一般セッション(口頭講演)

[20a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 E302 (E302)

加藤有行(長岡技科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-E302-1] 陽極側に形成した CeO ₂が直流 EL の素子特性に及ぼす影響

〇柳原邦俊¹、三浦登¹ (1.明治大)

09:15 〜 09:30

[20a-E302-2] 亜酸化銅を用いた直流 EL 素子からの低電圧発光

〇柳原邦俊¹、村上健太¹、三浦登¹ (1.明治大)

09:30 〜 09:45

[20a-E302-3] 電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善

〇(M1)中村励志^1,2、藤川紗千恵³、前田哲利¹、遠藤聡²、藤代博記²、平山秀樹¹ (1.理化学研究所、2.東京理科大学、3.東京電気大学)

09:45 〜 10:00

[20a-E302-4] 埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL

〇(M2)飯田涼介¹、村永亘¹、上島佑介¹、岩山章¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大)

10:00 〜 10:15

[20a-E302-5] 面発光レーザの応用へ向けたArプラズマ照射による窒化物半導体トンネル接合電流狭窄構造

〇小田原麻人¹、不破綾太¹、清原一樹¹、岩山章¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、上山智¹、赤崎勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター)

10:15 〜 10:30

▲ [20a-E302-6] High-speed Double Transverse Coupled Cavity VCSELs

〇(D)Hameeda Ibrahim^1,2、 Fumio Koyama¹、 M Ahmed² (1.Tokyo Institute of Technology、2.Minia University, Egypt)

10:30 〜 10:45

▲ [20a-E302-7] High power, high speed pulse generation of VCSEL amplifier

〇(D)Ahmed MohamedAhmed Hassan¹、 M. Ahmed²、 M Nakahama、 F Koyama (1.Tokyo tech.、2.El-Menia Univ.)

10:45 〜 11:00

[20a-E302-8] 中赤外光を発する面発光型量子カスケードレーザのモード特性

〇橋本玲¹、岡田直忠¹、角野努¹、山本雄一郎¹、金子桂¹、斎藤真司¹、迫田和彰² (1.東芝生産技術センター、2.物質・材料研究機構)

11:00 〜 11:15

[20a-E302-9] 量子カスケードレーザにおける放熱構造の伝熱特性評価

〇角野努¹、橋本玲¹、金子桂¹、高木茂行²、斎藤真司¹ (1.東芝生産技術センター、2.東京工科大)

11:15 〜 11:30

[20a-E302-10] 面発光型量子カスケードレーザのための利得・導波特性評価

〇斎藤真司¹、角野努¹、金子桂¹、橋本玲¹、山本雄一郎¹、岡田直忠¹、迫田和彰² (1.東芝生産技術センター、2.物質・材料研究機構)

11:30 〜 11:45

[20a-E302-11] フェムト秒レーザー励起したBi₂Te₃/Teストライプ構造から放射されるテラヘルツ波偏光特性

〇村上史和¹、芹田和則¹、村上博成¹、 Dalipi Rea¹、 Urbas A.²、 Materna A.³、 Buza M.³、 Pawlak D.³、斗内政吉¹、川山巌¹ (1.阪大レーザー研、2.AFRL, USA、3.ITME, Poland)

11:45 〜 12:00

[20a-E302-12] ゲルマニウムにおける励起電子系の超高速緩和動力学：エネルギー・運動量空間におけるバレー間散乱の重要性

〇金崎順一¹、山本勇²、東純平²、深津晋³、 Sjakste Jelena⁴、 Vast Nathalie⁴ (1.大阪市大院工、2.佐賀大、3.東大院総合文化、4.Ecole Polytechnique)

12:00 〜 12:15

△ [20a-E302-13] InP厚膜における楕円偏光Z-scan法による3次非線形感受率テンソル実部の測定精度向上の検討

〇大原欣也¹、西部壮眞¹、松末俊夫¹、坂東弘之¹ (1.千葉大院・融合理工)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E302-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:15 E302 (E302)

七井靖(青学大)、舘林潤(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[20p-E302-1] ペロブスカイトCsPb(Br_1−xI_x)₃ナノ結晶の蛍光特性の決定因子の探求

〇宮田新平¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

14:00 〜 14:15

△ [20p-E302-2] 光劣化したペロブスカイトCsPbBr₃ ナノ結晶の自己回復メカニズム

〇城所宏次¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

14:15 〜 14:30

[20p-E302-3] シリカ被覆CsPbBr₃ ペロブスカイトナノ結晶包埋コンポジット膜の光安定性

〇多喜和弘¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

14:30 〜 14:45

△ [20p-E302-4] CsPbBr₃ペロブスカイトナノ結晶分散液の耐熱性にリガンドが与える影響

〇佐藤大地¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

14:45 〜 15:00

[20p-E302-5] 無機ペロブスカイト量子ドットの発光効率の水処理効果と過渡吸収測定による途中過程の確認

〇森滉騎¹、古部昭広¹、 Chen Shih-Hsuan²、 Chen Liang-Yih² (1.徳島大学、2.台湾科技大)

15:00 〜 15:15

[20p-E302-6] コア／シェル型CuInS₂/ZnS量子ドットのリガンド交換とインクの調製

〇白石萌々¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹、瀬下武広²、廖曰淳²、野田国宏²、塩田大² (1.慶大理工、2.東京応化工業)

15:15 〜 15:30

[20p-E302-7] CuInS₂/ZnS量子ドット蛍光膜の単結晶シリコン太陽電池への応用

〇中村悠人¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

15:30 〜 15:45

[20p-E302-8] 酢酸亜鉛を原料として用いたZn(Te_1-xSe_x)量子ドットの合成と光学特性

〇佃諭志¹、小俣孝久¹ (1.東北大多元研)

16:00 〜 16:15

[20p-E302-9] 可変ストライプ長法によるInGaAs量子ドットの時間分解発光分光

〇大竹章久¹、樋浦諭志¹、高山純一¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

16:15 〜 16:30

△ [20p-E302-10] pドープInGaAs量子ドットの励起準位における電子スピンダイナミクス

〇佐藤紫乃¹、中村裕人¹、樋浦諭志¹、高山純一¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

16:30 〜 16:45

[20p-E302-11] 高密度InAs量子ドット層における欠陥起因の励起子発光マッピング

〇立木象¹、杉山涼¹、山口浩一¹ (1.電通大基盤理工)

16:45 〜 17:00

△ [20p-E302-12] (Y:Yb)AGにおける高温でのanti-Stokes発光増強メカニズム

〇(D)中山雄太¹、原田幸弘¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

17:00 〜 17:15

△ [20p-E302-13] スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加ZnOナノワイヤ構造の作製とEu発光特性

〇三品匡央¹、舘林潤¹、中島徳仁¹、市川修平¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

17:15 〜 17:30

[20p-E302-14] Tm,Yb共添加ZnOナノワイヤ構造におけるダウンコンバージョン挙動の観測

〇館林潤¹、中島徳仁¹、三品匡央¹、 Timmerman Dolf¹、市川修平¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

17:30 〜 17:45

△ [20p-E302-15] Eu添加GaN薄膜におけるモード利得の遷移種依存性

〇前田将吾¹、市川修平¹、舘林潤¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

17:45 〜 18:00

▲ [20p-E302-16] Excitation dynamics and efficiency of luminescence of Eu in GaN

〇Dolf Timmerman¹、 Masaaki Ashida¹、 Shuhei Ichikawa¹、 Jun Tatebayashi¹、 Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

18:00 〜 18:15

△ [20p-E302-17] 高共振器Q値実現に向けたEr,O共添加GaAsマイクロディスクの作製プロセスの検討

〇東諒磨¹、小川雅之¹、舘林潤¹、市川修平¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年9月21日(土) 09:00 〜 12:15 E302 (E302)

篠崎健二(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-E302-1] Ba(Si,Al)₇(O,N)₁₀:Eu,Liの白色発光

〇武田隆史¹、舟橋司朗¹、解栄軍²、広崎尚登¹ (1.物材機構、2.厦門大)

09:15 〜 09:30

[21a-E302-2] 新規Eu付活Sr-B-Al-Si-N赤色蛍光体の合成，結晶構造と発光特性

〇吉村文孝¹、山根久典² (1.三菱ケミカル(株)、2.東北大多元研)

09:30 〜 09:45

[21a-E302-3] 水溶液合成プロセスを用いて合成したEu²⁺賦活オルソシリケート蛍光体の発光特性に対するカチオン組成の影響

〇佐藤泰史¹、保田理子¹、富田恒之²、岡島敏浩³、垣花眞人⁴ (1.岡山理大理、2.東海大理、3.九州シンクロトロン、4.東北大多元研)

09:45 〜 10:00

[21a-E302-4] 橙赤色発光を示すYAG:Ce蛍光体の構造解析

〇中村仁美¹、野村勝裕¹、星川晃範²、篠崎健二¹、赤井智子¹ (1.産総研、2.茨城大)

10:00 〜 10:15

[21a-E302-5] 青色レーザー励起照明用Ce³⁺:Y₃Al₅O₁₂コンポジットセラミック蛍光体

〇矢ケ崎健太¹、藤岡加奈¹、藤寛¹、峯本尚¹、山本和久¹ (1.大阪大工)

10:15 〜 10:30

[21a-E302-6] Eu 賦活ストロンチウムアルミネート赤色蛍光体の発光特性

〇大串叡壮¹、中村俊博¹ (1.法政大理工)

10:30 〜 10:45

[21a-E302-7] KSrPO₄及びKBaPO₄におけるEuイオンに対する熱還元と光還元のEu濃度依存性

〇蔦将哉¹、中村奨²、加藤有行¹ (1.長岡技科大工、2.長岡高専)

10:45 〜 11:00

△ [21a-E302-8] YSiO₂Nが有する低/高対称性Y³⁺サイト中におけるEu³⁺の⁵D₀→⁷F₂電気双極子遷移確率の評価

〇北川裕貴¹、上田純平¹、田部勢津久¹ (1.京大院人環)

11:00 〜 11:15

[21a-E302-9] LaInO₃:Eu³⁺エピタキシャル薄膜のPL特性

〇(P)押目典宏¹、植田和茂²、高島浩¹ (1.産総研、2.九工大院工)

11:15 〜 11:30

[21a-E302-10] 層状酸塩化物AE₃Sc₂O₅Cl₂:Eu (AE = Sr, Ba)の蛍光特性

〇岩佐祐希¹、高田芙美^1,2、西尾太一郎²、龍田誠³、岸尾光二^3,1、辻本吉廣⁴、柳田健之⁵、荻野拓¹ (1.産総研、2.東京理科大、3.東大、4.物材研、5.奈良先端大)

11:30 〜 11:45

△ [21a-E302-11] 蛍光強度の膜厚依存性によるCa_0.6Sr_0.4TiO₃:Pr³⁺膜の紫外光侵入長測定

〇(P)押目典宏¹、高島浩¹ (1.産総研)

11:45 〜 12:00

△ [21a-E302-12] Er/Yb添加YAlO₃蛍光微粉体の合成と特性評価

〇(M2)川原宏樹¹、古瀬裕章¹、藤岡加奈² (1.北見工大、2.大阪大学)

12:00 〜 12:15

[21a-E302-13] 近赤外広帯域光源用Pr³⁺添加GeO₂系酸フッ化物ガラス蛍光体の開発

〇(D)西村政哉¹、七井靖¹、黄晋二¹、渕真悟¹ (1.青学大)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB3-1~25] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB3 (第二体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[19a-PB3-1] α-SiAlON蛍光体の欠陥準位の光学的検出

〇田中雄也¹、鎌田憲彦¹ (1.埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-2] SrAl₂O₄:Eu,Dy長残光蛍光体における輻射および無輻射遷移過程

〇有江奈緒子¹、太田孔勇¹、堀佑斗¹、深田晴己¹、山口敦史¹ (1.金工大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-3] 水熱合成した賦活剤添加 Na₃Al₂(PO₄)₂F₃の蛍光特性

〇浮田治基¹、安田真理¹、佐俣博章¹ (1.神戸大海事)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-4] Cr³⁺,Cr⁴^＋共添加Mg₂SiO₄の近赤外広帯域発光に及ぼす焼成条件の影響

〇(M2)石田亮太¹、卜部佑貴¹、西村政哉¹、七井靖¹、渕真悟¹ (1.青学大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-5] 発光層低抵抗化へ向けたTiO₂:Sm:Nbの評価

〇(M1)佐藤賢治¹、関蘇軍¹、趙新為¹、小室修二² (1.東理大理、2.東洋大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-6] 波長変換ナノ粒子 ZnSe/ZnS:Mn/ZnS の付加による太陽電池特性の向上

〇西村悠陽¹、前川貴哉¹、高木知己²、祖父江進²、川井正一²、長谷川順²、金大貴¹ (1.阪市大院工、2.株式会社デンソー)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-7] Si，Eu共添加AlN薄膜の励起発光スペクトル

〇(M1)粕谷駿人¹、森本一総¹、岩出和也¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-8] リン（P）ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

〇秋山賢輔^1,2、野島咲子¹、高橋亮¹、舟窪浩² (1.神奈川産技総研、2.東工大物質理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-9] 非晶質・ナノ結晶SiC含有シリコン酸化膜の光学特性のSi，C添加量及び熱処理温度依存性

〇(M2)成松伶¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-10] Ca_0.6Sr_0.4Ti_0.9Al_0.1O_3-_d:Pr薄膜のエレクトロルミネッセンスにおけるPr³⁺イオンの再結合中心としての役割

〇京免徹¹、高島浩² (1.群馬大理工、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-11] BaTiO₃微粒子分散P(VDF/TrFE)薄膜を有する分散型ELの作製と評価

〇横田与貴^1,2、長澤康平^1,2、佐藤歩^1,2、中村佑太^1,2、新井公大^1,2、深田晴己^1,2、山口敦史^1,2 (1.金沢工大、2.光電相互変換デバイスシステム研究開発センター)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-12] クエン酸由来カーボン・ナノコンポジット蛍光体からの長波長発光とアミン添加効果

〇小川駿哉¹、庵地大介¹、加藤有行¹ (1.長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-13] 分散媒がフェニレンジアミン誘導カーボンドットの蛍光特性に与える影響

〇佐藤里奈¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-14] p-フェニレンジアミン誘導カーボンドットの表面修飾が蛍光特性に与える影響

〇佐藤康平¹、佐藤里奈¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-15] 三酸化モリブデンとコアシェル量子ドット薄膜の表面粗さ改善

〇鎌田侑¹、大谷直毅¹ (1.同大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-16] 塗布製膜した青色発光材料Cs₃Cu₂I₅薄膜の光物性

〇佐野翔一¹、永瀬隆^1,2、小林隆史^1,2、内藤裕義^1,2 (1.大阪府大、2.大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-17] CuInS2 ナノ粒子高密度集積膜の発光ダイナミクス

〇(M2)奥山覚史¹、横井凜¹、濱中泰¹、葛谷俊博² (1.名工大院、2.室工大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-18] CuInS₂ナノ粒子分散ポリマー薄膜の低温分光評価

〇(M1)横井凜¹、奥山覚史¹、濱中泰¹、葛谷俊博² (1.名工大、2.室工大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-19] CH₃NH₃PbBr₃単結晶における励起子スピンダイナミクス

〇五十嵐菜々子¹、坂口舜一¹、雪上直輝¹、音賢一¹、金光義彦²、山田泰裕¹ (1.千葉大理、2.京大化研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-20] CdSeナノプレートレットを入れた微小共振器の作製とその光学特性評価

〇細川拓哉¹、永木健太¹、小田勝¹、近藤久雄² (1.九工大院工、2.愛媛大院理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-21] 放射線検出器に向けたTlBr結晶の誘電率スペクトルと光学遷移

〇北野稜汰¹、沈用球¹、脇田和樹²、 Mamedov Nazim³、石川真人⁴、小野寺敏幸⁵、庄司忠良⁵、望月勝美⁵ (1.阪府大院工、2.千葉工大工、3.アゼルバイジャン科学アカデミー、4.千葉大理、5.東北工大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-22] TlBr結晶のPLとラマン特性

〇(M2)高橋直¹、安井祐人¹、脇田和樹¹、沈用球²、マメドフナジム³、石川真人⁴、小野寺敏幸⁵、庄司忠良⁵、望月勝美⁵ (1.千葉工大、2.阪府大院工、3.アゼルバイジャン科学アカデミー、4.千葉大理、5.東北工大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-23] 希土類酸化物薄膜のフェムト秒時間分解分光

〇山出拓史¹、山本卓²、岡大地²、神永健一²、福村知昭²、金井輝人³、石井順久³、板谷治郎³、牧野哲征¹ (1.福井大工、2.東北大理、3.東京大物性研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-24] CaF₂/Siヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの作製プロセス

〇(M2)鄭源宰¹、劉龍¹、小柳陽平¹、渡辺正裕¹ (1.東工大工学院)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-25] ナノサイズのレーザ照射痕によるシリコン表面の反射抑制

坂手俊介¹、鈴木智貴¹、〇斉藤光徳¹ (1.龍谷大理工)

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[20a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

▲ [20a-E302-6] High-speed Double Transverse Coupled Cavity VCSELs

▲ [20a-E302-7] High power, high speed pulse generation of VCSEL amplifier

△ [20a-E302-13] InP厚膜における楕円偏光Z-scan法による3次非線形感受率テンソル実部の測定精度向上の検討

[20p-E302-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [20p-E302-2] 光劣化したペロブスカイトCsPbBr3 ナノ結晶の自己回復メカニズム

△ [20p-E302-4] CsPbBr3ペロブスカイトナノ結晶分散液の耐熱性にリガンドが与える影響

△ [20p-E302-10] pドープInGaAs量子ドットの励起準位における電子スピンダイナミクス

△ [20p-E302-12] (Y:Yb)AGにおける高温でのanti-Stokes発光増強メカニズム

△ [20p-E302-13] スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加ZnOナノワイヤ構造の作製とEu発光特性

△ [20p-E302-15] Eu添加GaN薄膜におけるモード利得の遷移種依存性

▲ [20p-E302-16] Excitation dynamics and efficiency of luminescence of Eu in GaN

△ [20p-E302-17] 高共振器Q値実現に向けたEr,O共添加GaAsマイクロディスクの作製プロセスの検討

[21a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [21a-E302-8] YSiO2Nが有する低/高対称性Y3+サイト中におけるEu3+の5D0→7F2電気双極子遷移確率の評価

△ [21a-E302-11] 蛍光強度の膜厚依存性によるCa0.6Sr0.4TiO3:Pr3+膜の紫外光侵入長測定

△ [21a-E302-12] Er/Yb添加YAlO3蛍光微粉体の合成と特性評価

[19a-PB3-1~25] 13.8 光物性・発光デバイス

認証

△ [20p-E302-2] 光劣化したペロブスカイトCsPbBr₃ ナノ結晶の自己回復メカニズム

△ [20p-E302-4] CsPbBr₃ペロブスカイトナノ結晶分散液の耐熱性にリガンドが与える影響

△ [21a-E302-8] YSiO₂Nが有する低/高対称性Y³⁺サイト中におけるEu³⁺の⁵D₀→⁷F₂電気双極子遷移確率の評価

△ [21a-E302-11] 蛍光強度の膜厚依存性によるCa_0.6Sr_0.4TiO₃:Pr³⁺膜の紫外光侵入長測定

△ [21a-E302-12] Er/Yb添加YAlO₃蛍光微粉体の合成と特性評価