一般セッション(口頭講演)

[17a-B5-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 09:15 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

△ [17a-B5-1] 量子分子動力学法に基づくフルオロカーボンラジカルによるSiO₂エッチングプロセスの解明

^○（D）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

09:30 〜 09:45

[17a-B5-2] SOG溶液を用いた塗布ゲート酸化膜の低温作製

^○臼田亮，野崎眞次，内田和男 (電通大)

09:45 〜 10:00

△ [17a-B5-3] スピンオングラスおよびCO₂レーザーアニールを用いた多結晶シリコン薄膜上へのSiO₂薄膜形成

^○菱谷大輔¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，渡辺陽介³，池上浩³，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，科学技術振興機構²，九大³)

10:00 〜 10:15

▲ [17a-B5-4] Silicon Surface oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma

鮫島俊之，蓮見真彦，吉冨真也，中村友彦，^○（B）滋野聖 (東京農工大)

10:15 〜 10:30

[17a-B5-5] Si酸化膜正孔トラップ密度のSi面方位依存性

^○（M2）梅田啓介^1,3，岡田啓太郎^2,3，小林大輔³，野平博司¹，廣瀬和之³ (東京都市大工¹，早稲田大²，宇宙研³)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

▲ [17a-B5-6] Evaluation of Interface State Density of Strained-Si MOS Interfaces by Conductance Method

^○蔡偉立，竹中充，高木信一 (東大院工)

11:00 〜 11:15

△ [17a-B5-7] MONOS型メモリに特有な界面準位生成/回復現象とその起源

^○藤井章輔，佐久間究 (東芝)

11:15 〜 11:30

[17a-B5-8] 分子軌道法を用いた絶縁破壊電界推定法の考察

^○若尾周一郎^1,3，関洋^2.3，小林大輔³，山本知之¹，泰岡顕示²，廣瀬和之³ (早大工¹，慶応大²，宇宙研³)

11:30 〜 11:45

[17a-B5-9] InAs層の導入によるAl₂O₃/GaSb MOS界面特性の改善

^○（PC）横山正史¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，NTTフォトニクス研²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-B5-10] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証

^○（M1）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郞²，安田哲二²，前田辰郎^1,2 (東理大院基礎工¹，産総研²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[17p-B5-1] ペロブスカイト構造SrHfO₃膜のSi基板上合成

^○右田真司，森田行則，昌原明植，太田裕之 (産総研 GNC)

13:15 〜 13:30

△ [17p-B5-2] 準安定正方晶ZrO₂構造の安定化機構の解明

^○加藤公彦，斉藤貴俊，坂下満男，田岡紀之，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

13:30 〜 13:45

[17p-B5-3] 分子動力学シミュレーションによるAl₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の再現

^○栗山亮¹，橋口誠広¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

13:45 〜 14:00

[17p-B5-4] Al₂O₃/SiO₂ 界面のダイポールが誘起するチャネル内の静電界

^○橋口誠広¹，栗山亮¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

14:00 〜 14:15

[17p-B5-5] W₂Cゲート電極とLa-silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価

^○中村嘉基¹，細田修平¹，カマリトクダレハン¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，若林整²，杉井信之²，筒井一生²，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

14:15 〜 14:30

[17p-B5-6] 微小電極面積を有する極薄多結晶HfO2膜の電気的特性

^○戸村有佑¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大¹，産総研²)

14:30 〜 14:45

[17p-B5-7] 多結晶HfO₂厚膜の絶縁特性

^○林真理子，門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大電物)

14:45 〜 15:00

△ [17p-B5-8] プラズマ後窒化によるHfO₂/Al₂O₃/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討

^○（M2C）韓在勲¹，張睿¹，長田剛規²，畑雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

15:00 〜 15:15

▲ [17p-B5-9] Investigation of the Substrate Orientation-Dependent on the Electrical Characteristics of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

^○Nithi Atthi，Dae-Hee Han，Huiseong Han，Shun-ichiro Ohmi (東工大院　総理工)

休憩　（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

▲ [17p-B5-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO₂ for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region

^○田畑俊行^1,2，李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

15:45 〜 16:00

▲ [17p-B5-11] Atomically Flat Planarization of Ge (110) and (100) Surface by H2 Annealing

^○西村知紀^1,2，矢嶋赳彬^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

16:00 〜 16:15

[17p-B5-12] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたGeO₂/Ge構造の作成及び評価

^○中谷友哉，山口まりな，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大・工)

16:15 〜 16:30

△ [17p-B5-13] 低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたGeO_x薄膜構造の制御

^○中山大樹¹，大野武雄²，张睿³，高木信一³，寒川誠二^1,2 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大院工³)

16:30 〜 16:45

△ [17p-B5-14] 窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfN_x/Ge-MIS構造の研究

^○（M2）三浦脩¹，田中正俊¹，安田哲二²，前田辰郎² (横国大¹，産総研²)

16:45 〜 17:00

[17p-B5-15] Al₂O₃膜挿入によるリーク電流低減の検証

^○黒柳洋真，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大・工)

17:00 〜 17:15

[17p-B5-16] GeO₂/Ge構造におけるPost Metallization Annealingの改善効果

^○山口まりな，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大・工)

17:15 〜 17:30

△ [17p-B5-17] 極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現

^○田中亮平¹，秀島伊織¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，原子力機構²)

17:30 〜 17:45

[17p-B5-18] 界面反応機構に基づくAl₂O₃/Ge界面構造制御

^○柴山茂久^1,2，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

17:45 〜 18:00

▼ [17p-B5-19] Y ドープGeO₂ 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成

^○Lu Cimang^1,2，李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

18:00 〜 18:15

▲ [17p-B5-20] Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing

^○張睿，林汝静，玉虓，竹中充，高木信一 (東大院工)

18:15 〜 18:30

▲ [17p-B5-21] Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs

^○李忠賢^1,2，魯辞莽^1,2，田畑俊行^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-P9-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P9 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

▼ [18p-P9-1] Characterization of Interface Traps in Au/Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS Structures

^○林汝靜¹，張睿^1,2，田岡紀之³，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，南京大²，名大³)

13:30 〜 15:30

▲ [18p-P9-2] 多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす水素および酸素の影響

^○株柳翔一^{1, 2}，西村知紀^{1, 2}，長汐晃輔^{1, 2}，鳥海明^{1, 2} (東大工¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-3] ECRスパッタにより作成したSiおよびGe上SiN膜の考察

^○立川晋平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-4] 酸化・還元アニールによる多結晶HfO₂膜の相変態と電気的特性変化

^○門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-5] SiN_x膜中へのH₂O, HBr分子の透過

^○奥友希，志賀俊彦，戸塚正裕，竹見政義 (三菱電機　波光電)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-6] DLTS法によるECRプラズマ法GeN_x/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価Ⅱ

^○成田英史¹，岩崎拓郎¹，福田幸夫²，王谷洋平²，小野俊郎¹，岡本浩¹ (弘前大¹，諏訪東理大²)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-7] ALD堆積条件によるLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As キャパシタの電気特性への影響

^○鹿国強¹，大嶺洋¹，Zadeh Darius¹，角嶋邦之²，西山彰²，杉井信之²，片岡好則²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大院総理工²)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-8] HfO₂/TaGe_xO_yを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化

^○橋本邦明¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-9] ストレスによりSiO₂膜中に生じた欠陥の回復

^○滝ヶ浦佑介，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大電物)

13:30 〜 15:30

[18p-P9-10] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果(Ⅱ)

鈴木亜嵐¹，シャクールナウシャド¹，落合良治²，永島大樹²，^○小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

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[17a-B5-1~10] 13.3 絶縁膜技術

△ [17a-B5-1] 量子分子動力学法に基づくフルオロカーボンラジカルによるSiO2エッチングプロセスの解明

△ [17a-B5-3] スピンオングラスおよびCO2レーザーアニールを用いた多結晶シリコン薄膜上へのSiO2薄膜形成

▲ [17a-B5-4] Silicon Surface oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma

▲ [17a-B5-6] Evaluation of Interface State Density of Strained-Si MOS Interfaces by Conductance Method

△ [17a-B5-7] MONOS型メモリに特有な界面準位生成/回復現象とその起源

△ [17a-B5-10] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-B5-2] 準安定正方晶ZrO2構造の安定化機構の解明

△ [17p-B5-8] プラズマ後窒化によるHfO2/Al2O3/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討

▲ [17p-B5-9] Investigation of the Substrate Orientation-Dependent on the Electrical Characteristics of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

▲ [17p-B5-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region

▲ [17p-B5-11] Atomically Flat Planarization of Ge (110) and (100) Surface by H2 Annealing

△ [17p-B5-13] 低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたGeOx薄膜構造の制御

△ [17p-B5-14] 窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge-MIS構造の研究

△ [17p-B5-17] 極薄AlOx層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現

▼ [17p-B5-19] Y ドープGeO2 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成

▲ [17p-B5-20] Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing

▲ [17p-B5-21] Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs

[18p-P9-1~10] 13.3 絶縁膜技術

▼ [18p-P9-1] Characterization of Interface Traps in Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures

▲ [18p-P9-2] 多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす水素および酸素の影響

△ [17a-B5-1] 量子分子動力学法に基づくフルオロカーボンラジカルによるSiO₂エッチングプロセスの解明

△ [17a-B5-3] スピンオングラスおよびCO₂レーザーアニールを用いた多結晶シリコン薄膜上へのSiO₂薄膜形成

△ [17p-B5-2] 準安定正方晶ZrO₂構造の安定化機構の解明

△ [17p-B5-8] プラズマ後窒化によるHfO₂/Al₂O₃/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討

▲ [17p-B5-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO₂ for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region

△ [17p-B5-13] 低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたGeO_x薄膜構造の制御

△ [17p-B5-14] 窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfN_x/Ge-MIS構造の研究

△ [17p-B5-17] 極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現

▼ [17p-B5-19] Y ドープGeO₂ 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成

▼ [18p-P9-1] Characterization of Interface Traps in Au/Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS Structures