〇(B)GEONWOO KIM¹, Shijie Ma¹, Ryo Arai¹, Mitsuo Okamoto², Shinsuke Harada², Takahiro Makino³, Takeshi Ohshima³, Takahide Umeda¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST, 3.JAEA)

11:30 〜 11:45

[13a-B4-10] SiO₂/SiC MOS 構造における伝導帯端近傍の界面特性Ⅱ

〇竹内和歌奈¹、山本建策²、坂下満男¹、金村髙司²、中塚理¹、財満鎭明^1,³ (1.名大院工, 2.(株)デンソー, 3.名大エコトピア)

一般セッション(口頭講演)

[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

2015年3月13日(金) 16:15 〜 18:30 B4 (6B-104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:15 〜 16:30

△ [13p-B4-1] 種々の温度における容量の過渡応答(C-t特性)に基づくSiC MOS界面近傍の膜中トラップ密度の定量化

〇藤野雄貴¹、菊地リチャード平八郎¹、喜多浩之^1,² (1.東大院工, 2.JSTさきがけ)

16:30 〜 16:45

△ [13p-B4-2] 低温酸素アニールによるSiO₂/4H-SiC(0001)界面準位密度の増減機構の理解と制御

〇菊地平八郎¹、喜多浩之² (1.東大院工, 2.JST　さきがけ)

16:45 〜 17:00

△ [13p-B4-3] ４H-SiC面内MOSFET上のdry酸化界面における電界効果移動度と実効移動度の乖離

〇平井悠久¹、喜多浩之^1,² (1.東大院工, 2.JSTさきがけ)

17:00 〜 17:15

[13p-B4-4] 4H-SiC MOSFETにおけるチャネル移動度の面方位及びチャネル方向に対する異方性の系統的評価

〇有吉恵子^1,²、飯島良介²、原田信介^1,³、児島一聡^1,³、先崎純寿^1,³、田中保宣^1,³、高尾和人²、四戸孝^1,² (1.FUPET, 2.東芝, 3.産総研)

17:15 〜 17:30

[13p-B4-5] SiCのTDDB理論

〇南眞嗣¹ (1.フェニテック)

17:30 〜 17:45

△ [13p-B4-6] 4H-SiC MOSFETの高温ドレインバイアス試験における故障メカニズム解析

〇内田光亮¹、日吉透¹、西口太郎¹、山本裕史¹、松川真治¹、古米正樹¹、御神村泰樹¹ (1.住友電気工業)

17:45 〜 18:00

△ [13p-B4-7] NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性

〇勝義仁¹、細井卓治¹、南園悠一郎²、木本恒暢²、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工, 2.京大院工)

18:00 〜 18:15

[13p-B4-8] I-V特性から見たSiC-MOSFETストレス劣化の特徴

〇村上英一¹、清水宥喜¹、米村望努¹、原陽平¹ (1.九産大工)

18:15 〜 18:30

[13p-B4-9] ゲートバイアス印加を伴うSiC MOSFETへのガンマ線照射効果

〇村田航一^1,²、三友啓^1,²、松田拓磨^1,²、横関貴史^1,²、牧野高紘²、阿部浩之²、小野田忍²、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、大島武²、土方泰斗¹ (1.埼玉大学, 2.日本原子力機構, 3.サンケン電気)

一般セッション(口頭講演)

[14a-B4-1~13] 15.6 IV族系化合物

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:30 B4 (6B-104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [14a-B4-1] 量子分子動力学シミュレーションによるSiCエッチングプロセスにおける化学反応ダイナミクスの解明

〇(D)伊藤寿¹、桑原卓哉¹、樋口祐次¹、尾澤伸樹¹、久保百司¹ (1.東北大院工)

09:15 〜 09:30

△ [14a-B4-2] 4H-SiCの電気化学エッチングにおけるサイドエッチングの異方性

〇山下尚人¹、佐藤孝亮²、木本恒暢²、須田淳² (1.京大工, 2.京大院工)

09:30 〜 09:45

[14a-B4-3] TaC/Ta複合材を用いたSiCトレンチ基板のキャップフリーアニール

〇矢吹紀人¹、鳥見聡¹、野上暁¹、金子忠昭² (1.東洋炭素(株), 2.関西学院大理工)

09:45 〜 10:00

[14a-B4-4] 大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理の冷却速度制御による4H-SiC中Pの高効率活性化

〇(M2)丸山佳祐¹、花房宏明¹、林将平¹、村上秀樹¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

10:00 〜 10:15

[14a-B4-5] 表面に堆積したAl薄膜へのレーザ照射による4H-SiCへのp型ドーピング

〇池田晃裕¹、角名陸歩¹、池上浩¹、浅野種正¹ (1.九州大学)

10:15 〜 10:30

[14a-B4-6] 液体窒素中でのSiC基板へのレーザー照射

〇宮川鈴衣奈¹、中川崇寛¹、江龍修¹ (1.名工大)

10:30 〜 10:45

[14a-B4-7] Ti電極とTiC電極のSiCショットキーダイオードの電気特性評価

〇(B)鈴木智之¹、岡本真里²、宗清修²、角嶋邦之²、片岡好則²、西山彰²、杉井信之²、若林整²、筒井一生²、名取研二¹、岩井洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[14a-B4-8] SiO₂注入マスクを用いた6インチ基板上の高エネルギーイオン注入技術開発

〇堀井拓¹、久保田良輔¹、和田圭司¹、田中聡¹、関口剛¹、御神村泰樹¹ (1.住友電気工業(株))

11:15 〜 11:30

[14a-B4-9] 3.3 kV 4H-SiC MOSFETの作製と特性評価

〇酒井光彦¹、内田光亮¹、日吉透¹、和田圭司¹、古米正樹¹、築野孝¹、御神村泰樹¹ (1.住友電気工業)

11:30 〜 11:45

△ [14a-B4-10] Investigation of SiC MOSFETs with 3C/4H Different Poly-Type Junctions

〇Munetaka Noguchi¹, Toshiaki Iwamatsu¹, Naruhisa Miura¹, Shuhei Nakata¹, Satoshi Yamakawa¹ (1.Mitsubishi Electric Corp.)

11:45 〜 12:00

[14a-B4-11] 3.3 kV級SiC-MOSFETに適用するFLR型終端構造

〇海老原洪平^1,²、富永貴亮^1,²、濱田憲治¹、日野史郎^1,²、渡邊寛^1,²、三浦成久¹、中田修平^1,²、山川聡^1,² (1.三菱電機, 2.FUPET)

12:00 〜 12:15

△ [14a-B4-12] 超高耐圧4H-SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定

〇(DC)丹羽弘樹¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

12:15 〜 12:30

[14a-B4-13] 新しいユニポーラ動作SiCダイオード

〇谷本智¹、上岡健一¹、藤田高弥¹、児島一聡²、牧野俊春³、山崎聡³ (1.日産アーク・要素解析, 2.産総研・先進パワエレ, 3.産総研・エネ部門)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[11p-P2-1~15] 15.6 IV族系化合物

△ [11p-P2-15] SAB法による4H-SiC/Si HBT構造における少数キャリア注入特性

[12a-B4-1~10] 15.6 IV族系化合物

△ [12a-B4-6] 12 mA/W の光電流を示す水分解用 SiC

△ [12a-B4-8] 様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール効果の温度依存性

△ [12a-B4-10] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた交流バイアス印加によるSiC-DMOSFET断面におけるキャリア分布のゲート電圧依存性の解析

[13a-B4-1~10] 15.6 IV族系化合物

△ [13a-B4-7] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出

▲ [13a-B4-9] Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR) Study on Interface Defects in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semi-conductor Field Effect Transistors