澤大介¹、奥田聡志^1,2、金井康²、小野尭生²、松本和彦² (1.三菱電機、2.阪大産研)

15:15 〜 15:30

[21p-S011-7] Pdナノドット修飾グラフェンに水素が及ぼす影響

〇後藤瑛人¹、竹内豪¹、山知亮介¹、田中貴久¹、高橋綱己^1,2、内田建^1,2 (1.慶應大理工、2.JST CREST)

15:30 〜 15:45

[21p-S011-8] 自己加熱を利用したPd ナノドット修飾グラフェン・ガスセンサ

〇竹内豪¹、後藤瑛人¹、山口公平¹、山知亮介¹、田中貴久¹、高橋綱己^1,2、内田建^1,2 (1.慶應大理工電子工、2.JST CREST)

15:45 〜 16:00

[21p-S011-9] CVDグラフェンを用いた高感度ストレスセンサの開発

〇(B)植村孝平¹、生田昂²、小野尭生²、金井康²、井上恒一²、松本和彦²、前橋兼三¹ (1.農工大、2.阪大産研)

16:00 〜 16:15

△ [21p-S011-10] 糖鎖機能化グラフェンFETを用いたノイラミニダーゼ反応計測

〇(M1)鎌田果歩¹、小野尭生¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、渡邊洋平⁴、河原敏男⁵、鈴木康夫⁵、中北愼一⁶、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大、4.京都府立医大、5.中部大、6.香川大)

16:30 〜 16:45

[21p-S011-11] 太陽電池応用を目指したグラフェン透明導電膜のp形導電性制御

〇大矢智也¹、青山悠生¹、野本隆宏¹、石川亮佑¹、坪井望¹ (1.新潟大)

16:45 〜 17:00

△ [21p-S011-12] 酸化グラフェン電極の仕事関数制御と有機FETへの応用

〇(D)赤田圭史¹、小幡誠司¹、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域)

17:00 〜 17:15

[21p-S011-13] グラフェンの界面挿入による金属/p型SiCのオーミックコンタクト形成

〇藤井健志¹、佐藤まり子¹、稲本拓朗¹ (1.富士電機)

17:15 〜 17:30

[21p-S011-14] サスペンデッドグラフェンNEMS共振器の作製と評価

〇武市旺大¹、スンジアン¹、シュミットマレク¹、ムルガナタンマノハラン¹、水田博^1,2 (1.北陸先端大、2.サザンプトン大)

17:30 〜 17:45

[21p-S011-15] HIMを用いたサブ10 nm 幅サスペンデッドグラフェンナノリボンの作製

シュミットマレク¹、〇武市旺大¹、神崎晃悠¹、小川真一²、水田博^1,3 (1.北陸先端大、2.産総研、3.サザンプトン大)

17:45 〜 18:00

△ [21p-S011-16] グラフェン量子ドットにおける近藤効果の観測

〇金井康¹、生田昂¹、小野尭生¹、大野恭秀^2,1、前橋兼三^3,1、井上恒一¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

18:00 〜 18:15

[21p-S011-17] グラフェン-超伝導体接触界面形成に対する金属薄膜微細構造の影響

〇津村公平¹、平林元樹¹、大杉正樹¹、渡辺英一郎²、津谷大樹²、高柳英明³ (1.東理大理、2.NIMS微細加工プラットフォーム、3.東理大総研)

18:15 〜 18:30

[21p-S011-18] グラフェンナノリボン移動度のエッジ揺らぎおよびリボン幅依存性のモンテカルロシミュレーション

〇伊藤直人¹、三澤太一¹、粟野祐二¹ (1.慶大理工)

18:30 〜 18:45

△ [21p-S011-19] 弱く結合したジグザグ端ナノリボン列の電子状態解析

〇(B)橋本風渡¹、森伸也¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大工)

18:45 〜 19:00

△ [21p-S011-20] 高配向ボトムアップ・グラフェンナノリボンアレイの電荷輸送特性

〇(PC)大伴真名歩¹、関根佳明¹、日比野浩樹^1,2、山本秀樹¹ (1.NTT物性研、2.関西学院大)

一般セッション(口頭講演)

[22a-S011-1~16] 17.2 グラフェン

2016年3月22日(火) 09:00 〜 13:15 S011 (南講義棟)

前橋兼三(農工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[22a-S011-1] 酸化グラフェンのエタノール中超高温加熱処理で生成したグラフェンの積層構造解析

〇(B)疋田裕也¹、石田俊¹、篠田佳彦²、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.若狭湾エネ研)

09:15 〜 09:30

△ [22a-S011-2] VUV光による酸化グラフェンへの窒素ドーピング

〇(M1)曽我正寛¹、屠宇迪¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

09:30 〜 09:45

[22a-S011-3] 多層酸化グラフェン還元体の電気特性評価

〇屠宇迪¹、中元宏¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

09:45 〜 10:00

▲ [22a-S011-4] Stabilization of alloy nanoparticles on reduced graphene oxide for catalytic application: Utilization of graphene oxide as a capping agent

〇Muttaqin Muttaqin¹、 Nakamura Takahiro¹、 Sato Shunichi¹ (1.Tohoku Univ.)

10:00 〜 10:15

[22a-S011-5] Pt表面上における酸化グラフェンの界面選択還元

〇(B)本間弘樹¹、小幡誠司²、斉木幸一朗²、藤川安仁¹ (1.弘前理工、2.東大新領域)

10:15 〜 10:30

▲ [22a-S011-6] Influence of Cu crystallographic orientations on graphene anisotropic etching

〇(D)Sharma Kamal Prasad、 Kalita Golap¹、 Tanemura Masaki¹ (1.Nagoya Inst. Technol.)

10:30 〜 10:45

△ [22a-S011-7] 脱炭酸的アリール化によるグラフェン量子ドットの可溶化と発光色の制御

〇小田一磨¹、廣戸聡¹、忍久保洋¹ (1.名大院工)

10:45 〜 11:00

[22a-S011-8] 【注目講演】グラフェンサンドイッチ構造を利用した液体の透過型電子顕微鏡観察手法の開発と応用

〇(DC)佐々木祐生¹、北浦良¹、 Yuk Jong Min²、 Zettl Alex²、篠原久典¹ (1.名大院理、2.UCBA)

11:15 〜 11:30

[22a-S011-9] TMDCによる多結晶グラフェンのグレイン構造の可視化

〇深町悟¹、遠藤寛子¹、 Rozan Mohamad Yunus²、辻正治³、吾郷浩樹^1,2,4 (1.九大先導研、2.九大院総理工、3.九大炭素センター、4.JSTさきがけ)

11:30 〜 11:45

[22a-S011-10] ロジウム-二硫化モリブデン-グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究

〇楊順涵¹、有月琢哉¹、高嶋和也¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大学)

11:45 〜 12:00

[22a-S011-11] ゲート制御型端選択的光酸化によるグラフェンナノリボン形成

松本守広¹、〇野内亮¹ (1.阪府大21機構)

12:00 〜 12:15

[22a-S011-12] in-situ 水素アニールによるグラフェンのダメージ修復評価

〇岩下晋也¹、ムルガナタンマノハラン¹、シュミットマレク¹、水田博^1,2 (1.北陸先端大、2.サザンプトン大)

12:15 〜 12:30

[22a-S011-13] エピタキシャルグラフェン上の吸着水層

〇中村晃大¹、有月琢哉¹、高嶋和也¹、永濱拓也¹、北岡誠¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大工)

12:30 〜 12:45

[22a-S011-14] CVD法により形成したSiC(3x3)界面層上グラフェンの電子状態

〇梶原隆司¹、林真吾¹、 Visikovskiy Anton¹、飯盛拓嗣²、小森文夫²、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研)

12:45 〜 13:00

[22a-S011-15] SiCファセット上サブ2次元グラフェンの構造制御

〇福間洸平¹、林真吾¹、梶原隆司¹、 Visikovskiy Anton¹、飯盛拓嗣²、家永紘一郎²、矢治光一郎²、中辻寛²、小森文夫²、田中宏和³、神田晶申³、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研、3.筑波大)

13:00 〜 13:15

[22a-S011-16] グラフェン上の大気由来吸着物

〇日比野浩樹^1,2、小川友以²、高村真琴²、 Wang Shengnan²、関根佳明²、赤石暁³、中村淳³ (1.関学大理工、2.NTT物性基礎研、3.電通大院先進理工)

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